本发明涉及电子照相感光体、处理盒及图像形成装置。
背景技术：
：电子照相感光体作为像承载体用于电子照相方式的图像形成装置(例如，打印装置及多功能一体机)。电子照相感光体具备感光层。电子照相感光体例如是单层型电子照相感光体及层叠型电子照相感光体。单层型电子照相感光体具备：具有电荷产生功能和电荷传输功能的感光层。层叠型电子照相感光体具备的感光层包含：具有电荷产生功能的电荷产生层、及具有电荷输送功能的电荷输送层。一种电子照相感光体的感光层含有基于特定结构的二元羧酸成分及二价苯酚成分获得的聚芳酯树脂。技术实现要素：然而，上述电子照相感光体的抗灰雾性却不充分。本发明鉴于上述技术问题，目的在于提供一种具备抗灰雾性优异的感光层的电子照相感光体。并且，本发明的另一目的在于提供一种抑制图像不良产生的处理盒及图像形成装置。本发明的电子照相感光体具备导电性基体和感光层。所述感光层是单层，并包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂。所述粘结树脂包含聚芳酯树脂。所述聚芳酯树脂具有主链、以及结合于所述主链末端的末端基。所述主链包含由下述通式(1)表示的重复单元。所述末端基由下述通式(2)表示。所述空穴输送剂包含由下述通式(HTM1)、通式(HTM2)、通式(HTM3)、通式(HTM4)、通式(HTM5)、通式(HTM6)或通式(HTM7)表示的化合物。所述感光层的耐划深度为0.50μm以下。所述感光层的维氏硬度为18.0HV以上。【化1】所述通式(1)中，Q1、Q2、Q3、Q4、Q7、Q8、Q9及Q10各自独立，表示甲基或氢原子。Q5、Q6、Q11及Q12各自独立，表示C1-C4烷基或氢原子。Q5及Q6可以彼此结合，表示C5-C7亚环烷基(cycloalkylidene)。Q11及Q12可以彼此结合，表示C5-C7亚环烷基。r、s、t及u各自独立，表示0以上的数。r+s+t+u＝100。r+t＝s+u。r/(r+t)为0.00以上0.90以下。s/(s+u)为0.00以上0.90以下。X及Y各自独立，且是由下述化学式(1A)、(1B)、(1C)、(1D)或(1E)表示的二价基。【化2】【化3】-O-Rf(2)所述通式(2)中，Rf表示具有氟基的链状脂肪族基。【化4】所述通式(HTM1)中，R1、R2、R3及R4各自独立，表示C1-C6烷基。a1、a2、a3及a4各自独立，表示0以上5以下的整数。a1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R1可以相同也可以不同。a2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R2可以相同也可以不同。a3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R3可以相同也可以不同。a4表示2以上5以下整数的情况下，若干个R4可以相同也可以不同。【化5】所述通式(HTM2)中，R5、R6、R7及R8各自独立，表示C1-C6烷基或氢原子。【化6】所述通式(HTM3)中，R9、R10、R11及R12各自独立，表示C1-C6烷基。b1、b2、b3及b4各自独立，表示0以上5以下的整数。b1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R9可以相同也可以不同。b2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R10可以相同也可以不同。b3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R11可以相同也可以不同。b4表示2以上5以下整数的情况下，若干个R12可以相同也可以不同。【化7】所述通式(HTM4)中，R13、R14、R15及R16各自独立，表示C1-C6烷基。c1、c2、c3及c4各自独立，表示0以上5以下的整数。c1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R13可以相同也可以不同。c2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R14可以相同也可以不同。c3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R15可以相同也可以不同。c4表示2以上5以下整数的情况下，若干个R16可以相同也可以不同。【化8】所述通式(HTM5)中，R17、R18、R19、R20及R21各自独立，表示C1-C6烷基或氢原子。【化9】所述通式(HTM6)中，R22、R23及R24各自独立，表示C1-C6烷基。d1、d2及d3各自独立，表示0以上5以下的整数。d1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R22可以相同也可以不同。d2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R23可以相同也可以不同。d3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R24可以相同也可以不同。R25表示C1-C6烷基或氢原子。【化10】所述通式(HTM7)中，R26、R27及R28各自独立，表示C1-C6烷基。e1、e2及e3各自独立，表示0以上5以下的整数。e1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R26可以相同也可以不同。e2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R27可以相同也可以不同。