专利名称：Tft-lcd阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-1XD阵列基板及其制造方法。
背景技术：
随着信息技术社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长。为了满足这种需求，最近几种平板显示设备，如液晶显示设备(IXD)、有机发光(OLED)显示装置、等离子体显示装置(PDP)都得到了迅猛的发展。在平板显示装置中，液晶显示装置由于其重量低、体积小、能耗低的优点正在逐步取代冷阴极显示设备。
近年来随着液晶显示器的分辨率持续提升，耗电量也不断上升，为了符合节能环保的趋势，需要提升液晶显示器像素开口率。2010年9月I日公开的中国专利CN101819361A的技术方案是通过在像素区域内形成由透明导电薄膜构成的存储电极，形成存储电容在透明的存储电极上的结构，即存储电极为透明的ITO材质。通过使用透明的ITO材质，既可以保证充足的存储电容余量，又不会遮挡像素区域，有效提高显示器的像素的开口率和显示亮度，从整体上提高了 TFT-1XD的显示质量。但当存储电极为透明的ITO材质时，在TFT-LCD阵列基板的制程中需单独一道光刻工艺制作，所以需要额外一道掩膜版。增加了光罩数量同时耗用材料，使生产成本增加并延长生产周期。发明内容
发明目的:本发明的目的是提供一种TFT-1XD阵列基板及其制造方法，在达到提升显示器的像素的开口率和显示亮度的同时，还具有制程简单和成本降低优点。
技术方案:本发明提供一种TFT-1XD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电 极，所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的半导体层和所述的像素电极为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。
进一步，对所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的源极、漏极和所述的像素电极进行离子注入处理；
进一步，所述的薄膜晶体管的半导体层、源极、漏极、以及所述的像素电极由同层金属氧化物在同一制程中形成；
进一步，所述的扫描线和所述的数据线由同层金属在同一制程中形成。
本发明还给出了一种TFT-1XD阵列基板的制造方法，包括如下步骤:
步骤1、在玻璃基板上连续沉积金属氧化物层和金属层并涂布光刻胶；
步骤2、对经过上述步骤I处理的所述基板使用第一道Mask (光罩)对光刻胶进行曝光；
步骤3、对经过上述步骤2处理的所述基板进行光刻胶显影形成图案和沟道工艺，形成扫描线端子、扫描线、数据线端子、不连续的数据线、栅极以及存储电极；其中，栅极与扫描线相连接；步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，对光刻胶进行灰化处理，将存储电极上方的光刻胶去除；步骤5、对经过所述步骤4处理的所述基板进行光刻工艺，去除储存电极上方的金属，露出存储电极以及连接电极，存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接；步骤6、去除经过所述步骤5处理的所述基板上的光刻胶并对该基板进行离子注入，使得存储电极和连接电极具有透明导体性质；步骤7、对经过所述步骤6处理的所述基板上沉积绝缘层；步骤8、对经过所述步骤7处理的所述基板使用第二道Mask对上述形成图案并进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔；步骤9、在经过所述步骤8处理的所述基板上连续沉积金属氧化物层、绝缘层、以及涂覆光刻胶；步骤10、对经过所述步骤9处理的所述基板使用第三道Mask对光刻胶进行曝光；步骤11、对经过所述步骤10处理的所述基板进行光刻胶显影并进行光刻工艺，形成数据连接线和像素电极，各像素间的数据线通过数据线连接线相连接；步骤12、对经过所述步骤11处理的所述基板进行灰化处理，保留位于栅极上方的金属氧化物上的光刻胶区域，去除其他区域以外的光刻胶，并进行光刻工艺，去除所述保留的光刻胶区域下方以外的绝缘 层；步骤13、对经过所述步骤12处理的所述基板进行离子注入，使像素电极以及位于栅极上方并于绝缘层下方的金属氧化物层的两侧的金属氧化物层具有透明导体特性。进一步，在所述的步骤2和步骤10中使用的Mask分为完全透光区、部分透光区和完全不透光区。本发明还给出了另一种TFT-1XD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为金属氧化物 IGZO、IZO 或 ZnO0进一步，对所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层进行离子注入处理；进一步，所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层在同一制程中完成。