液晶显示面板、其制作方法以及液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示面板、其制作方法以及液晶显示装置，该液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及液晶层，其中阵列基板包括衬底基板、数据线、扫描线、像素电极、薄膜场效应晶体管以及绝缘层，像素电极对应阵列基板的第一区域，数据线、扫描线以及薄膜场效应晶体管对应阵列基板的第二区域，第一区域上的绝缘层的厚度小于第二区域上绝缘层的厚度。本发明还提供一种阵列基板的制作方法以及液晶显示装置。本发明的液晶显示面板、其制作方法以及液晶显示装置通过减少阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度减少了液晶使用量。
【专利说明】液晶显示面板、其制作方法以及液晶显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶【技术领域】，特别是涉及一种液晶显示面板、其制作方法及液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]随着液晶显示技术的发展，使用液晶显示装置的用户越来越多。与其他平板显示器相比，液晶显示装置近年来在诸多技术方面获得突破，性能明显改善，从而其市场占有率空iu提闻。
[0003]现有的液晶显示装置在制作时，选择合适的液晶盒厚度可以给液晶显示装置带来更高的亮度以及更快的响应时间。其中液晶填充于彩膜基板和阵列基板之间的密闭空间中，以形成合适厚度的液晶盒。此处液晶盒的厚度为彩膜基板的透明电极和阵列基板的透明电极之间的距离。
[0004]但是液晶作为液晶显示装置中购置成本较高的部件，不仅影响着液晶显示装置的性能，还影响着液晶显示装置的制作成本。因此每个液晶面板中的液晶使用的多少成为各大面板厂家能够降低成本的关键因素。各大面板厂家均希望设计出一款既能保证液晶显示装置的性能，又能减少液晶使用量的液晶显示装置。
[0005]故，有必要提供一种液晶显示面板、其制作方法及液晶显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种可减少液晶使用量的液晶显示面板、其制作方法及液晶显示装置；以解决现有的液晶显示面板及液晶显示装置的显示性能较差或制作成本较高的技术问题。
[0007]为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下:
[0008]本发明实施例提供一种液晶显示面板，其包括:阵列基板、彩膜基板以及设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
[0009]其中所述阵列基板包括:
[0010]衬底基板；
[0011]数据线，用于传输数据信号；
[0012]扫描线，用于传输扫描信号；
[0013]像素电极，用于对所述液晶层施加偏转电压；
[0014]薄膜场效应晶体管，用于将所述数据信号施加到所述像素电极上，以及
[0015]绝缘层，设置在所述衬底基板上，用于对所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管之间进行间隔处理；
[0016]其中所述像素电极对应所述阵列基板的第一区域，所述数据线、所述扫描线以及所述薄膜场效应晶体管对应所述阵列基板的第二区域；所述第一区域上的所述绝缘层的厚度小于所述第二区域上所述绝缘层的厚度。
[0017]在本发明实施例所述的液晶显示面板中，所述绝缘层仅设置在所述第二区域上。
[0018]在本发明实施例所述的液晶显示面板中，如所述绝缘层仅设置在所述第二区域上，则所述像素电极直接设置在所述衬底基板上。
[0019]在本发明实施例所述的液晶显示面板中，所述薄膜场效应晶体管的输入端与所述数据线连接，所述薄膜场效应晶体管的输出端通过接触孔与所述像素电极连接，所述薄膜场效应晶体管的控制端与所述扫描线连接。
[0020]本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，其包括:
[0021]在所述衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；
[0022]沉积第一绝缘层、有源层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；
[0023]沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔，并使所述阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度小于所述阵列基板的第二区域的绝缘层的厚度；其中所述绝缘层包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层；所述数据线、所述扫描线以及所述薄膜场效应晶体管对应所述阵列基板的第二区域；以及
[0024]沉积透明电极层，并通过图形化处理在所述阵列基板的第一区域形成所述像素电极。
[0025]在本发明实施例的阵列基板的制作方法中，所述阵列基板的第一区域的绝缘层的
厚度为零。
[0026]在本发明实施例的阵列基板的制作方法中，如所述阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度为零，则所述像素电极直接设置在所述衬底基板上。
[0027]在本发明实施例的阵列基板的制作方法中，所述薄膜场效应晶体管的输入端与所述数据线连接，所述薄膜场效应晶体管的输出端通过接触孔与所述像素电极连接，所述薄膜场效应晶体管的控制端与所述扫描线连接。
