液晶显示装置的制作方法

本申请要求于2016年6月17日提交的第10-2016-0075596号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

本发明的示例性实施例涉及一种液晶显示(lcd)装置。

背景技术：

液晶显示(lcd)装置是常用显示装置中的一种。lcd装置通常包括两个基底和设置在两个基底之间的液晶层，其中，诸如像素电极和共电极的场产生电极形成在两个基底上。lcd装置以这样的方式显示图像：电压分别施加到场产生电极以横跨液晶层产生电场，并且液晶层中包括的液晶分子在电场的作用下来取向以便控制入射光的偏振。

在各种类型的lcd装置之中，正在开发在不施加电场时液晶分子的长轴与上基底和下基底垂直地取向的垂直取向(va)模式的lcd。

技术实现要素：

液晶显示(lcd)装置包括多个像素，每个像素是用于独立地控制光透射的最小单元。像素电极设置在每个像素中。然而，在像素电极连接到用于控制像素的元件的区域处电场可能不稳定。结果，会减弱通过像素电极对液晶分子的控制。

因此，期望一种在增强对液晶分子的控制的同时抑制像素中的电场变得不稳定的结构。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种液晶显示装置。液晶显示装置包括基底、设置在基底上的薄膜晶体管(tft)、设置在tft上的绝缘膜、设置在绝缘膜上的像素电极、与像素电极设置在同一层中的扩展电极、与像素电极设置在同一层中并且使像素电极与扩展电极连接的连接电极，以及与像素电极设置在同一层中并且与像素电极、连接电极和扩展电极分开的屏蔽电极，其中，扩展电极经由限定在绝缘膜中的接触孔电连接到tft，其中，屏蔽电极包括在平面图中设置在像素电极与接触孔之间的第一屏蔽部分以及除了第一屏蔽部分之外的第二屏蔽部分。

根据本发明的另一示例性实施例，提供了一种液晶显示装置。液晶显示装置包括基底、设置在基底上的tft、设置在tft上的像素电极、与像素电极设置在同一层中并连接到tft的扩展电极、与像素电极设置在同一层中并且使像素电极与扩展电极连接的连接电极，以及与像素电极设置在同一层中并且与像素电极、连接电极和扩展电极分开的屏蔽电极，其中，屏蔽电极包括设置在像素电极与扩展电极之间的第一屏蔽部分以及除了第一屏蔽部分之外的第二屏蔽部分。

本发明的示例性实施例提供了一种抑制电场变得不稳定的lcd装置。

本发明的示例性实施例也提供了一种增强通过像素电极对液晶分子的控制的lcd装置。

本发明的这些和其它示例性实施例和优点在所附的具体实施方式和权利要求书的查阅时对本领域的普通技术人员而言将是十分明显的。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种抑制电场变得不稳定的lcd装置。

另外，根据本发明的示例性实施例，提供了一种增强对液晶分子的控制的lcd装置。

应当注意的是，本发明的效果不限于上面描述的这些，并且通过下面的描述，本发明的其它效果对于本领域技术人员来说将变得明显。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它示例性实施例和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明的液晶显示(lcd)装置的示例性实施例中的单个像素的平面图；

图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图；

图3是沿图1的线ii-ii'截取的剖视图；

图4是根据本发明的lcd装置的单个像素的示例性实施例的平面图；

图5是根据本发明的lcd装置的单个像素的示例性实施例的平面图；

图6是根据本发明的lcd装置的单个像素的示例性实施例的平面图；

图7是根据本发明的lcd装置的单个像素的示例性实施例的平面图；

图8是根据本发明的lcd装置的单个像素的示例性实施例的平面图；以及

图9是沿图8的线iii-iii'截取的剖视图。

具体实施方式

现在，将在下文参照其中示出了本发明的示例性实施例的附图来更充分地描述本发明。然而，该发明可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为受限于这里阐述的实施例。相反，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达本发明的范围。在整个说明书中相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为了清晰起见夸大了层和区域的厚度。

将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被命名为第二元件。

这里使用的术语仅是出于描述具体实施例的目的，并不意图进行限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种、者)”和“所述(该)”意图包括复数形式，复数形式包括“至少一个(种)”。“或”是指“和/或”。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

出于易于描述的目的，在这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述语。

将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。

这里使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并意味着：考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语(诸如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的环境和本发明中的意思一致的意思，而将不以理想的或过于形式化的含义来解释。