e3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R28可以相同也可以不同。R29、R30及R31各自独立，表示C6-C14芳基或氢原子。本发明的处理盒具备上述的电子照相感光体。本发明的图像形成装置具备：像承载体、带电部、曝光部、显影部及转印部。所述像承载体是上述的电子照相感光体。所述带电部使所述像承载体的表面带电。所述带电部的带电极性为正极性。所述曝光部使带电了的所述像承载体的所述表面曝光，来在所述像承载体的所述表面形成静电潜像。所述显影部将所述静电潜像显影为调色剂像。所述转印部在所述像承载体的所述表面与被转印体接触的同时，使所述调色剂像从所述像承载体转印至所述被转印体。本发明的电子照相感光体的抗灰雾性优异。此外，本发明的处理盒及图像形成装置能够抑制图像不良的产生。附图说明图1是本发明第一实施方式所涉及的电子照相感光体的结构的一例的部分剖视图。图2是本发明第一实施方式所涉及的电子照相感光体的结构的一例的部分剖视图。图3是本发明第一实施方式所涉及的电子照相感光体的结构的一例的部分剖视图。图4表示本发明第二实施方式所涉及的图像形成装置的一例。图5表示刻痕装置的结构的一例。图6是图5的IV-IV线的剖视图。图7是图5所示的固定台、划痕针及电子照相感光体的侧视图。图8表示形成于感光层的表面的划痕。具体实施方式以下，对本发明的实施方式进行详细说明，但本发明不受以下实施方式的任何限定，在本发明的目的范围内，可以适当变更后再进行实施。并且，存在适当地省略了重复说明之处的情况，但并不因此限定发明的要旨。此外，本说明书中，有时在化合物名称之后加上“类”来统称该化合物及其衍生物。在化合物名称之后加上“类”来表示聚合物名称的情况下，表示聚合物的重复单元源自该化合物或者其衍生物。以下，C1-C6烷基、C1-C4烷基、C5-C7亚环烷基、C6-C14芳基及链状脂肪族基分别表示下述含义。C1-C6烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。C1-C6烷基例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基及己基。C1-C4烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。C1-C4烷基例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基及叔丁基。C5-C7亚环烷基(cycloalkylidene)是无取代的。C5-C7亚环烷基例如：亚环戊基(cyclopentylidene)、亚环己基(cyclohexylidene)及亚环庚基(cycloheptylidene)。C6-C14芳基是无取代的。C6-C14芳基例如：C6-C14无取代的芳香族单环烃基、C6-C14无取代的芳香族缩合双环烃基、及C6-C14无取代的芳香族缩合三环烃基。更具体地，C6-C14芳基例如：苯基、萘基、蒽基及菲基。链状脂肪族基是指没有芳香性的有机基团中、直链状或者支链状的有机基团。此外，下述说明中，“聚芳酯树脂的主链”是指聚芳酯树脂中由重复单元构成的链中最长的链。“具有氟基”是指有机基团的氢原子的一部分或全部由氟基取代。<第一实施方式：电子照相感光体>对本发明的第一实施方式所涉及的电子照相感光体(以下，有时记载为感光体)的结构进行说明。图1、图2及图3表示第一实施方式的一例，即，感光体1的结构的部分剖视图。如图1所示，感光体1具备导电性基体2及感光层3。感光层3是单层。如图1所示，感光层3可以直接设置于导电性基体2上。此外，如图2所示，感光体1例如可以具备：导电性基体2、中间层4(例如底涂层)及感光层3。图2所示的例子中，感光层3隔着中间层4间接地设置于导电性基体2上。此外，如图3所示，感光体1可以具备保护层5来作为最表面层。以下，对感光体1的要素(导电性基体2、感光层3及中间层4)进行说明，并且也对感光体1的制造方法进行说明。[1.导电性基体]导电性基体2只要能够用作感光体1的导电性基体即可，没有特别限制。导电性基体2能够使用至少表面部由导电性材料构成的导电性基体。导电性基体2例如：由具有导电性的材料(导电性材料)构成的导电性基体及由导电性材料包覆的导电性基体。导电性材料例如：铝、铁、铜、锡、铂、银、钒、钼、铬、镉、钛、镍、钯及铟。这些导电性材料可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。两种以上的组合例如合金(更具体地，铝合金、不锈钢、黄铜等)。从电荷由感光层3向导电性基体2移动的良好性方面考虑，这些导电性材料中优选为铝及铝合金。导电性基体2的形状可以根据所使用的图像形成装置的结构来适当地选择。导电性基体2的形状例如：片材状及鼓状。此外，导电性基体2的厚度可以根据导电性基体2的形状，来进行适当地选择。[2.感光层]感光层3含有：电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂。感光层3还可以含有添加剂。感光层3只要能够充分发挥作为感光层的功能，其厚度没有特别限制。具体地，感光层3的厚度可以为5μm以上100μm以下，优选为10μm以上50μm以下。感光层3的维氏硬度通过基于日本工业标准(JapaneseIndustrialStandards，JIS)Z2244的方法来测量。测量维氏硬度使用的是硬度计(例如，MatsuzawaCo.，Ltd制造“显微维氏硬度计DMH-1型”)。维氏硬度的测量可以在下述条件下进行，即，例如温度23℃、金刚石压头的负荷(测试力)10gf、到达测试力所需的时间为5秒、金刚石压头的接近速度2mm/秒及测试力的保持时间为1秒。