[0028]本发明实施例还提供一种使用上述液晶显示面板的液晶显示装置。
[0029]相较于现有的液晶显示面板及液晶显示装置，本发明的液晶显示面板、其制作方法及液晶显示装置通过减少阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度来减少了液晶使用量；解决了现有的液晶显示面板及液晶显示装置的显示性能较差或制作成本较高的技术问题。
[0030]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:
【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1A为现有的液晶显示面板的结构示意图；
[0032]图1B为沿图1A的A-A’的截面线的截面图；
[0033]图1C为沿图1A的B-B’的截面线的截面图；
[0034]图2A为本发明的液晶显示面板的第一优选实施例的结构示意图；
[0035]图2B为沿图2A的C-C’的截面线的截面图；
[0036]图2C为沿图2A的D-D’的截面线的截面图；
[0037]图3A为本发明的液晶显示面板的第二优选实施例的结构示意图；[0038]图3B为沿图3A的E-E’的截面线的截面图；
[0039]图3C为沿图3A的F-F’的截面线的截面图；
[0040]图4为本发明的阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0041]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
[0042]在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0043]请参照图1A至图1C，图1A为现有的液晶显示面板的结构示意图，图1B为沿图1A的A-A’的截面线的截面图，图1C为沿图1A的B-B’的截面线的截面图。该液晶显示面板包括阵列基板11、彩膜基板12以及设置在阵列基板11和彩膜基板12之间的液晶层(图中未示出)。其中阵列基板11包括衬底基板111、数据线112、扫描线113、像素电极114、薄膜场效应晶体管115以及绝缘层116。其中数据线112设置在衬底基板111上，用于传输数据信号；扫描线113设置在衬底基板111上，用于传输扫描信号；像素电极114设置在衬底基板111上，用于对液晶层施加偏转电压；薄膜场效应晶体管115用于将数据信号施加到像素电极114上；绝缘层116也设置在衬底基板111上，用于对数据线112、扫描线113、像素电极114以及薄膜场效应晶体管115之间进行间隔处理。
[0044]由图1B和图1C可见，彩膜基板12与阵列基板11的像素电极114之间的距离为Al，该距离Al为保证液晶显示面板的显示质量的最小距离，即再缩小彩膜基板12与阵列基板11的像素电极114之间的距离，将会降低液晶显示面板的显示质量。这时彩膜基板12与阵列基板11的薄膜场效应晶体管115的距离为A3，彩膜基板12与阵列基板11的数据线112和扫描线113的区域的距离为A2。因此液晶层应填满彩膜基板12与阵列基板11的像素电极114、薄膜场效应晶体管115、数据线112以及扫描线113之间的空间，这时使用的液晶量为该结构的液晶显不面板的最小液晶使用量。
[0045]请参照图2A至图2C，图2A为本发明的液晶显示面板的第一优选实施例的结构示意图；图2B为沿图2A的C-C’的截面线的截面图；图2C为沿图2A的D-D’的截面线的截面图。其中阵列基板21包括衬底基板211、数据线212、扫描线213、像素电极214、薄膜场效应晶体管215以及绝缘层216。本优选实施例的液晶显示面板在现有的液晶显示面板的基础上，设置阵列基板21的第一区域上的绝缘层216的厚度小于阵列基板21的第二区域的绝缘层216的厚度。其中像素电极214对应阵列基板21的第一区域，数据线212、扫描线213以及薄膜场效应晶体管215对应阵列基板21的第二区域。
[0046]其中薄膜场效应晶体管215的输入端与数据线212连接，薄膜场效应晶体管215的输出端通过绝缘层216上的接触孔217与像素电极214连接，薄膜场效应晶体管215的控制端与扫描线213连接。
[0047]请参照图2B，彩膜基板22与阵列基板21的像素电极214之间的距离仍为Al，这样可以保证液晶显示面板的显示质量。但是像素电极214对应区域(阵列基板21的第一区域)的绝缘层216的厚度小于数据线212以及扫描线213对应区域(阵列基板21的第二区域)的绝缘层216的厚度，这样彩膜基板22与阵列基板21的数据线212和扫描线213的区域的距离为A4，这样A4必然小于A2，(A2-A4)即为阵列基板21的第一区域的绝缘层216与阵列基板21的第二区域的绝缘层216的厚度差。
[0048]请参照图2C，彩膜基板22与阵列基板21的像素电极214之间的距离仍为Al，这样可以保证液晶显示面板的显示质量。但是像素电极214对应区域(阵列基板21的第一区域)的绝缘层216的厚度小于薄膜场效应晶体管215对应区域(阵列基板21的第二区域)的绝缘层216的厚度，这样彩膜基板22与阵列基板21的薄膜场效应晶体管215的区域的距离为A5，这时A5必然小于A3，(A3-A5)即为阵列基板21的第一区域的绝缘层216与阵列基板21的第二区域的绝缘层216的厚度差。
[0049]这时如使用液晶层填满彩膜基板22与阵列基板21的像素电极214、薄膜场效应晶体管215、数据线212以及扫描线213之间的空间，使用的液晶量应小于现有结构的液晶显不面板的最小液晶使用量。