这里参照作为理想实施例的示意性图示的剖面图示来描述示例性实施例。这样，出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化将是预期的。因此，这里所描述的实施例不应该被理解为受限于如这里示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造导致的形状上的偏差。在示例性实施例中，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。而且，示出的尖角可以是倒圆的。因此，附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制权利要求的范围。

在本发明中，电子设备可以是设置有显示装置的任意设备。电子设备的示例可以包括智能电话、移动电话、导航仪、游戏机、tv、车头单元、笔记本计算机、膝上型计算机、平板电脑、个人媒体播放器(pmp)和个人数字助理(pda)。电子设备可以被实现为具有无线通信功能的袖珍型便携式通信终端。此外，显示装置可以是形状可变的柔性显示装置。

在下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施例。

图1是根据本发明的示例性实施例的lcd装置中的单个像素的平面图。图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图。

参照图1至图2，根据本发明的示例性实施例的lcd装置包括第一显示基底100、第二显示基底300和液晶层200。lcd装置还可以包括设置在第一显示基底100的外表面和第二显示基底300的外表面上的一对偏光器(未示出)。

在第一显示基底100中，设置用于驱动液晶层200中的液晶分子210的开关元件(例如，薄膜晶体管(tft)167)。第二显示基底300面对第一显示基底100。

液晶层200置于在第一显示基底100与第二显示基底300之间，并可以包括具有介电各向异性的液晶分子210。当横跨第一显示基底100和第二显示基底300施加电场时，液晶分子210在第一显示基底100与第二显示基底300之间沿预定的方向倾斜从而透射或阻挡光。这里，术语“旋转”不仅可以指液晶分子210的实际旋转，而且可以指在电场的作用下液晶分子210的取向的改变。

lcd装置包括布置成矩阵的多个像素10。可以单独地控制像素10的灰阶。每个像素10可以作为用于产生预定颜色的单元。每个像素10包括有效区11，在有效区11中来自第一显示基底100的底部的入射光朝向第二显示基底300的顶部透射，使得实际上显示颜色。

在下文中，将描述第一显示基底100。

第一显示基底100包括第一基础基底110。第一基础基底110可以是透明绝缘基底。在示例性实施例中，例如，第一基础基底110可以是玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。

在示例性实施例中，第一基础基底110可以在一个方向上弯曲。在一些其它实施例中，第一基础基底110可以具有柔性。即，第一基础基底110可以是可变形的，使得它可以卷曲、折叠、弯折等。

栅极线122和栅电极124设置在第一基础基底110上。

栅极线122传送用于控制tft167的栅极信号。栅极线122可以在第一方向d1上延伸。

如这里使用的，第一方向d1指在设置有第一基础基底110的平面中与第一基础基底110的一侧平行地延伸的方向。如图1中示出的，第一方向d1可以被定义为由从左侧延伸到右侧的直线所指示的方向。然而，第一方向d1不限于平行于第一基础基底110的一侧。第一方向d1可以是由在第一基础基底110上的方向上延伸的任意直线指示的方向。

栅极信号可以具有从外部源提供的变化的电压值，tft167可以响应于栅极信号的电压值而导通/截止。

栅电极124可以从栅极线122突出并且可以物理地连接到栅极线122。栅电极124可以是将稍后描述的tft167的元件中的一个。

栅极线122和栅电极124可以包括相同的材料。在示例性实施例中，例如，栅极线122和栅电极124可以包括诸如铝(al)和铝合金的铝基金属、诸如银(ag)和银合金的银基金属、诸如铜(cu)和铜合金的铜基金属、诸如钼(mo)和钼合金的钼基金属、铬(cr)、钽(ta)和钛(ti)。栅极线122和栅电极124可以具有单层结构。在可选择的示例性实施例中，栅极线122和栅电极124可以具有包括物理性质不同的至少两个导电膜的多层结构。

第一绝缘膜130设置在栅极线122和栅电极124上。在示例性实施例中，第一绝缘膜130可以包括例如氮化硅或氧化硅的绝缘材料。第一绝缘膜130可以具有单层结构或者可以具有包括物理性质不同的两个绝缘层的多层结构。

半导体层140设置在第一绝缘膜130上。半导体层140可以与栅电极124的至少一部分叠置。在示例性实施例中，例如，半导体层140可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