感光层3的维氏硬度为18.0HV以上，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，优选为18.5HV以上，更优选为19.0HV以上。此外，就感光层3的维氏硬度的上限而言，只要能够发挥感光体1的感光层的功能即可，没有特别限制，从制造成本方面考虑，优选为27.0HV。此外，维氏硬度例如可以通过调整后述的聚芳酯树脂(1)的种类以及后述的空穴输送剂的种类及含量来控制。感光层3的耐划深度(以下，有时记载为划痕深度)是在以下所示的特定条件下对感光层3进行刻划时形成的划痕的深度。划痕深度用JISK5600-5-5所规定的刻痕装置，通过以下所示的第一步骤、第二步骤、第三步骤及第四步骤来测量。刻痕装置具备固定台及划痕针。划痕针的顶端为直径1mm的半球状蓝宝石。第一步骤中，使感光体1以其长边方向与固定台的长边方向平行的方式，固定于固定台的顶面。第二步骤中，使划痕针垂直抵接于感光层3的表面。第三步骤中，一边从划痕针对感光层3施加10g的负荷，一边使固定台及固定于固定台的顶面的感光体1在固定台的长边方向上以30mm/分的速度移动30mm。通过第三步骤，在感光层3的表面形成划痕。第四步骤中，测量划痕的最大深度，即划痕深度。以上说明了划痕深度的测量方法的概要。将在实施例中对划痕深度的测量方法进行详细说明。感光层3的划痕深度为0.50μm以下，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，优选为0.49μm以下，更优选为0.48μm以下。并且，就感光层3的划痕深度的下限而言，只要能够发挥感光体1的感光层的功能即可，没有特别限制，例如可以是0.00μm，但从制造成本方面考虑，优选为0.09μm。此外，划痕深度例如可以通过调整后述的聚芳酯树脂(1)的种类、以及后述的空穴输送剂的种类及含量来控制。以下，对电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、粘结树脂及作为可选成分的添加剂进行说明。(电荷产生剂)电荷产生剂只要是感光体用的电荷产生剂即可，没有特别限制。电荷产生剂例如：酞菁类颜料、苝类颜料、双偶氮颜料、三偶氮颜料、二硫酮吡咯并吡咯(dithioketo-pyrrolopyrrole)颜料、无金属萘酞菁颜料、金属萘酞菁颜料、方酸颜料、靛蓝颜料、甘菊蓝颜料、菁颜料、无机光导材料(例如、硒、硒-碲、硒-砷、硫化镉、及非晶硅)的粉末、吡喃颜料、蒽嵌蒽醌类颜料、三苯甲烷类颜料、士林类颜料、甲苯胺类颜料、吡唑啉类颜料及喹吖啶酮类颜料。电荷产生剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。酞菁类颜料例如无金属酞菁及金属酞菁。金属酞菁例如：氧钛酞菁、羟基镓酞菁及氯镓酞菁。酞菁类颜料可以为结晶，也可以为非结晶。对酞菁类颜料的晶体形状(例如，α型、β型、X型、Y型、V型及II型)没有特别限制，可以使用各种晶体形状的酞菁类颜料。无金属酞菁的晶体例如无金属酞菁的X型晶体(以下，有时记载为X型无金属酞菁)。氧钛酞菁的晶体例如氧钛酞菁的α型、β型及Y型晶体(以下，有时分别记载为α型、β型及Y型氧钛酞菁)。羟基镓酞菁的结晶例如羟基镓酞菁的V型晶体。此外，感光体1用于数字光学式的图像形成装置的情况下，优选为使用在700nm以上波长区域具有感光度的电荷产生剂。在700nm以上波长区域具有感光度的电荷产生剂例如酞菁类颜料，从高效地产生电荷的方面考虑，优选为X型无金属酞菁。并且，数字光学式的图像形成装置例如使用半导体激光器之类光源的激光打印机及传真。此外，感光体1用于使用了短波长激光源的图像形成装置的情况下，电荷产生剂例如优选使用蒽嵌蒽醌类颜料及苝类颜料。短波长激光的波长例如为350nm以上550nm以下。电荷产生剂例如由以下所示的化学式(CGM-1)～(CGM-4)表示的酞菁类颜料(以下，有时分别记载为电荷产生剂(CGM-1)～(CGM-4))。【化11】【化12】【化13】【化14】从高效地产生电荷方面考虑，相对于粘结树脂100质量份，电荷产生剂的含量优选为0.1质量份以上50质量份以下，更优选为0.5质量份以上30质量份以下，尤其优选为0.5质量份以上4.5质量份以下。(空穴输送剂)空穴输送剂包含由以下所示的通式(HTM1)、通式(HTM2)、通式(HTM3)、通式(HTM4)、通式(HTM5)、通式(HTM6)或通式(HTM7)表示的化合物。以下，有时将这些空穴输送剂分别记载为空穴输送剂(HTM1)～(HTM7)。感光层3中可以单独含有这些空穴输送剂的一种，也可以含有二种以上。【化15】通式(HTM1)中，R1、R2、R3及R4各自独立，表示C1-C6烷基。a1、a2、a3及a4各自独立，表示0以上5以下的整数。a1表示2以上5以下的整数情况下，若干个R1可以相同也可以不同。a2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R2可以相同也可以不同。a3表示2以上5以下的整数的情况下，若干个R3可以相同也可以不同。a4表示2以上5以下整数的情况下，若干个R4可以相同也可以不同。【化16】通式(HTM2)中，R5、R6、R7及R8各自独立，表示C1-C6烷基或氢原子。【化17】通式(HTM3)中，R9、R10、R11及R12各自独立，表示C1-C6烷基。b1、b2、b3及b4各自独立，表示0以上5以下的整数。b1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R9可以相同也可以不同。b2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R10可以相同也可以不同。