[0050]因此本优选实施例的液晶显示面板可通过减少阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度来减少液晶显不面板的液晶使用量。
[0051]请参照图3A至图3C，图3A为本发明的液晶显示面板的第二优选实施例的结构示意图；图3B为沿图3A的E-E’的截面线的截面图；图3(:为沿图3A的F-F’的截面线的截面图。本优选实施例的液晶显示面板在现有的液晶显示面板的基础上，设置阵列基板31的第一区域上的绝缘层316的厚度小于阵列基板31的第二区域的绝缘层316的厚度。其中像素电极314对应阵列基板31的第一区域，数据线312、扫描线313以及薄膜场效应晶体管315对应阵列基板31的第二区域。在本优选实施例中阵列基板31的第一区域上的绝缘层316的厚度为零，绝缘层316仅设置在阵列基板31的第二区域上，像素电极314直接设置在衬底基板311上。
[0052]其中薄膜场效应晶体管315的输入端与数据线312连接，薄膜场效应晶体管315的输出端通过绝缘层316上的接触孔317与像素电极314连接，薄膜场效应晶体管315的控制端与扫描线313连接。
[0053]请参照图3B，彩膜基板32与阵列基板31的像素电极314之间的距离仍为Al，这样可以保证液晶显示面板的显示质量。但是像素电极314对应区域(阵列基板31的第一区域)的绝缘层316的厚度为零，这样彩膜基板32与阵列基板31的数据线312和扫描线313的区域的距离为A6，这样A6必然小于A2，(A2-A6)即为阵列基板31的第二区域的绝缘层316的厚度。
[0054]请参照图3C，彩膜基板32与阵列基板31的像素电极314之间的距离仍为Al，这样可以保证液晶显示面板的显示质量。但是像素电极314对应区域(阵列基板31的第一区域)的绝缘层316的厚度为零，这样彩膜基板32与阵列基板31的薄膜场效应晶体管315的区域的距离为A7，这时A7必然小于A3，(A3-A7)即为阵列基板31的第二区域的绝缘层316的厚度。
[0055]这时如使用液晶层填满彩膜基板32与阵列基板31的像素电极314、薄膜场效应晶体管315、数据线312以及扫描线313之间的空间，使用的液晶量应小于现有结构的液晶显不面板的最小液晶使用量，同时还小于液晶显不面板的第一优选实施例中的最小液晶使用量。[0056]因此本优选实施例的液晶显示面板在第一优选实施例的基础上可通过减少阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度来进一步减少液晶显示面板的液晶使用量。
[0057]请参照图4，图4为本发明的阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图。本优选实施例的阵列基板的制作方法用于制作上述的液晶显示面板的阵列基板，其包括:
[0058]步骤S401，在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；
[0059]步骤S402，沉积第一绝缘层、有源层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；
[0060]步骤S403，沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔，并使阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度小于阵列基板的第二区域的绝缘层的厚度；
[0061]步骤S404，沉积透明电极层，并通过图形化处理在阵列基板的第一区域形成像素电极；
[0062]本优选实施例的阵列基板的制作方法结束于步骤S404。
[0063]下面详细说明本优选实施例的阵列基板的制作方法中的各步骤的具体流程。
[0064]在步骤S401中，在衬底基板上沉积第一金属层，然后对该第一金属层进行图形化处理，从而在衬底基板上形成扫描线，这里第一金属层的材料优选由铝金属层和钥金属层组合构成，当然也可以使用其它材料，譬如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、T1、氮化金属或上述任意组合的合金，亦可为具有耐热金属薄膜和低电阻率薄膜的多层结构。随后转到步骤S402。
[0065]在步骤S402中，在形成了扫描线的衬底基板上沉积第一绝缘层、有源层以及第二金属层，并对有源层以及第二金属层进行图形化处理，从而在第二金属层上形成数据线以及薄膜场效应管，其中该薄膜场效应晶体管的输入端与数据线连接，薄膜场效应晶体管的控制端与扫描线连接。其中第一绝缘层的材料优选为所为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，有源层的材料优选为多晶硅(Poly-Silicon)。第二金属层的材料优选由铝金属层和钥金属层组合构成，当然也可以使用其它材料，譬如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、T1、氮化金属或上述任意组合的合金，亦可为具有耐热金属薄膜和低电阻率薄膜的多层结构。随后转到步骤S403。
[0066]在步骤S403中，在形成了薄膜场效应晶体管以及数据线的衬底基板上沉积第二绝缘层，并通过图形化处理该第二绝缘层形成接触孔，同时使阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度小于阵列基板的第二区域的绝缘层的厚度，这里的绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，像素电极对应阵列基板的第一区域，数据线、扫描线以及薄膜场效应晶体管对应阵列基板的第二区域。随后转到步骤S404。