半导体层140可以与稍后描述的数据线162、源电极165和漏电极166以及栅电极124叠置。

尽管附图中未示出，但在示例性实施例中，欧姆接触元件可以附加地设置在半导体层140上。在示例性实施例中，例如，欧姆接触元件可以包括高度掺杂有n型杂质的n+氢化非晶硅，或者可以包括硅化物。一对欧姆接触元件可以设置在半导体层140上。欧姆接触元件可以设置在源电极165与半导体层140之间以及漏电极166与半导体层140之间，从而上述元件具有欧姆接触性质。当半导体层140包括氧化物半导体时，可以省略欧姆接触元件。

在半导体层140和第一绝缘膜130上，设置了数据线162、源电极165和漏电极166。

数据线162可以在第二方向d2上延伸为与栅极线122相交。

这里，第二方向d2可以是在设置有第一基础基底110的平面中与第一方向d1相交的方向。如图1中示出的，在平面图中，第二方向d2可以是由从上侧延伸到下侧的直线指示的方向。在示例性实施例中，第一方向d1可以垂直于第二方向d2。

数据线162可以通过第一绝缘膜130与栅极线122和栅电极124绝缘。

数据线162可以向源电极165提供数据信号。数据信号可以具有从外部源提供的变化的电压值，可以响应于数据信号来控制每个像素10的灰阶。源电极165可以从数据线162分支，并且可以与栅电极124的至少一部分叠置。

在图1中，漏电极166可以利用漏电极166与源电极165之间的半导体层140与源电极165分隔开，并且可以与栅电极124至少部分地叠置。

如图1中示出的，源电极165可以具有c形状，使得源电极165围绕漏电极166并且在漏电极166与源电极165之间具有间隙。然而，这仅是说明性的。在可选择的示例性实施例中，源电极165可以具有棒状形状，使得源电极165可以与漏电极166平行地设置并且在源电极165与漏电极166之间具有间隙。

数据线162、源电极165和漏电极166可以包括相同的材料。在示例性实施例中，例如，数据线162、源电极165和漏电极166可以包括铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或它们的合金。在示例性实施例中，数据线162、源电极165和漏电极166可以具有(但不限于)由诸如难熔金属的下层(未示出)与设置在下层上的低电阻上层(未示出)组成的多层结构。

栅电极124、半导体层140、源电极165和漏电极166形成开关元件，即，tft167。

钝化层171设置在第一绝缘膜130和tft167上。钝化层171可以包括无机绝缘材料，并可以覆盖tft167。钝化层171可以保护tft167，并且可以防止将在下面描述的滤色器层172和平坦化层中包括的材料被引入半导体层140中。

滤色器层172设置在钝化层171上。滤色器层172可以是包括用于再现颜色的颜料的光敏有机组成物，并且可以包括红色颜料、绿色颜料和蓝色颜料中的一种。在示例性实施例中，例如，滤色器层172可以包括多个滤色器。在示例性实施例中，例如，多个滤色器中的每个可以表示包括红色、绿色和蓝色的三原色中的一种。然而，这仅是说明性的。在其它示例性实施例中，多个滤色器中的每个可以是青色、品红色、黄色和白色中的一种。

第二绝缘膜173设置在滤色器层172上。第二绝缘膜173可以包括绝缘材料，并且可以是例如包括有机材料的有机膜。第二绝缘膜173可以在设置于第二绝缘膜173与第一基础基底110之间的具有不同水平面的元件之上提供平坦的表面。换而言之，第二绝缘膜173的上表面可以是基本平坦的。

在钝化层171、滤色器层172和第二绝缘膜173中，接触孔174可以被限定在与第一基础基底110垂直的方向上以暴露tft167的一部分(更具体地，漏电极166的一部分)。接触孔174可以在垂直于第一基础基底110的方向上穿透钝化层171、滤色器层172和第二绝缘膜173。漏电极166的所述一部分可以经由接触孔174物理地且电气地连接到设置在第二绝缘膜173上的元件(例如，将在下面描述的扩展电极183)。

在第二绝缘膜173上，设置了像素电极181、连接电极182、扩展电极183和屏蔽电极184。

像素电极181可以经由连接电极182物理地且电气地连接到扩展电极183。像素电极181可以从漏电极166接收数据信号。

在示例性实施例中，像素电极181可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、掺al的氧化锌(azo)的透明导电材料。