b3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R11可以相同也可以不同。b4表示2以上5以下整数的情况下，若干个R12可以相同也可以不同。【化18】通式(HTM4)中，R13、R14、R15及R16各自独立，表示C1-C6烷基。c1、c2、c3及c4各自独立，表示0以上5以下的整数。c1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R13可以相同也可以不同。c2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R14可以相同也可以不同。c3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R15可以相同也可以不同。c4表示2以上5以下整数的情况下，若干个R16可以相同也可以不同。【化19】通式(HTM5)中，R17、R18、R19、R20及R21各自独立，表示C1-C6烷基或氢原子。【化20】通式(HTM6)中，R22、R23及R24各自独立，表示C1-C6烷基。d1、d2及d3各自独立，表示0以上5以下的整数。d1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R22可以相同也可以不同。d2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R23可以相同也可以不同。d3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R24可以相同也可以不同。R25表示C1-C6烷基或氢原子。【化21】通式(HTM7)中，R26、R27及R28各自独立，表示C1-C6烷基。e1、e2及e3各自独立，表示0以上5以下的整数。e1表示2以上5以下整数的情况下，若干个R26可以相同也可以不同。e2表示2以上5以下整数的情况下，若干个R27可以相同也可以不同。e3表示2以上5以下整数的情况下，若干个R28可以相同也可以不同。R29、R30及R31各自独立，表示C6-C14芳基或氢原子。从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM1)中，a1及a3优选为表示1。从同样的方面考虑，R1及R3各自独立，优选为表示C1-C4烷基，更优选为表示甲基。从同样的方面考虑，a2及a4优选为表示0。通式(HTM1)所表示的空穴输送剂(HTM1)例如：由下述所示的化学式(HTM1-1)所表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM1-1))。【化22】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM2)中，R5及R6各自独立，优选为表示C1-C6烷基，更优选为表示C1-C4烷基，进一步优选为表示甲基。从同样的方面考虑，R7及R8优选为表示氢原子。通式(HTM2)所表示的空穴输送剂(HTM2)例如：由下述所示的化学式(HTM2-1)表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM2-1))。【化23】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM3)中，b1及b3优选为表示1。从同样的方面考虑，R9及R11各自独立，优选为表示C1-C4烷基，更优选为表示甲基。从同样的方面考虑，b2及b4优选为表示0。通式(HTM3)所表示的空穴输送剂(HTM3)例如：由下述所示的化学式(HTM3-1)表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM3-1))。【化24】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM4)中，c1及c2优选为表示1。从同样的方面考虑，R13及R14各自独立，优选为表示C1-C4烷基，更优选为表示甲基。从同样的方面考虑，c3及c4优选为表示0。通式(HTM4)所表示的空穴输送剂(HTM4)例如：下述所示的化学式(HTM4-1)所表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM4-1))。【化25】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM5)中，R17、R18、R19、R20及R21各自独立，优选为表示C1-C6烷基，更优选为表示C1-C4烷基，进一步优选为表示甲基。通式(HTM5)所表示的空穴输送剂(HTM5)例如：由下述所示的化学式(HTM5-1)表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM5-1))。【化26】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM6)中，d1、d2及d3优选为表示0。从同样的方面考虑，R25优选为表示氢原子。通式(HTM6)所表示的空穴输送剂(HTM6)例如：由下述所示的化学式(HTM6-1)表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM6-1))。【化27】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(HTM7)中，e1、e2及e3各自独立，优选为表示0或1。