本发明还给出了另一种TFT-1XD阵列基板的制造方法，包括如下步骤:步骤1、在玻璃基板上沉积金属层，并由此金属层形成扫描线、扫描线端子、栅极、不连续的数据线以及数据线端子，其中，扫描线端子与扫描线相连接；栅极与扫描线相连接；数据线端子与数据线相连接；步骤2、在经过所述步骤I处理的所述基板上沉积绝缘层；步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上形成金属氧化物层、存储电极以及连接电极；存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接；步骤4、在经所述步骤3处理的所述基板上形成刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层位于栅极正上方的金属氧化层上；步骤5、对经所述步骤4处理的所述基板进行离子注入工艺，使得露出的存储电极、连接电极以及在所述刻蚀阻挡层下方并于栅极上方的金属氧化物层两侧的金属氧化物层具有透明导体特性；步骤6、在经所述步骤5处理的所述基板上沉积钝化层；步骤7、对经所述步骤6处理的所述基板进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔、源极接触孔和漏极接触孔；步骤8、在经所述步骤7处理的所述基板上沉积一层ΙΤ0，并形成像素电极、数据线连接线以及连接线，使得漏极通过接触孔与像素电极相连接；源极通过接触孔、连接线以及数据线接触孔与数据线相连接；各像素间的数据线通过数据线接触孔和数据线连接线相连接。有益效果:本发明的方案是利用IGZO氧化物半导体制程的控制，可以分别形成可作为TFT半导体层以及作为透明存储电极的IGZO层，在不增加光罩制程以及材料的情况下，达成利用IGZO作为透明存储电极的目标，大幅提升像素的开口率，符合产业针对画质以及节能省电的需求。
图1A为本发明TFT-1XD阵列基板第一实施例平面图；图1B为图1A所示T FT-1XD阵列基板在A_A’方向的剖视2A为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第一步制造方法的示意图；图2B为图2A所示在A-A’方向的剖视图；图3为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第二步制造方法A_A’方向的剖视图；图4A为图1A所不TFT-1XD阵列基板的第二步制造方法的不意图；图4B为图4A所示在A_A’方向的剖视图；图5为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第四步制造方A_A’方向的剖视图；图6A为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第五步制造方法的示意图；图6B为图6A所示在A-A’方向的剖视图；图7为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第六步制造方法A_A’方向的剖视图；图8为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第七步制造方法A_A’方向的剖视图；图9A为图1A所不TFT-1XD阵列基板的第八步制造方法的不意图；图9B为图9A所示在A-A’方向的剖视图；图10为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第九步制造方法A_A’方向的剖视图；图11为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第十步制造方法A_A’方向的剖视图；图12A为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第i^一步制造方法的示意图；图12B为图12A所示在A-A’方向的剖视图；图13为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第十二步制造方法A_A’方向的剖视图；图14A为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第十三步制造方法的示意图14B为图14A所示在A-A’方向的剖视图；图15A为本发明TFT-1XD阵列基板第二实施例平面图；图15B为图15A所示TFT-LCD阵列基板在A_A’方向的剖视图；图16A为图15A所示TFT-1XD阵列基板的第一步制造方法的示意图；图16B为图16A所示在A-A’方向的剖视图；图17为图15A所示TFT-1XD阵列基板的第二步制造方法A_A’方向的剖视图；图18A为图15A所示TFT-1XD阵列基板的第三步制造方法的示意图；图18B为图18A所示在A-A’方向的剖视图；图19为图15A所示TFT-1XD阵列基板的第四步制造方法A_A’方向的剖视图；图20为图15A所示TFT-1XD阵列基板的第五步制造方法A_A’方向的剖视图；图21为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第六步制造方法A_A’方向的剖视图；图22A为图1A所示TFT-1XD阵列基板的第七步制造方法的示意图；图22B为图9A所示在A_A’方向的剖视图；图23A为图1A所示TFT -1XD阵列基板的第八步制造方法的示意图；图23B为图9A所示在A-A’方向的剖视图；图中，100、基板，310、扫描线，311、扫描线端子，320、不连续的数据线，321、数据线端子，610、像素电极，210、存储电极，211、连接电极，350、栅极，640、源极，660、漏极，201、数据线接触孔，322、数据线连接线，60、50、Mask, 502、602、完全透光区，503、603、部分透光区，501、601、完全不透光区501，651、TFT半导体层，101、扫描线端子接触孔，3210、数据线端子接触孔，201、数据线接触孔，401、源极接触孔，501、漏极接触孔，641、连接线，200、金属氧化物层，650、300、金属层400、800、光刻胶，500、绝缘层，700、刻蚀阻挡层，900、钝化层。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。图1A为本发明TFT-1XD阵列基板的第一实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图1B为图1A中A-A’向的剖面图。如图1A IB所示，本发明TFT-1XD阵列基板的主要结构包括形成在基板100上的扫描线310、扫描线端子311、不连续的数据线320、数据线端子321、像素电极610、TFT(薄膜晶体管)、存储电极210以及连接电极211。数据线端子321与数据线320相连接；扫描线310与扫描线端子311相连接；存储电极210与连接电极211相连接。扫描线310和数据线320定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极610形成在像素区域内。其中，TFT包括栅极350、源极640、漏极660和半导体层。栅极350与扫描线310相电性连接，源极640与数据线320电性连接，漏极660与像素电极610相连接，源极640和漏极660之间形成的薄膜晶体管的半导体层。扫描线310用于向薄膜晶体管开启信号，数据线320用于向像素电极提供数据信号，存储电极210和像素电极610—起构成存储电容。其中，存储电极210、像素电极610和TFT的半导体层采用金属氧化物IGZ0，IZO或者ZnO形成在像素区域内，相邻像素的存储电极210通过连接电极211连接，相邻像素的数据线通过数据线接触孔201与数据线连接线322相连接。
具体地，本发明TFT-1XD阵列基板包括在基板100上依次沉积金属氧化物层和金属层并涂布光刻胶，通过使用第一道Mask (光罩)对光刻胶进行曝光，由金属氧化层形成存储电极210和连接电极211 ;存储电极210和连接电极211相连接。由金属层形成扫描线310、栅极350，扫描线端子311、不连续的数据线320以及数据线端子321。数据线端子321与数据线320相连接；扫描线310与扫描线端子311相连接；栅极350与扫描线320相连接。其中，金属氧化物层为IGZO、IZO或者ZnO形成。对存储电极210进行离子注入，使存储电极210更具有导电特性。绝缘层500形成在扫描线310、栅极350、扫描线端子311、不连续的数据线320、数据线端子321以及存储电极210并覆盖整个基板100，在绝缘层500上开设数据线接触孔201和扫描线端子接触孔101以及数据线端子接触孔3210。并在绝缘层500上形成一层金属氧化物层，并由此金属氧化层形成像素电极610和数据线连接线322，在位于栅极350的上方的金属氧化物层上形成保护层700并进行离子注入，使未被保护层700保护的金属氧化物层、像素电极610更具有导体特性；被离子注入后，位于保护层700下方分金属氧化物层可视为TFT的半导体层，而位于此半导体层两侧的具有导体特性的金属氧化物层640和金属氧化层660可视为TFT的源极640和漏极660。源极640通过数据线接触孔201与数据线320相连接；漏极660与像素电极610相连接。相邻像素的数据线通过数据线接触孔201与数据线连接线322相连接。在本发明的实施例中还提供了第一实施例的TFT-1XD阵列基板的制造方法。下面结合图2A 图14B来详细介绍TFT阵列基板的制造方法。该制造方法包括:步骤1、如图 2A 2B所示，在玻璃基板100上连续沉积金属氧化物层200，金属层300，涂布光刻胶400。