专利名称：一种高亮led光学耦合装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种LED照明产品，特别涉及一种高亮LED光学耦合装置。
背景技术：
随着LED技术的飞速发展及大功率LED生产技术的日趋成熟，其低耗、高效、体积小、重量轻和长寿命等众多优点，使其得到广泛的应用，大功率LED的封装技术的发展，大大加快了大功率LED在照明领域和显示领域的应用。现有高亮LED光学耦合装置包括基板和安装于所述基板上的LED芯片模组，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组的封装层和设于所述封装层上面的光耦合器，为防止光耦合器损伤LED芯片模组，光耦合器与LED芯片模组之间有空气间隙或玻璃，空气与玻璃的光折射率与光耦合器的光折射率具有较大差异，大大的降低了 LED芯片模组所发出的光进入光耦合器的效率，为了提高光耦合效率，有的系统尽量使发光面与光学器件接近，但是在操作中很难控制，而且如果间隙过小，有可能在振动，由于光学器件与接触面的接触会损坏LED芯片，降低了使用寿命。如杨毅等CN 101802666A提出了一种提高光耦合效率的方法，但是仍然保留空气间隙；凯瑟琳等CN 101438201A建议采用折射率为2. 0或以上的玻璃来提高取光效率，但在现实总还没有这样的材料。
实用新型内容为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种光耦合效率高且使用寿命长的高亮LED光学耦合装置。为达到上述目的，本实用新型的技术方案是一种高亮LED光学耦合装置，包括基板和安装于所述基板上的LED芯片模组，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置， 所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组的封装层和直接设于所述封装层上面的光耦
ο优选的，所述封装层和所述光耦合器的光折射率之间的差值为士0. 5。优选的，所述封装层的上表面与所述LED芯片模组的上表面平齐。优选的，所述封装层为树脂、硅胶或石英。优选的，所述光耦合器为光棒或光纤。优选的，所述光耦合器通过硅胶或树脂粘合于所述封装层上，所述硅胶或树脂和所述光耦合器的光折射率之间的差值为士0.5。优选的，所述LED芯片模组包括至少一个LED发光芯片和一端与所述LED发光芯片电连接的电源连接引线，所述电源连接引线的另一端延伸于所述高亮LED光学耦合装置外或与其外壁设有的连接点电连接。优选的，所述LED芯片模组的有效发光面积等于或小于所述光耦合装置的横截面，即所述光耦合装置的垂直投影覆盖所述LED芯片模组的全部发光面。[0013]采用本技术方案的有益效果是采用光耦合器直接设于所述封装层上面，取消了影响光耦合效率的空气间隙或玻璃等，大大提高了光耦合效率同时，由于柔性封装层的介入，直接连接也避免了因震动而损伤LED芯片模组，大大提高了使用寿命。
图1是本实用新型一种高亮LED光学耦合装置实施例1的剖视图；图2是本实用新型一种高亮LED光学耦合装置实施例2的示意图。图中数字和字母所表示的相应部件名称1.基板2. LED芯片模组3.封装层4.光耦合器5.粘合部6.电源连接引线
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明。实施例1，如图1所示，一种高亮LED光学耦合装置，包括基板1和安装于所述基板上的LED 芯片模组2，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组2的封装层3和直接设于所述封装层上面的光耦合器4。所述封装层3为树脂或硅胶等，所述光耦合器4为光棒，所述光棒的光折射率为 1. 56，所述树脂的光折射率为1. 52，确保所述封装层3和所述光耦合器的光折射率之间的差值为士0.5之内。所述光棒通过相同的树脂/硅胶粘合于所述封装层3上，整体相近的光折射率保证整个耦合装置的光耦合效率，使得整个发光装置亮度得到有效提升。所述LED芯片模组2包括至少一个LED发光芯片和一端与所述LED发光芯片电连接的电源连接引线6，所述电源连接引线6的另一端延伸于所述高亮LED光学耦合装置外， 也可与其外壁设有的连接点电连接。实施例2，如图2所示，其余与实施例1相同，不同之处在于，所述封装层3的上表面与所述 LED芯片模组2的上表面平齐。因此光棒直接通过树脂粘接在LED芯片模组2上，进一步降低了折射率不同带来的影响。上述实施例中，封装层3还可以是石英。光耦合器4还可以是光纤。光耦合器4与封装层3的粘合剂还可以用硅胶，所述硅胶和所述光耦合器的光折射率之间的差值为士0.5。其中，所述LED芯片模组2的有效发光面积等于或小于所述光耦合器4的横截面， 即所述光耦合器4的垂直投影覆盖所述LED芯片模组2的全部发光面。采用本技术方案的有益效果是采用光耦合器直接设于所述封装层上面，取消了影响光耦合效率的空气间隙或玻璃等，大大提高了光耦合效率，直接连接也避免了因震动而损伤LED芯片模组，大大提高了使用寿命。以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种高亮LED光学耦合装置，包括基板和安装于所述基板上的LED芯片模组，其特征在于，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED 芯片模组的封装层和直接设于所述封装层上面的光耦合器。
2.根据权利要求1所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述封装层和所述光耦合器的光折射率之间的差值为士0.5。
3.根据权利要求1所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述封装层的上表面与所述LED芯片模组的上表面平齐。
4.根据权利要求2所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述封装层为树脂或硅胶。
5.根据权利要求2所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述光耦合器为光棒或光纤。
6.根据权利要求1到5任一所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述光耦合器通过硅胶或树脂粘合于所述封装层上，所述硅胶或树脂和所述光耦合器的光折射率之间的差值为士 0.5。
7.根据权利要求6所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述LED芯片模组包括至少一个LED发光芯片和一端与所述LED发光芯片电连接的电源连接引线，所述电源连接引线的另一端延伸于所述高亮LED光学耦合装置外或与其外壁设有的连接点电连接。
8.根据权利要求6所述的高亮LED光学耦合装置，其特征在于，所述LED芯片模组的有效发光面积等于或小于所述光耦合器的横截面，即所述光耦合器的垂直投影覆盖所述LED 芯片模组的全部发光面。
专利摘要本实用新型公开了一种高亮LED光学耦合装置，包括基板和安装于所述基板上的LED芯片模组，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组的封装层和直接设于所述封装层上面的光耦合器。采用本技术方案的有益效果是采用光耦合器直接设于所述封装层上面，取消了影响光耦合效率的空气间隙或玻璃等，大大提高了光耦合效率；直接连接也避免了因震动而损伤LED芯片模组，大大提高了使用寿命。
文档编号G02B6/42GK201965266SQ201020682680
公开日2011年9月7日 申请日期2010年12月27日 优先权日2010年12月27日
发明者熊大曦 申请人:熊大曦