e1、e2及e3表示0的情况下，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，R29、R30及R31各自独立，优选为表示C6-C14芳基，更优选为表示苯基。e1、e2及e3表示1的情况下，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，R29、R30及R31优选为表示氢原子。此外，e1、e2及e3表示1的情况下，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，R26、R27及R28优选为表示C1-C4烷基，更优选为表示甲基。通式(HTM7)所表示的空穴输送剂(HTM7)例如：由下述所示的化学式(HTM7-1)表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM7-1))、及由化学式(HTM7-2)表示的空穴输送剂(以下，有时记载为空穴输送剂(HTM7-2))。【化28】【化29】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，这些空穴输送剂中，优选为空穴输送剂(HTM1)、空穴输送剂(HTM2)、空穴输送剂(HTM5)及空穴输送剂(HTM6)，更优选为空穴输送剂(HTM1-1)、空穴输送剂(HTM2-1)、空穴输送剂(HTM5-1)及空穴输送剂(HTM6-1)。从高效地输送空穴方面考虑，相对于粘结树脂100质量份，空穴输送剂的含量优选为10质量份以上200质量份以下，更优选为10质量份以上100质量份以下。感光层3除了含有上述空穴输送剂(HTM1)～(HTM7)以外，也可以含有其他的空穴输送剂。其他的空穴输送剂例如是以下化合物中与空穴输送剂(HTM1)～(HTM7)结构不同的化合物，其中的化合物有：二胺衍生物(更具体地，N，N，N′，N′-四苯基苯二胺衍生物、N，N，N′，N′-四苯基萘二胺衍生物、N，N，N′，N′-四苯基亚菲基二胺(N，N，N′，N′-tetraphenylphenanthrylenediamine)衍生物等)；恶二唑类化合物(更具体地，2，5-二(4-甲基氨基苯基)-1，3，4-恶二唑等)；苯乙烯类化合物(更具体地，9-(4-二乙氨基苯乙烯基)蒽等)；咔唑类化合物(更具体地，聚乙烯基咔唑等)；有机聚硅烷化合物；吡唑啉类化合物(更具体地，1-苯基-3-(对二甲基氨基苯基)吡唑啉等)；腙类化合物；吲哚类化合物；恶唑类化合物；异恶唑类化合物；噻唑类化合物；噻二唑类化合物；咪唑类化合物；吡唑类化合物；三唑类化合物。相对于空穴输送剂的总质量，空穴输送剂(HTM1)～(HTM7)的总计的含量优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，尤其优选为100质量％。(电子输送剂)电子输送剂例如：醌类化合物、二酰亚胺类化合物、腙类化合物、丙二腈类化合物、噻喃类化合物、三硝基噻吨酮类化合物、3，4，5，7-四硝基-9-芴酮类化合物、二硝基蒽类化合物、二硝基吖啶类化合物、四氰乙烯、2，4，8-三硝基噻吨酮、二硝基苯、二硝基吖啶、琥珀酸酐、马来酸酐及二溴马来酸酐。醌类化合物例如：联苯醌类化合物、偶氮醌类化合物、蒽醌类化合物、萘醌类化合物、硝基蒽醌类化合物及二硝基蒽醌类化合物。这些电子输送剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。从高效地输送电子方面考虑，这些电子输送剂中，优选为以下所示的通式(ETM1)所表示的化合物，更优选为以下所示的化学式(ETM1-1)所表示的化合物(以下，有时记载为电子输送剂(ETM1-1))。【化30】通式(ETM1)中，R41和R44各自独立，表示C1-C6烷基或氢原子。R42和R43各自独立，表示C1-C6烷基。f1和f2各自独立，表示0以上4以下的整数。f1表示2以上4以下整数的情况下，若干个R42可以相同也可以不同。f2表示2以上4以下的整数的情况下，若干个R43可以相同也可以不同。【化31】从高效地输送电子方面考虑，相对于粘结树脂100质量份，电子输送剂的含量优选为5质量份以上100质量份以下，更优选为10质量份以上80质量份以下。(粘结树脂)粘结树脂包含聚芳酯树脂(以下，有时记载为聚芳酯树脂(1))，聚芳酯树脂(1)具有主链和特定末端基，主链包含由下述通式(1)表示的重复单元，特定末端基结合于该主链末端。特定末端基由下述通式(2)表示。感光层3可以含有聚芳酯树脂(1)的一种或二种以上。【化32】通式(1)中，Q1、Q2、Q3、Q4、Q7、Q8、Q９及Q10各自独立，表示甲基或氢原子。Q5、Q6、Q11及Q12各自独立，表示C1-C4烷基或氢原子。Q5及Q6可以彼此结合，表示C5-C7亚环烷基。Q11及Q12可以彼此结合，表示C5-C7亚环烷基。r、s、t及u各自独立，表示0以上的数。r+s+t+u＝100。r+t＝s+u。r/(r+t)为0.00以上0.90以下。s/(s+u)为0.00以上0.90以下。X及Y各自独立，是下述化学式(1A)、(1B)、(1C)、(1D)或(1E)所表示的二价基。【化33】【化34】一O-Rf(2)通式(2)中，Rf表示具有氟基的链状脂肪族基。聚芳酯树脂(1)的主链优选为不具有卤素原子。聚芳酯树脂(1)的主链不具有卤素原子的情况下，空穴输送剂与聚芳酯树脂(1)的相容性得以提高，感光层3的晶化往往得到抑制。由此，能够进一步提高抗灰雾性。从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(1)中，Q1、Q3、Q7及Q9优选为表示甲基。从同样的方面考虑，Q2、Q4、Q8及Q10优选为表示氢原子。