没有设置透明导电材料的开口可以被限定在像素电极181中。通过开口，图案被限定在像素电极181中。可以依据像素电极181的形状和图案来控制像素电极181上方的液晶分子210倾斜的方向和程度。

像素电极181包括第一主干电极181_1、第二主干电极181_2、多个分支电极181_3、第一侧电极181_4、第二侧电极181_5、第三侧电极181_6和第四侧电极181_7。

像素电极181的多个部分可以设置在有效区11中。然而，这仅是说明性的。在本发明的示例性实施例中，像素电极181的多个部分可以设置在有效区11的外部。

第一主干电极181_1在第一方向d1上延伸，第二主干电极181_2在第二方向d2上延伸。第一主干电极181_1和第二主干电极181_2可以彼此相交以形成十字，并且可以在相交处彼此物理地连接。

每个分支电极181_3可以从第一主干电极181_1和第二主干电极181_2在向第一方向d1或第二方向d2倾斜的方向上延伸，即，在与第一方向d1和第二方向d2不平行的倾斜方向上延伸。分支电极181_3可以在由第一主干电极181_1和第二主干电极181_2限定的区域中的每个区域中彼此平行，并且分支电极181_3可以从第一主干电极181_1与第二主干电极181_2之间的相交处延伸。

第一侧电极181_4在第二方向d2上延伸并且连接到第一主干电极181_1的一端。第二侧电极181_5在第二方向d2上延伸并且连接到第一主干电极181_1的另一端。所述另一端指所述一端的相对端。即，在图1中，第一侧电极181_4连接到第一主干电极181_1的左端，第二侧电极181_5连接到第一主干电极181_1的右端。

第三侧电极181_6在第一方向d1上延伸并且连接到第二主干电极181_2的一端。第四侧电极181_7在第一方向d1上延伸并且连接到第二主干电极181_2的另一端。即，在图1中，第三侧电极181_6连接到第二主干电极181_2的上端，第四侧电极181_7连接到第二主干电极181_2的下端。

扩展电极183与像素电极181设置在同一层中，并与像素电极181分隔开。要注意的是，扩展电极183通过连接电极182电气地且物理地连接到像素电极181，并且提供到扩展电极183的信号可以提供到像素电极181。这里，表述“扩展电极183与像素电极181设置在同一层中”意味着在制造工艺期间同时地设置扩展电极183和像素电极181，但是不一定意味着扩展电极183和像素电极181与第一基础基底110等距地分隔开。因此，尽管扩展电极183与第一基础基底110之间的距离和像素电极181与第一基础基底110之间的距离可以在一些区域中彼此不同，但是扩展电极183与第一基础基底110之间的距离可以基本等于像素电极181与第一基础基底110之间的距离。在示例性实施例中，在限定接触孔174的区域中，扩展电极183与第一基础基底110之间的距离可以完全不同于像素电极181与第一基础基底110之间的距离。

扩展电极183和像素电极181可以包括相同的材料。

在平面图中，扩展电极183与接触孔174和漏电极166叠置。扩展电极183可以经由接触孔174物理地且电气地连接到漏电极166。这里，表述“扩展电极物理地连接到漏电极”意味着扩展电极183和漏电极166至少局部地彼此接触。

连接电极182与像素电极181设置在同一层中并且将扩展电极183与像素电极181连接。具体地，连接电极182从第四侧电极181_7延伸并与扩展电极183接触。

在示例性实施例中，与连接电极182延伸所沿的方向垂直的宽度w1可以小于扩展电极183的宽度w2的最小值。即，存在像素电极181与扩展电极183之间没有设置连接电极182的区域。由于连接电极182的这样的结构，使得将在下面描述的屏蔽电极184可以设置在像素电极181与扩展电极183之间。

连接电极182和像素电极181可以包括相同的材料。

因为连接电极182将扩展电极183与像素电极181连接，所以从漏电极166提供到扩展电极183的数据信号可以经由连接电极182传送到像素电极181。

屏蔽电极184和像素电极181可以设置在同一层中。屏蔽电极184与像素电极181、连接电极182和扩展电极183分隔开，使得屏蔽电极184不与像素电极181、连接电极182和扩展电极183接触或叠置。屏蔽电极184既不物理地连接到也不电气地连接到像素电极181、连接电极182和扩展电极183。因此，提供到像素电极181、连接电极182和扩展电极183的数据信号不提供到屏蔽电极184。

