1.一种电致变色装置，包括多个层，所述多个层包含至少一个平面化层，所述至少一个平面化层具有小于与所述至少一个平面化层的下表面接触的打底层的上表面粗糙度的上表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的电致变色装置，从下到上包括：
衬底；
下透明导体层；
第一电致变色层；
离子导体层；
第二电致变色层；以及
上透明导体层，
其中：(a)所述第一电致变色层是主电致变色层，并且所述第二电致变色层是副电致变色层，或者(b)所述第一电致变色层是所述副电致变色层，并且所述第二电致变色层是所述主电致变色层。
3.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层是以下各项中的至少一项或每一项：
所述下透明导体层；
所述第一电致变色层；
所述离子导体层；
所述第二电致变色层；以及
所述上透明导体层。
4.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层被定位在以下各项中的至少一项或每一项上：
所述衬底的上表面，并且在所述下透明导体层的下方；
所述下透明导体层的上表面，并且在所述第一电致变色层的下方；
所述第一电致变色层的上表面，并且在所述离子导体层的下方；
所述离子导体层的上表面，并且在所述第二电致变色层的下方；
所述第二电致变色层的上表面，并且在所述上透明导体层的下方；以及
所述上透明导体层的上表面。
5.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层被定位在所述离子导体层的上表面上。
6.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层被定位在所述第二电致变色层的上表面上。
7.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层被定位在所述离子导体层的上表面和所述第二电致变色层的上表面上。
8.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层被定位在所述下透明导体层的上表面上。
9.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层被定位在所述第一电致变色层的上表面上。
10.根据权利要求1所述的电致变色装置，其中所述上表面粗糙度被定义为：(a)多个峰谷高度的绝对值的算术平均值；(b)多个峰谷高度的均方根；或(c)最大峰谷高度。
11.根据权利要求10所述的电致变色装置，其中所述上表面粗糙度为从1nm至300nm。
12.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中与所述至少一个平面化层的下表面接触的所述打底层的上表面粗糙度大于50nm，并且所述至少一个平面化层的上表面粗糙度为50nm或更小。
13.根据权利要求2所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层减少了光散射、雾度、针孔、裂纹和电短路中的至少一项。
14.根据权利要求2所述的电致变色装置，进一步包括位于所述上透明导体层的上表面上的抗反射层。
15.根据权利要求1所述的电致变色装置，其中所述电致变色装置的所有层都是平面化层。
16.根据权利要求1所述的电致变色装置，从下到上包括：
衬底；
下透明导体层，其包括不同透明导体层材料的至少一个子层；
第一电致变色层，其包括不同电致变色材料的至少一个子层；
离子导体层，其包括不同离子导体材料的至少一个子层；
第二电致变色层，其包括不同电致变色材料的至少一个子层；以及
上透明导体层，其包括不同透明导体层材料的至少一个子层，
其中：(a)所述第一电致变色层是主电致变色层，并且所述第二电致变色层是副电致变色层，或者(b)所述第一电致变色层是所述副电致变色层，并且所述第二电致变色层是所述主电致变色层。
17.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层是以下各项中的至少一项或每一项：
所述下透明导体层或其至少一个子层；
所述第一电致变色层或其至少一个子层；
所述离子导体层或其至少一个子层；
所述第二电致变色层或其至少一个子层；以及
所述上透明导体层或其至少一个子层。
18.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层位于以下各项中的至少一项或每一项上：
所述下透明导体层或其至少一个子层；
所述第一电致变色层或其至少一个子层；
所述离子导体层或其至少一个子层；
所述第二电致变色层或其至少一个子层；以及
所述上透明导体层或其至少一个子层。
19.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述第二电致变色层包括不同材料的两个子层，并且所述至少一个平面化层被定位在所述两个子层之间。
20.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述第一电致变色层包括不同材料的两个子层，并且所述至少一个平面化层被定位在所述两个子层之间。
21.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述离子导体层包括不同材料的两个子层，并且所述至少一个平面化层被定位在所述两个子层之间。
22.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述上透明导体层包括不同材料的两个子层，并且所述至少一个平面化层被定位在所述两个子层之间。
23.根据权利要求16所述的电致变色装置，其中所述下透明导体层包括不同材料的两个子层，并且所述至少一个平面化层被定位在所述两个子层之间。
24.根据权利要求2所述的电致变色装置，进一步包括位于所述上透明导体层的上表面上的抗反射层，其中所述抗反射层包括至少一个子层。
25.根据以上权利要求中任一项所述的电致变色装置，其中所述至少一个平面化层包括绝缘材料、离子传导材料、电子传导材料或半导体材料。
26.根据以上权利要求中任一项所述的电致变色装置，其中所述平面化层的上表面的表面粗糙度小于所述打底层的上表面粗糙度的50％。
27.一种用于制造根据权利要求2所述的电致变色装置的方法，所述方法包括：
在设置在所述衬底上的所述下透明导体层的上表面上形成所述第一电致变色层；
在所述第一电致变色层的上表面上形成所述离子导体层；
在所述离子导体层的上表面上形成所述第二电致变色层；以及
在所述第二电致变色层的上表面上形成所述上透明导体层，
其中所述至少一个平面化层是由选自下组中的至少一种技术形成的，该组由以下各项组成：浸涂、旋涂、电泳、溶胶-凝胶涂覆、喷墨印刷、辊涂、喷涂、喷雾热解、静电涂覆、振动筛网涂覆、弯月面涂覆、幕布涂覆、流动涂覆、原子层涂覆、溅射、蒸发或化学气相沉积。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层是以下各项中的至少一项或每一项：
所述下透明导体层；
所述第一电致变色层；
所述离子导体层；
所述第二电致变色层；以及
所述上透明导体层。
29.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层被定位在以下各项中的至少一项或每一项上：
所述衬底的上表面，并且在所述下透明导体层的下方；
所述下透明导体层的上表面，并且在所述第一电致变色层的下方；
所述第一电致变色层的上表面，并且在所述离子导体层的下方；
所述离子导体层的上表面，并且在所述第二电致变色层的下方；
所述第二电致变色层的上表面，并且在所述上透明导体层的下方；以及
所述上透明导体层的上表面。
30.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层被定位在所述离子导体层的上表面上。
31.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层被定位在所述第二电致变色层的上表面上。
32.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层被定位在所述离子导体层的上表面和所述第二电致变色层的上表面上。
33.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层被定位在所述下透明导体层的上表面上。
34.根据权利要求27所述的方法，其中所述至少一个平面化层被定位在所述第一电致变色层的上表面上。
35.根据权利要求27所述的方法，其中所述上表面粗糙度被定义为：(a)多个峰谷高度的绝对值的算术平均值；(b)多个峰谷高度的均方根；或(c)最大峰谷高度。
36.根据权利要求35所述的方法，其中所述上表面粗糙度为从1nm至300nm。
37.根据权利要求27所述的方法，其中与所述至少一个平面化层的下表面接触的所述打底层的上表面粗糙度大于50nm，并且所述至少一个平面化层的上表面粗糙度为50nm或更小。
38.根据权利要求27所述的方法，进一步包括位于所述上透明导体层的上表面上的抗反射层。
39.根据权利要求27所述的方法，其中所述电致变色装置的所有层都是平面化层。
40.根据权利要求27-39中任一项所述的方法，其中所述至少一个平面化层包括绝缘材料、离子传导材料、电子传导材料或半导体材料。
41.根据权利要求27-39中任一项所述的方法，其中所述平面化层的上表面的表面粗糙度小于所述打底层的上表面粗糙度的50％。