从同样的方面考虑，Q5及Q6优选为彼此结合，表示C5-C7亚环烷基，更优选为彼此结合，表示亚环己基(cyclohexylidene)。从同样的方面考虑，Q11及Q12优选为彼此结合，表示C5-C7亚环烷基，更优选为彼此结合，表示亚环己基(cyclohexylidene)。从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(1)中，r/(r+t)优选为0.10以上0.70以下，更优选为0.30以上0.70以下。从同样的方面考虑，s/(s+u)优选为0.10以上0.70以下，更优选为0.30以上0.70以下。从进一步提高抗灰雾性方面考虑，通式(1)中，X及Y优选为互不相同。该情况下，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，优选X及Y的至少一方是由化学式(1B)或(1C)表示的二价基，更优选是由化学式(1C)表示的二价基。聚芳酯树脂(1)的主链例如下述通式(1-5)所表示的重复单元(以下，有时记载为重复单元(1-5))、下述通式(1-6)所表示的重复单元(以下，有时记载为重复单元(1-6)、下述通式(1-7)所表示的重复单元(以下，有时记载为重复单元(1-7))及下述通式(1-8)所表示的重复单元(以下，有时记载为重复单元(1-8))。【化35】通式(1-5)中的Q1、Q2、Q3、Q4、Q5及Q6分别与通式(1)中的Q1、Q2、Q3、Q4、Q5及Q6的含义相同。通式(1-6)中的X与通式(1)中的X的含义相同。通式(1-7)中的Q7、Q8、Q9、Q10、Q11及Q12分别与通式(1)中的Q7、Q8、Q9、Q10、Q11及Q12的含义相同。通式(1-8)中的Y与通式(1)中的Y的含义相同。聚芳酯树脂(1)的主链可以含有重复单元(1-5)～(1-8)以外的重复单元。重复单元(1-5)～(1-8)的物质的量的总计相对于聚芳酯树脂(1)的主链中的重复单元的物质的量的总计的比率(摩尔分数)优选为0.80以上，更优选为0.90以上，进一步优选为1.00。就聚芳酯树脂(1)的主链中重复单元(1-5)～(1-8)的排列而言，只要源自芳香族二醇的重复单元与源自芳香族二羧酸的重复单元彼此相邻即可，没有特别限制。例如，重复单元(1-5)与重复单元(1-6)或重复单元(1-8)相邻而彼此结合。同样地，重复单元(1-7)与重复单元(1-6)或重复单元(1-8)相邻而彼此结合。此外，通式(1)中，r表示重复单元(1-5)的数量相对于聚芳酯树脂(1)的主链中含有的重复单元(1-5)的数量、重复单元(1-6)的数量、重复单元(1-7)的数量及重复单元(1-8)的数量总计的百分比。s表示重复单元(1-6)的数量相对于聚芳酯树脂(1)的主链中含有的重复单元(1-5)的数量、重复单元(1-6)的数量、重复单元(1-7)的数量及重复单元(1-8)数量总计的百分比。t表示重复单元(1-7)的数量相对于聚芳酯树脂(1)的主链中含有的重复单元(1-5)的数量、重复单元(1-6)的数量、重复单元(1-7)的数量及重复单元(1-8)的数量总计的百分比。u表示重复单元(1-8)的数量相对于聚芳酯树脂(1)的主链中含有的重复单元(1-5)的数量、重复单元(1-6)的数量、重复单元(1-7)的数量及重复单元(1-8)的数量总计的百分比。并且，r、s、t及u分别是从感光层3中含有的聚芳酯树脂(1)的主链整体(若干条主链)得到的算术平均值，而不是从1条主链得到的值。此外，r、s、t及u例如能够通过用质子核磁共振光谱仪测量聚芳酯树脂(1)的1H-NMR光谱来计算。聚芳酯树脂(1)的主链例如由下述化学式(R-1)～(R-6)表示的主链(以下，有时记载为主链(R-1)～(R-6))。【化36】【化37】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，聚芳酯树脂(1)的主链优选为主链(R-2)、(R-4)及(R-5)，更优选为主链(R-2)及(R-4)。聚芳酯树脂(1)的末端基包含具有氟基的链状脂肪族基，来作为通式(2)中的Rf。聚芳酯树脂(1)具有一种或二种以上这样的末端基。具有氟基的链状脂肪族基的结构中可以具有2价以上的杂原子。2价以上的杂原子例如氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子及硼原子。链状脂肪族基具有2价以上的杂原子的末端基例如下述化学式(MA)所表示的末端基。【化38】从进一步提高抗灰雾性方面考虑，Rf所表示的具有氟基的链状脂肪族基优选为具有至少1个氟基的C1-C6烷基，更优选为C1-C6全氟烷基，进一步优选为C1-C6直链状的全氟烷基，尤其优选为七氟正丙基。Rf所表示的具有氟基的链状脂肪族基是七氟正丙基的情况下，末端基由以下的化学式(M1)表示。以下，有时将化学式(M1)所表示的末端基记载为末端基(M1)。【化39】-O-CF2-CF2-CF3(M1)粘结树脂的制造方法只要能够制造聚芳酯树脂(1)即可，没有特别限制。粘结树脂的制造方法例如：将用于构成重复单元的芳香族二醇、用于构成重复单元的芳香族二羧酸及用于构成末端基的末端终止剂进行缩聚的方法。缩聚方法没有特别限制，能够采用周知的合成方法(更具体地，溶液聚合、熔融聚合、界面聚合等)。用于制造聚芳酯树脂(1)的芳香族二羧酸具有2个羧基，由下述通式(1-9)或通式(1-10)表示。通式(1-9)中的X及通式(1-10)中的Y分别与通式(1)中的X及Y的含义相同。【化40】芳香族二羧酸例如是具有结合于芳香环的2个羧基的芳香族二羧酸(更具体地，4，4’-二苯醚二甲酸、4，4’-联苯二甲酸等)。此外，芳香族二羧酸可以用二酰氯、二甲酯、二乙酯等之类的衍生物。此外，用于缩聚的芳香族二羧酸可以含有通式(1-9)及通式(1-10)所表示的芳香族二羧酸以外的其他芳香族二羧酸。