在示例性实施例中，屏蔽电极184可以包括诸如ito、izo、itzo和azo的透明导电材料，并且可以包括与像素电极181的材料相同的材料。

屏蔽电极184包括设置在像素电极181与扩展电极183之间的第一屏蔽部分184_1以及作为屏蔽电极184的其余部分的第二屏蔽部分184_2。

第一屏蔽部分184_1可以防止像素电极181和扩展电极183彼此干扰。具体地，第一屏蔽部分184_1可以将由像素电极181产生的电场与由扩展电极183产生的电场清楚地分离开。因此，能够抑制像素电极181与扩展电极183之间的电场变得不稳定，并且能够增强通过像素电极181对液晶分子210的控制。下面将对其进行详细的描述。

第二屏蔽部分184_2是除了第一屏蔽部分184_1之外的部分，并且与有效区11之外的除了连接电极182、扩展电极183和第一屏蔽部分184_1之外的区域叠置。将理解的是，第二屏蔽部分184_2可以不必与有效区11之外的除了连接电极182、扩展电极183和第一屏蔽部分184_1之外的全部区域叠置，而是可以排除它们中的一些。

在示例性实施例中，第二屏蔽部分184_2可以与数据线162叠置。因为数据信号提供到数据线162，所以设置在数据线162上方的液晶分子210可能受影响。出于这个原因，第二屏蔽部分184_2设置为防止上述特征。

第一屏蔽部分184_1可以从第二屏蔽部分184_2突出。在示例性实施例中，在图1中，例如，第一屏蔽部分184_1可以从设置在扩展电极183的右上侧上的第二屏蔽部分184_2朝向连接电极182向左突出。对此，第一屏蔽部分184_1从第二屏蔽部分184_2突出的距离dt1可以等于或大于扩展电极183的宽度w2的大约50％，其中，扩展电极183的宽度w2是在与第一屏蔽部分184_1从第二屏蔽部分184_2突出所沿的方向平行的方向上测量的。在图1中，第一屏蔽部分184_1从第二屏蔽部分184_2突出所沿的方向可以平行于第一方向d1。当距离dt1等于或大于扩展电极183的宽度w2的大约50％时，能够有效地防止像素电极181和扩展电极183彼此干扰。因此，能够抑制像素电极181与扩展电极183之间的电场变得不稳定，并能够增强通过像素电极181对液晶分子210的控制。

在示例性实施例中，第一屏蔽部分184_1从第二屏蔽部分184_2突出的距离dt1可以小于扩展电极183的宽度w2，其中，扩展电极183的宽度w2是在与第一屏蔽部分184_1从第二屏蔽部分184_2突出所沿的方向平行的方向上测量的。因此，可以存在设置连接电极182的充足的空间。然而，在本发明的其中像素电极181不经由最短路径而是经由旁路路径来连接到扩展电极183的示例性实施例中，可能应用不了上述特征。

第一取向膜(未示出)可以附加地设置在像素电极181、连接电极182、扩展电极183和屏蔽电极184上。第一取向膜可以控制注入到液晶层200中的液晶分子210的初始方位角。

随后，将描述第二显示基底300。

第二显示基底300包括第二基础基底310、光阻挡元件320、覆层330和共电极340。

第二基础基底310可以设置为使得第二基础基底310面对第一基础基底110。第二基础基底310可以具有耐受外部冲击的耐久性。第二基础基底310可以是透明绝缘基底。在示例性实施例中，例如，第二基础基底310可以是玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。第二基础基底310可以是平板或在预定方向上的弯曲板。

光阻挡元件320可以设置在第二基础基底310的面对第一显示基底100的表面上。光阻挡元件320可以与栅极线122、数据线162、tft167和接触孔174叠置，即，光阻挡元件320与除了有效区11之外的区域叠置，从而阻挡在除了有效区11之外的区域中的光透射。然而，这仅是说明性的。在本发明的示例性实施例中，光阻挡元件320可以设置在有效区11之外的除了数据线162的与像素电极181相邻的一些区域以外的区域中。在这种情况下，数据线162的没有被光阻挡元件320叠置的一些区域可以被屏蔽电极184叠置，从而可以阻挡光的透射。

覆层330设置在光阻挡元件320的面对第一显示基底100的表面上。覆层330可以减小由光阻挡元件320造成的水平面差异。在另一示例性实施例中，可以省略覆层330。