其中金属氧化物层为IGZ0，IZ0或者ZnO，膜厚为100至1000A ;金属为Al，Ti，Cu，Mo其中一种或者合金，膜厚为2000至4000A;步骤2、如图3所示的剖面图，对经过上述步骤I处理的所述基板使用第一道Mask(光罩)对光刻胶进行曝光，Mask50分为完全透光区502，部分透光区503和完全不透光区501。步骤3、如图4A 4B所示，对经过上述步骤2处理的所述基板进行光刻胶显影形成图案和沟道工艺，由金属层300形成扫描线端子311、扫描线310、数据线端子321、不连续的数据线320和栅极350以及由金属氧化物层200形成存储电极210 ;其中，栅极350与扫描线310相连接，各像素间的数据线是断开的，要通过数据连接线相连接。由于步骤2中使用的Mask50分为完全透光区502，部分透光区503和完全不透光区501，将会导致基板上对应各区域的各个区域的光刻胶曝光量不同，所以在不同区域产生了高度不同的光刻胶，其中，存储电极210上方的光刻胶对应Mask50的部分透光区503，通过曝光显影后，存储电极210上方的光刻胶的厚度小于基板其他位置的厚度。步骤4、如图5所示的剖面图，在经过所述步骤3处理的所述基板上，对光刻胶进行灰化处理，将存储电极210上方的光刻胶去除。步骤5、如图6A 6B所示的剖面图，对经过所述步骤4处理的所述基板进行光刻工艺，去除储存电极210上方的金属，露出由金属氧化物层200形成的存储电极210以及连接电极211，存储电极201与连接电极211相连接；各像素间的存储电极210通过连接电极211相连接。步骤6、如图7所示的剖面图，去除经过所述步骤5处理的所述基板上的光刻胶并对该基板进行离子注入，使得由金属氧化物层形成的存储电极210和连接电极211具有透明导体性质。步骤7、如图8所示，对经过所述步骤6处理的所述基板上沉积绝缘层500，绝缘层材料为Si02或者SiNx，膜厚为3000至5000A,步骤8、如图9A 9B所示,对经过所述步骤7处理的所述基板使用第二道Mask对上述形成图案并进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔101，数据线端子接触孔3210、数据线接触孔201。步骤9、如图10所示，在经过所述步骤8处理的所述基板上连续沉积金属氧化物层600，绝缘层700以及涂覆光刻胶800。金属氧化物层为IGZO，IZO或者ZnO，膜厚为100至1000A ;绝缘层为Si02或者SiNx，膜厚为100至ΙΟΟΟΑ。步骤10、如图11所示，对经过所述步骤9处理的所述基板使用第三道Mask对光刻胶进行曝光，Mask60分为完全透光区137，部分透光区136和完全不透光区138。步骤11、如图12A 12B对经过所述步骤10处理的所述基板进行光刻胶显影并进行光刻工艺，形成数据连接线322和像素电极610，各像素间的数据线通过数据线接触孔201和数据线连接线322相连接。由于步骤10中Mask60各个区域的光刻胶曝光量不同，所以在不同区域产生了高度不同的光刻胶。其中栅极350上方的光刻胶810厚度比其他区域的光刻胶的厚度大。步骤12、如图13所示对经过所述步骤11处理的所述基板进行灰化处理，去除光刻胶810区域以外的光刻胶，并进行光刻工艺，去除光刻胶810区域下方以外的绝缘层。步骤13、如图14A 14B所示，对经过所述步骤12处理的所述基板进行离子注入，使扫描线端子接触孔101，数据线端子接触孔3210、数据线接触孔201、像素电极610以及位于栅极350上方并于绝缘层700下方的金属氧化物层的两侧的金属氧化物层640和660具有透明导体特性，绝缘层700下方的不具有透明导体特性的金属氧化层与具有透明导体特性的金属氧化物层640、金属氧化物层650以及与栅极350就构成了 TFT的半导体层、TFT的源极640、TFT的漏极660及TFT的栅极350。TFT的源极640通过数据线接触孔201与数据线320相连接，TFT的漏极650与像素电极610相连接。像素电极610与存储电极210与一起构成了像素的存储电容。通过以上步骤的实施，利用金属氧化物在使用离子注入式其半导体特性会转变为透明导体的性质，将薄膜晶体管的半导体层与存储电极在一道光刻工艺中形成，在有效提高开口率和显示亮度的同时，可以节省光刻次数，降低生产成本。本发明还给出了第二实施例的TFT-1XD阵列基板，图15A为本发明TFT-1XD阵列基板的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图15B为图15A中A-A’向的剖面图。如图15A 15B所示，本发明TFT-1XD阵列基板的主要结构包括形成在基板100上的扫描线310、扫描线端子311、不连续的数据线320、数据线端子321、像素电极610、TFT(薄膜晶体管)和存储电极210。数据线端子321与数据线320相连接；扫描线310与扫描线端子311相连接；扫描线310和数据线320定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极610形成在像素区域内。