芳香族二醇具有2个酚羟基，由下述通式(1-11)或通式(1-12)表示。通式(1-11)中的Q1、Q2、Q3、Q4、Q5及Q6分别与通式(1)中的Q1、Q2、Q3、Q4、Q5及Q6的含义相同。通式(1-12)中的Q7、Q8、Q9、Q10、Q11及Q12分别与通式(1)中的Q7、Q8、Q9、Q10、Q11及Q12的含义相同。【化41】合成聚芳酯树脂(1)时，芳香族二醇可以用二乙酸盐等之类的衍生物。此外，用于缩聚的芳香族二醇除了含有通式(1-11)及通式(1-12)所表示的芳香族二醇以外，也可以含有其他的芳香族二醇。用于构成末端基的末端终止剂例如可以使用下述通式(2-1)所表示的醇。通式(2-1)中的Rf与通式(2)中的Rf的含义相同。【化42】HO-Rf(2-1)通过缩聚来合成聚芳酯树脂(1)时，从进一步提高抗灰雾性方面考虑，相对于芳香族二羧酸1摩尔进行反应的末端终止剂的物质的量优选为0.001摩尔以上0.1摩尔以下。粘结树脂既可以仅单独使用聚芳酯树脂(1)，也可以聚芳酯树脂(1)与聚芳酯树脂(1)以外的树脂(其他树脂)并用。其他树脂例如：热塑性树脂(聚芳酯树脂(1)以外的聚芳酯树脂、聚碳酸酯树脂、苯乙烯类树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-顺丁烯二酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、聚乙烯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、离聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯树脂、醇酸树脂、聚酰胺树脂、聚氨脂树脂、聚砜树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚醚树脂、聚酯树脂等)、热固性树脂(硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、这些以外的交联性热固性树脂等)及光固化树脂(环氧-丙烯酸类树脂、聚氨酯-丙烯酸类共聚物等)。它们可以单独使用，也可以两种以上并用。相对于粘结树脂的总量，聚芳酯树脂(1)的含量优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，进一步优选为100质量％。粘结树脂的粘均分子量优选为10,000以上，更优选为20,000以上，进一步优选为30,000以上，尤其优选为40,000以上。若粘结树脂的粘均分子量为10,000以上，则粘结树脂的耐磨损性得以提高，感光层3往往变得不易磨损。另一方面，粘结树脂的粘均分子量优选为80,000以下，更优选为70,000以下。若粘结树脂的粘均分子量为80,000以下，则粘结树脂易溶解于感光层形成用的溶剂，从而往往容易形成感光层3。(添加剂)作为可选成分的添加剂例如：劣化抑制剂(更具体地，抗氧化剂、自由基捕获剂、猝灭剂、紫外线吸收剂等)、软化剂、表面改性剂、增量剂、增稠剂、分散稳定剂、蜡、供体、表面活性剂及流平剂。添加添加剂的情况下，可以单独使用这些添加剂的一种，也可以两种以上并用。抗氧化剂例如：受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫醚化合物及亚磷酸酯化合物。这些抗氧化剂中，优选为受阻酚化合物及受阻胺化合物。(材料的组合)从进一步提高抗灰雾性方面考虑，优选的是，粘结树脂与空穴输送剂是下述表1所示的组合例1～22。从同样的方面考虑，更优选的是，粘结树脂与空穴输送剂为下述表1所示的组合例1～22，且电子输送剂为电子输送剂(ETM1-1)。从同样的方面考虑，更优选的是，粘结树脂与空穴输送剂为下述表1所示的组合例1～22，且电荷产生剂为X型无金属酞菁。从同样的方面考虑，进一步优选的是，粘结树脂与空穴输送剂为下述表1所示的组合例1～22，且电子输送剂为电子输送剂(ETM1-1)，电荷产生剂为X型无金属酞菁。此外，对于聚芳酯树脂(R-1-M1)～(R-6-M1)，将分别在实施例中说明。【表1】组合例粘结树脂空穴输送剂组合例1聚芳酯树脂(R-1-M1)空穴输送剂(HTM1-1)组合例2聚芳酯树脂(R-2-M1)空穴输送剂(HTM1-1)组合例3聚芳酯树脂(R-3-M1)空穴输送剂(HTM1-1)组合例4聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM1-1)组合例5聚芳酯树脂(R-5-M1)空穴输送剂(HTM1-1)组合例6聚芳酯树脂(R-6-M1)空穴输送剂(HTM1-1)组合例7聚芳酯树脂(R-1-M1)空穴输送剂(HTM2-1)组合例8聚芳酯树脂(R-2-M1)空穴输送剂(HTM2-1)组合例9聚芳酯树脂(R-3-M1)空穴输送剂(HTM2-1)组合例10聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM2-1)组合例11聚芳酯树脂(R-5-M1)空穴输送剂(HTM2-1)组合例12聚芳酯树脂(R-6-M1)空穴输送剂(HTM2-1)组合例13聚芳酯树脂(R-1-M1)空穴输送剂(HTM6-1)组合例14聚芳酯树脂(R-2-M1)空穴输送剂(HTM6-1)组合例15聚芳酯树脂(R-3-M1)空穴输送剂(HTM6-1)组合例16聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM6-1)组合例17聚芳酯树脂(R-5-M1)空穴输送剂(HTM6-1)组合例18聚芳酯树脂(R-6-M1)空穴输送剂(HTM6-1)组合例19聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM3-1)组合例20聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM4-1)组合例21聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM5-1)组合例22聚芳酯树脂(R-4-M1)空穴输送剂(HTM7-1)[3.