共电极340设置在覆层330的面对第一显示基底100的表面上。

在示例性实施例中，共电极340可以包括诸如ito、izo、itzo和azo的透明导电材料。

共电极340可以遍及第二基础基底310的整个表面设置为一块板。共电极340可以从外部源接收公共信号，并可以与像素电极181一起横跨液晶层200形成电场。

公共信号可以由外部源提供，公共信号的电压电平可以在驱动lcd装置时保持恒定。因此，由于提供到像素电极181的数据信号与提供到共电极340的公共信号的电压值之间的差，可以在彼此叠置的像素电极181与共电极340之间产生电场。液晶分子210可以在电场的作用下旋转或倾斜。

在本发明的示例性实施例中，与公共信号具有基本相同电平的电压可以提供到屏蔽电极184。因此，在驱动lcd装置的同时，不会在彼此叠置的屏蔽电极184与共电极340之间产生电场。这是因为将具有相同电压值的信号提供到屏蔽电极184和共电极340，从而没有造成电势差。因此，设置在彼此叠置的屏蔽电极184与共电极340之间的液晶分子210不会发生旋转或倾斜，使得液晶分子210保持在如同lcd装置断电时一样。在示例性实施例中，例如，可以阻挡光的透射。

在示例性实施例中，第二取向膜(未示出)可以设置在共电极340的面对第一显示基底100的表面上。与第一取向膜类似，第二取向膜可以控制注入到液晶层200中的液晶分子210的初始方位角。

在下文中，将描述液晶层200。

液晶层200可以包括具有介电各向异性和折射各向异性的液晶分子210。当不施加电场时，液晶分子210可以相对于第一显示基底100和第二显示基底300竖直地取向。当在第一显示基底100与第二显示基底300之间产生电场时，液晶分子210在第一显示基底100与第二显示基底300之间沿预定的方向旋转或倾斜，从而改变光的偏振。

在下文中，将描述通过设置第一屏蔽部分184_1而获得的效果。

图3是沿图1的线ii-ii'截取的剖视图。

在图3中示出的液晶层200中，用虚线来描绘等势线。液晶层200中限定的电场的方向可以垂直于等势线的切线。

参照图3，在设置有像素电极181(参照图1)的区域a中，等势线被设置为总体上平行于像素电极181。可以沿着与等势线的切线垂直的方向产生电场。随着每条表示不同电势的等势线越靠近彼此，电场的强度变得越强。因此，忽略在相邻的液晶分子210倾斜使得它物理地影响液晶分子210时施加到液晶分子210的力，设置在像素电极181上方的液晶分子210倾斜的方向可以不具有预定的方向性。

在第一屏蔽部分184_1与像素电极181之间的区域b中，可以产生电场使得它可以指向图3的左边或右边。因此，设置在区域b中的液晶分子210可以向右倾斜。因为设置在区域b中的液晶分子210向右倾斜，所以会影响依次设置在a区域中的液晶分子210使得它们向右倾斜。因此，通过设置第一屏蔽部分184_1，能够抑制区域a、区域b和区域c中的电场变得不稳定，并且能够增强通过像素电极181对区域b和区域c中的液晶分子210的控制。在示例性实施例中，因为增强了通过像素电极181对液晶分子210的控制，所以可以改善用于校正液晶分子210的误取向的液晶分子210的回弹性。在示例性实施例中，也可以改善lcd装置的响应速度。

附带地，因为施加到第一屏蔽部分184_1的电压的电平基本等于施加到共电极340的公共信号的电压的电平，所以在叠置有第一屏蔽部分184_1的区域c中不会产生电场。因此，在区域c中，光的透射可以被液晶分子210阻挡，因此可以防止光泄漏。

图4是根据本发明的示例性实施例的lcd装置的单个像素的平面图。

参照图4，根据示例性实施例的lcd装置的像素10a可以包括数据线162、栅极线122、tft167、接触孔174、像素电极181a、连接电极182a、扩展电极183和屏蔽电极184。

像素10a与上面参照图1和图2描述的像素10的不同之处在于像素电极181a的结构不同于图1的像素电极181的结构，具体地，像素电极181a不包括第四侧电极181_7。因此，将着重对不同之处进行描述，并将省略重复的描述。