其中，TFT包 括栅极350、源极640、漏极660和半导体层651。栅极350与扫描线310相电性连接，源极640与数据线320电性连接，漏极660与像素电极210相连接，源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层651。扫描线310用于向薄膜晶体管开启信号，数据线320用于向像素电极提供数据信号，存储电极210和像素电极610 —起构成存储电容。相邻像素的存储电极210通过连接电极211连接；相邻像素的数据线320通过数据线连接线322连接。其中，存储电极210、连接电极211和TFT的半导体层651采用金属氧化物IGZO，IZO或者ZnO形成在像素区域内；像素电极610和数据线连接线322采用ITO形成。具体地，本发明TFT-1XD阵列基板包括形成在基板100上的扫描线310、扫描线端子311、栅极350、不连续的数据线320以及数据线端子321，数据线端子321与数据线320相连接；扫描线310与扫描线端子311相连接；栅极350与扫描线310相连接。栅绝缘层500形成在栅极350、扫描线310和数据线320上并覆盖整个基板100，一半导体层形成在栅绝缘层500上并位于栅极350的上方；同时在栅绝缘层5上形成存储电极210和连接电极211 ;在半导体层上形成保护层700，并进行离子注入，使未被保护层700保护的半导体层640和半导体层650、存储电极210和连接电极211更具有导体特性；被保护层700保护的半导体层651可视为TFT的半导体层，而经过离子注入后具有导体特性的半导体层640和半导体层650分别视为TFT的源极640和漏极660。源极640的一端位于栅极350的上方，另一端与数据线320相连接；漏极660的一端位于栅极350的上方，另一端通过保护层900上开设的接触孔501与像素电极610连接。保护层900形成在数据线320、源极640、漏极660、保护层700以及扫面线310上并覆盖整个基板100。在漏极660的位置开设有使漏与像素电极610连接的接触孔501，像素电极610和数据线连接线322形成在保护层900上。像素电极610和数据线连接线322材料为ΙΤ0。在源极640的位置上开设有接触孔401，在数据线320的位置上开设接触孔201，源极640通过接触孔401、连接线641以及接触孔201与数据线相连接；相邻像素的数据线320通过数据线连接线322连接和接触孔201相连接，同时在数据线端子321和扫描线端子311分 别开有接触孔3210和101。本发明的实施例中还提供了第二实施例的TFT-1XD阵列基板的制造方法。下面结合图16A 图22B来详细介绍TFT阵列基板的制造方法。该制造方法，包括:步骤1、如图16A 16B所示，在玻璃基板100上沉积金属层，并由此金属层形成扫描线210、扫描线端子311，栅极350、不连续的数据线320以及数据线端子321，其中，扫描线端子311与扫描线210相连接；栅极350与扫描线相连接；数据线端子321与数据线320相连接；金属层材料为Al，Ti，Cu，Mo其中一种或者合金，膜厚为2000至4000A;步骤2、如图17所示，在经过所述步骤I处理的所述基板上沉积绝缘层500，绝缘层材料为Si02或者SiNx，膜厚为3000至5000A.,步骤3、如图18A 18B所示，在经过所述步骤2处理的所述基板上形成金属氧化物层650、存储电极210以及连接电极211，存储电极201与连接电极211相连接；各像素间的存储电极210通过连接电极211相连接。金属氧化物层650、存储电极210和连接电极211材料为IGZO，IZO或者ZnO，膜厚为100至ΙΟΟΟΑ;金属氧化物层650、存储电极210以及连接电极211可以采用HTM或者GTM技术形成。步骤4、如图19所示，在经所述步骤3处理的所述基板上形成刻蚀阻挡层700，该刻蚀阻挡层700位于栅极350正上方的金属氧化层650上，该刻蚀阻挡层的材料为SiO2或者SiNx，厚度为100-1OOOA。另外，刻蚀阻挡层206可以采用HTM或者GTM技术形成。
步骤5、如图20所示，对经所述步骤4处理的所述基板进行离子注入工艺，使得露出的存储电极210、连接电极211以及在所述刻蚀阻挡层700下方并于栅极350上方的金属氧化物层651两侧的金属氧化物层640和金属氧化物层660具有透明导体特性，而位栅极350上方并于刻蚀阻挡层700下方的金属氧化物层651即构成一半导体层。具有透明导体特性的金属氧化物层640和金属氧化物660、不具有透明导体特性的金属氧化物651以及栅极350即可视为TFT的源极640、TFT的漏极660、TFT的栅极350以及TFT的半导体层651。步骤6、如图21所示，在经所述步骤5处理的所述基板上沉积钝化层900，材料为SiO2 或者 SiNx，膜厚为 1000-3000A..