[0067]在步骤S404中，在形成了接触孔的衬底基板上沉积透明电极层，并通过图形化处理该透明电极层在阵列基板的第一区域形成像素电极。该薄膜场效应晶体管的输出端通过接触孔与像素电极连接，具体如图2A-图2C所示。由于阵列基板的第一区域上的绝缘层的厚度小于阵列基板的第二区域的绝缘层的厚度，这样在保证彩膜基板与阵列基板的第一区域的像素电极之间的距离的基础上，还可进一步缩小彩膜基板和阵列基板之间的距离，这样就缩小了彩膜基板与阵列基板的第二区域的薄膜场效应晶体管之间的距离，从而可以减少用于填充彩膜基板与阵列基板的第二区域之间的液晶量，从而减少了液晶显示面板的液晶使用量。
[0068]优选的，在步骤S403中，可通过图形化处理使阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度为零。这样在步骤S404中，绝缘层仅设置在阵列基板的第二区域上，像素电极直接设置在衬底基板上，具体如图3A-图3C所示。这样可以最大程度缩小彩膜基板与阵列基板的第二区域的薄膜场效应晶体管之间的距离，从而最大程度的减少用于填充彩膜基板与阵列基板的第二区域之间的液晶量，从而减少了液晶显示面板的液晶使用量。
[0069]这样即完成了本优选实施例的阵列基板的制作方法。
[0070]本优选实施例的阵列基板的制作方法可通过减少阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度来减少液晶显不面板的液晶使用量。
[0071]本发明还提供一种使用上述液晶显示面板的液晶显示装置，该液晶显示装置的使用原理与上述的液晶显示面板的优选实施例中的描述相同，具体请参见上述液晶显示面板的优选实施例中的描述。
[0072]因此本发明的液晶显示面板、其制作方法及液晶显示装置通过减少阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度来减少了液晶使用量；解决了现有的液晶显示面板及液晶显示装置的显示性能较差或制作成本较高的技术问题。
[0073]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括:阵列基板、彩膜基板以及设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层； 其中所述阵列基板包括: 衬底基板； 数据线，用于传输数据信号； 扫描线，用于传输扫描信号； 像素电极，用于对所述液晶层施加偏转电压； 薄膜场效应晶体管，用于将所述数据信号施加到所述像素电极上，以及绝缘层，设置在所述衬底基板上，用于对所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管之间进行间隔处理； 其中所述像素电极对应所述阵列基板的第一区域，所述数据线、所述扫描线以及所述薄膜场效应晶体管对应所述阵列基板的第二区域；所述第一区域上的所述绝缘层的厚度小于所述第二区域上所述绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述绝缘层仅设置在所述第二区域上。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，如所述绝缘层仅设置在所述第二区域上，则所述像素电极直接设置在所述衬底基板上。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管的输入端与所述数据线连接，所述薄膜场效应晶体管的输出端通过接触孔与所述像素电极连接，所述薄膜场效应晶体管的控制端与所述扫描线连接。
5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在所述衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线； 沉积第一绝缘层、有源层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管； 沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔，并使所述阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度小于所述阵列基板的第二区域的绝缘层的厚度；其中所述绝缘层包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层；所述数据线、所述扫描线以及所述薄膜场效应晶体管对应所述阵列基板的第二区域；以及 沉积透明电极层，并通过图形化处理在所述阵列基板的第一区域形成所述像素电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度为零。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，如所述阵列基板的第一区域的绝缘层的厚度为零，则所述像素电极直接设置在所述衬底基板上。
8.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管的输入端与所述数据线连接，所述薄膜场效应晶体管的输出端通过接触孔与所述像素电极连接，所述薄膜场效应晶体管的控制端与所述扫描线连接。
9.一种使用上述权利要求1-4中任一的液晶显示面板的液晶显示装置。
【文档编号】G02F1/1333GK103955098SQ201410143419
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年4月10日 优先权日:2014年4月10日
【发明者】姜佳丽, 杜鹏, 施明宏 申请人:深圳市华星光电技术有限公司