根据示例性实施例，像素电极181a包括第一主干电极181_1、第二主干电极181_2、分支电极181_3、第一侧电极181_4、第二侧电极181_5和第三侧电极181_6。连接电极182a将扩展电极183与像素电极181a连接。要注意的是，与图1中示出的实施例不同，连接电极182a可以直接连接到第二主干电极181_2。如上面描述的，通过在扩展电极183与像素电极181a之间的区域中设置第一屏蔽部分184_1，增强了对液晶分子210(参照图2和图3)的控制。因此，即使没有图1中示出的像素电极181的第四侧电极181_7，也使液晶分子210受到控制。

其它元件与上面参照图1和图2描述的其它元件基本相同，因此，将不对它们进行描述。

图5是根据本发明的示例性实施例的lcd装置的单个像素的平面图。

参照图5，根据示例性实施例的lcd装置的像素10b可以包括数据线162、栅极线122、tft167、接触孔174、像素电极181a、连接电极182b、扩展电极183和屏蔽电极184b。

像素10b与上面参照图4描述的像素10a的不同之处在于：第一屏蔽部分184_1b和连接电极182b的结构不同于图4的第一屏蔽部分184_1和连接电极182a的结构；连接电极182b连接到像素电极181a的分支电极181_3；第一屏蔽部分184_1b被划分成两个部分。因此，将着重对不同之处进行描述，并将省略重复的描述。

根据示例性实施例，连接电极182b连接到分支电极181_3的端部。即，连接电极182b不需要设置在竖直地等分像素电极181a的中心线上。因此，在图5中，分别在连接电极182b的左侧和右侧上可以存在设置在扩展电极183与像素电极181a之间的区域。

第一屏蔽部分184_1b包括均可从第二屏蔽部分184_2b突出的第一子屏蔽部分184_11b和第二子屏蔽部分184_12b。具体地，在图5中，第一子屏蔽部分184_11b从设置在连接电极182b的左侧上的第二屏蔽部分184_2b突出，第二子屏蔽部分184_12b从设置在连接电极182b的右侧上的第二屏蔽部分184_2b突出。因此，即使当连接电极182b的位置改变时，也能够通过改变第一屏蔽部分184_1b的位置和结构来防止像素电极181a和扩展电极183彼此干扰。结果，增强了通过像素电极181a对液晶分子210(参照图2和图3)的控制。

其它元件与上面参照图1、图2和图4描述的其它元件基本相同，因此，将不对它们进行描述。

图6是根据本发明的示例性实施例的lcd装置的单个像素的平面图。

参照图6，根据示例性实施例的lcd装置的像素10c可以包括数据线162、栅极线122、tft167、接触孔174、像素电极181c、连接电极182a、扩展电极183和屏蔽电极184c。

像素10c与上面参照图4描述的像素10a的不同之处在于：有效区11c的形状不同于图4的有效区11的形状；第一侧电极181_4c和第二侧电极181_5c的结构不同；第二屏蔽部分184_2c的结构不同。因此，将着重对不同之处进行描述，并将省略重复的描述。

在示例性实施例中，第一侧电极181_4c和第二侧电极181_5c中的每个可以包括在第一方向d1上具有不同宽度的部分。具体地，在图6中，第一侧电极181_4c和第二侧电极181_5c中的每个的下端的宽度w3和w4在第一方向d1上大幅地变得较小，从而提供倒角部分。即，沿着图6中越下部的方向，第一侧电极181_4c的左侧越靠近它的右侧，第二侧电极181_5c的右侧越靠近它的左侧。因此，有效区11c可以呈多边形形状，即，具有被斜切两个下角的矩形形状。即，第一侧电极181_4c的与第一侧电极181_4c延伸所沿的方向垂直的端部的宽度w3和第二侧电极181_5c的与第二侧电极181_5c延伸所沿的方向垂直的端部的宽度w4可以大幅地变得较小。

在示例性实施例中，有效区11c的斜切掉的部分可以被第二屏蔽部分184_2c叠置。因此，第二屏蔽部分184_2c可以与第一侧电极181_4c的端部和第二侧电极181_5c的端部共形。即，第二屏蔽部分184_2c的与第一侧电极181_4c相邻的外侧可以平行于第一侧电极181_4c的外侧，第二屏蔽部分184_2c的与第二侧电极181_5c相邻的外侧可以分别平行于第二侧电极181_5c的外侧。