步骤7、如图22A所示，对经所述步骤6处理的所述基板进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔101，数据线端子接触孔3210，数据线接触孔201，源极接触孔401，漏极接触孔501。步骤8、在经所述步骤7处理的所述基板上沉积一层ΙΤ0，并形成像素电极610、数据线连接线322以及连接线641，使得漏极660通过接触孔501与像素电极610相连接；源极640通过接触孔401、连接线641以及数据线接触孔201与数据线320相连接；各像素间的数据线通过数据线接触孔201和数据线连接线322相连接如图15A 15B的效果图。通过本实施例步骤的实施，在有效提高开口率和显示亮度的同时，可以节省光刻次数，降低生产成本 。
权利要求
1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，其特征在于:所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的半导体层和所述的像素电极为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。
2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于对所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的源极、漏极和所述的像素电极进行离子注入处理。
3.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于:所述的薄膜晶体管的半导体层、源极、漏极、以及所述的像素电极由同层金属氧化物在同一制程中形成。
4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于:所述的扫描线和所述的数据线由同层金属在同一制程中形成。
5.—种TFT-1XD阵列基板的制造方法，其特征在于:包括如下步骤， 步骤1、在玻璃基板上连续沉积金属氧化物层和金属层并涂布光刻胶； 步骤2、对经过上述步骤I处理的所述基板使用第一道Mask (光罩)对光刻胶进行曝光; 步骤3、对经过上述步骤2处理的所述基板进行光刻胶显影形成图案和沟道工艺，形成扫描线端子、扫描线、数据线端子、不连 续的数据线、栅极以及存储电极；其中，栅极与扫描线相连接； 步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，对光刻胶进行灰化处理，将存储电极上方的光刻胶去除； 步骤5、对经过所述步骤4处理的所述基板进行光刻工艺，去除储存电极上方的金属，露出存储电极以及连接电极，存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接； 步骤6、去除经过所述步骤5处理的所述基板上的光刻胶并对该基板进行离子注入，使得存储电极和连接电极具有透明导体性质； 步骤7、对经过所述步骤6处理的所述基板上沉积绝缘层； 步骤8、对经过所述步骤7处理的所述基板使用第二道Mask对上述形成图案并进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔； 步骤9、在经过所述步骤8处理的所述基板上连续沉积金属氧化物层、绝缘层、以及涂覆光刻胶； 步骤10、对经过所述步骤9处理的所述基板使用第三道Mask对光刻胶进行曝光； 步骤11、对经过所述步骤10处理的所述基板进行光刻胶显影并进行光刻工艺，形成数据连接线和像素电极，各像素间的数据线通过数据线连接线相连接； 步骤12、对经过所述步骤11处理的所述基板进行灰化处理，保留位于栅极上方的金属氧化物上的光刻胶区域，去除其他区域以外的光刻胶，并进行光刻工艺，去除所述保留的光刻胶区域下方以外的绝缘层； 步骤13、对经过所述步骤12处理的所述基板进行离子注入，使像素电极以及位于栅极上方并于绝缘层下方的金属氧化物层的两侧的金属氧化物层具有透明导体特性。
6.根据原理要求5所述的一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于:在所述的步骤2和步骤10中使用的Mask分为完全透光区、部分透光区和完全不透光区。
7.—种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，其特征在于:所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为金属氧化物IGZO、IZO 或 ZnO。
8.根据权利要求7所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于:对所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层进行离子注入处理。
9.根据权利要求7所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于:所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层在同一制程中完成。
10.一种TFT-1XD阵列基板的制造方法，其特征在于:包括如下步骤， 步骤1、在玻璃基板上沉积金属层，并由此金属层形成扫描线、扫描线端子、栅极、不连续的数据线以及数据线端子，其中，扫描线端子与扫描线相连接；栅极与扫描线相连接；数据线端子与数据线相连接； 步骤2、在经过所述步骤I处理的所述基板上沉积绝缘层； 步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上形成金属氧化物层、存储电极以及连接电极；存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接； 步骤4、在经所述步骤3处理的所述基板上形成刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层位于栅极正上方的金属氧化层上； 步骤5、对经所述步骤4处理的所述基板进行离子注入工艺，使得露出的存储电极、连接电极以及在所述刻蚀阻挡层下方并于栅极上方的金属氧化物层两侧的金属氧化物层具有透明导体特性； 步骤6、在经所述步骤5处理的所述基板上沉积钝化层； 步骤7、对经所述步骤6处理的所述基板进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔、源极接触孔和漏极接触孔； 步骤8、在经所述步骤7处理的所述基板上沉积一层ΙΤ0，并形成像素电极、数据线连接线以及连接线，使得漏极通过接触孔与像素电极相连接；源极通过接触孔、连接线以及数据线接触孔与数据线相连接；各像素间的数据线通过数据线接触孔和数据线连接线相连接。
全文摘要
本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的半导体层和所述的像素电极为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。本发明的方案是利用IGZO氧化物半导体制程的控制，在不增加光罩制程以及材料的情况下，达到大幅提升像素的开口率，符合产业针对画质以及节能省电的需求。
文档编号G03F7/00GK103235458SQ20131015260
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月27日 优先权日2013年4月27日
发明者王海宏, 洪孟逸, 焦峰, 汤业斌, 吴剑龙, 严光能, 张立娟 申请人:南京中电熊猫液晶显示科技有限公司