因为像素电极181c具有第一侧电极181_4c和第二侧电极181_5c中的每个的上述下端并且屏蔽电极184c具有上述的第二屏蔽部分184_2c，所以进一步改善了对液晶分子210的控制以及lcd装置的液晶分子210的回弹性。这是因为靠近第一侧电极181_4c的端部和第二侧电极181_5c的端部产生的电场指向像素电极181c的中心，而不是在第一方向d1或第二方向d2上，其中，在像素电极181c的中心处第一主干电极181_1和第二主干电极181_2彼此相交。

其它元件与上面参照图1、图2和图4描述的其它元件基本相同，因此，将不对它们进行描述。

图7是根据本发明的示例性实施例的lcd装置的单个像素的平面图。

参照图7，根据示例性实施例的lcd装置的像素10d可以包括数据线162、栅极线122、tft167、接触孔174、像素电极181d、连接电极182a、扩展电极183和屏蔽电极184d。

像素10d与上面参照图6描述的像素10c的不同之处在于：有效区11d的形状不同于图6的有效区11c的形状；第一侧电极181_4d和第二侧电极181_5d的结构不同于图6的第一侧电极181_4c和第二侧电极181_5c的结构；还包括第三屏蔽部分184_3d。因此，将着重对不同之处进行描述，并将省略重复的描述。

在示例性实施例中，第一侧电极181_4d和第二侧电极181_5d中的每个的两端的宽度w5至w8可以变得较小。即，在图7中，第一侧电极181_4d和第二侧电极181_5d中的每个的上端和下端两者的宽度w5至w8可以大幅地变得较小。因此，有效区11d可以呈多边形形状，即，具有被斜切的两个下角和被斜切的两个上角的矩形形状。

有效区11d的下部被切掉的部分可以被第二屏蔽部分184_2c叠置。参照图6进行的描述可以等同地应用于此。有效区11d的上部被切掉的部分可以被第三屏蔽部分184_3d叠置。

第三屏蔽部分184_3d可以包括第三子屏蔽部分184_31d和第四子屏蔽部分184_32d。第三子屏蔽部分184_31d可以设置在随着第一侧电极181_4d的上端的宽度w7变得较小而提供的区域中。第四子屏蔽部分184_32d可以设置在随着第二侧电极181_5d的上端的宽度w8变得较小而提供的区域中。具体地，在图7中，第三子屏蔽部分184_31d可以从与第一侧电极181_4d的上端相邻的第二屏蔽部分184_2c向右突出，第四子屏蔽部分184_32d可以从与第二侧电极181_5d的上端相邻的第二屏蔽部分184_2c向左突出。第三子屏蔽部分184_31d可以与第一侧电极181_4d的上端共形，并且第四子屏蔽部分184_32d可以与第二侧电极181_5d的上端共形。

图8是根据本发明的示例性实施例的lcd装置的单个像素10e的平面图。图9是沿图8的线iii-iii'截取的剖视图。

参照图8和图9，根据本发明的示例性实施例的lcd装置可以包括第一显示基底100、浮凸图案(embossedpattern)190e、第二显示基底300和置于第一显示基底100与第二显示基底300之间的液晶层200。

根据图8和图9的示例性实施例的lcd装置与上面参照图1和图3描述的lcd装置的不同之处在于图8和图9的lcd装置还包括浮凸图案190e。因此，将着重对不同之处进行描述，并将省略重复的描述。

浮凸图案190e可以围绕有效区11的外围，并且可以设置在连接电极182和屏蔽电极184上。即，浮凸图案190e可以与第一侧电极181_4、第二侧电极181_5、第三侧电极181_6和第四侧电极181_7中的每个的外侧分隔开，使得浮凸图案190e围绕像素电极181。

浮凸图案190e的上表面可以是轻缓地弯曲的形状，并且可以造成其上的液晶分子210向与浮凸图案190e的上表面接触的平面垂直的方向倾斜。因此，在图9中，液晶分子210可以在第四侧电极181_7与第一屏蔽部分184_1之间的区域d中向右倾斜。结果，增强了通过像素电极181对液晶分子210的控制，并改善了液晶分子210的回弹性。

本发明的效果不受上述的限制，并且其它各种效果在此是预期的。

在总结详细的描述中，本领域技术人员将领会的是，在基本不脱离本发明的原理的情况下，可以对示例性实施例进行许多变化和修改。因此，本发明的所公开的示例性实施例仅以通用的和描述性的意义使用，而不是出于限制的目的使用。