中间层]如上所述，本实施方式的感光体1可以具有中间层4(例如，底涂层)。中间层4例如含有：无机颗粒、及用于中间层的树脂(中间层用树脂)。中间层4的存在，能够维持可抑制漏电发生这种程度的绝缘状态，使曝光感光体1时产生的电流流动顺利，抑制电阻上升。无机颗粒例如：金属(更具体地，铝、铁、铜等)的颗粒、金属氧化物(更具体地，二氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化锡、氧化锌等)的颗粒、及非金属氧化物(更具体地，二氧化硅等)的颗粒。这些无机颗粒可以单独使用一种，也可以两种以上并用。并且，无机颗粒可以实施表面处理。中间层用树脂只要能够用作形成中间层的树脂即可，没有特别限制。[4.感光体的制造方法]对感光体1的制造方法进行说明。感光体1的制造方法例如具有感光层形成工序。感光层形成工序中，制备用于形成感光层3的涂布液(以下，有时记载为感光层用涂布液)。接着，将感光层用涂布液涂布于导电性基体2上。然后，通过适当的方法进行干燥，将所涂布的感光层用涂布液中含有的溶剂的至少一部分去除，形成感光层3。感光层用涂布液例如包含：电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、作为粘结树脂的聚芳酯树脂(1)及溶剂。这样的感光层用涂布液通过将电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及作为粘结树脂的聚芳酯树脂(1)溶解或分散于溶剂来制备。根据需要，感光层用涂布液中也可以加入各种添加剂。以下，对感光层形成工序进行详细说明。感光层用涂布液中含有的溶剂只要能够使感光层用涂布液中含有各个成分溶解或分散即可，没有特别限制。溶剂例如：醇(更具体地，甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇等)、脂肪烃(更具体地，正己烷、辛烷、环己烷等)、芳香族烃(更具体地，苯、甲苯、二甲苯等)、卤化烃(更具体地，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、氯苯等)、醚(更具体地，二甲醚、二乙醚、四氢呋喃、乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚等)、酮(更具体地，丙酮、甲基乙基酮、环己酮等)、酯(更具体地，乙酸乙酯、乙酸甲酯等)、二甲基甲醛、二甲基甲酰胺及二甲基亚砜。这些溶剂可以单独使用，也可以组合两种以上来使用。这些溶剂中，优选使用无卤素溶剂。感光层用涂布液通过使各个成分混合，并分散于溶剂来制备。混合或分散例如可以使用珠磨机、辊磨机、球磨机、磨碎机、油漆振荡器或超声波分散器。为了提高各成分的分散性，例如，感光层用涂布液中也可以含有表面活性剂。感光层用涂布液的涂布方法只要是能够将感光层用涂布液均匀涂布的方法即可，没有特别限制。涂布方法例如：浸涂法、喷涂法、旋涂法及棒涂法。将感光层用涂布液中含有的溶剂的至少一部分去除的方法只要是能够使得感光层用涂布液中的溶剂的至少一部分蒸发的方法即可，没有特别限制。去除方法例如有：加热、减压及加热与减压并用。例如，具体的一种方法是使用高温干燥机、减压干燥机进行热处理(热风干燥)。热处理条件例如是温度为40℃以上150℃以下且时间为3分钟以上120分钟以下。此外，根据需要，感光体1的制造方法还可以具有形成中间层4的工序等。形成中间层4的工序，可以适当选择周知的方法。以上说明的本实施方式的感光体因抗灰雾性优异，所以能够较佳地用于各种图像形成装置。<第二实施方式：图像形成装置>以下，对第二实施方式所涉及的图像形成装置进行说明。第二实施方式所涉及的图像形成装置具备：像承载体、带电部、曝光部、显影部及转印部。所述像承载体是上述的第一实施方式所涉及的感光体。所述带电部使所述像承载体的表面带电。所述带电部的带电极性为正极性。所述曝光部使带电了的所述像承载体的所述表面曝光，来在所述像承载体的所述表面形成静电潜像。所述显影部将所述静电潜像显影为调色剂像。所述转印部在所述像承载体的所述表面与被转印体接触的同时，使所述调色剂像从所述像承载体转印至所述被转印体。第二实施方式所涉及的图像形成装置能够抑制图像不良的产生。其理由推测如下。第二实施方式所涉及的图像形成装置具备第一实施方式所涉及的感光体来作为像承载体。第一实施方式所涉及的感光体的抗灰雾性优异。因此，第二实施方式所涉及的图像形成装置能够抑制图像不良(更具体地，模糊等)。以下，参照图4，以串联方式的彩色图像形成装置为例，对第二实施方式所涉及的图像形成装置的一实施方式进行说明。图4所示的图像形成装置100是直接转印方式的图像形成装置。通常，在采用直接转印方式的图像形成装置中，由于像承载体与作为被转印体的记录介质接触，细微成分容易附着于像承载体的表面，因而容易产生图像不良。然而，第二实施方式的一例，即，图像形成装置100具备第一实施方式所涉及的感光体来作为像承载体30。第一实施方式所涉及感光体的抗灰雾性优异。因此，具备第一实施方式所涉及的感光体来作为像承载体30时，即使图像形成装置100采用的是直接转印方式，也能够抑制产生图像不良。图像形成装置100具备：图像形成单元40a、40b、40c及40d、转印带50、及定影部52。以下，在不需要区分的情况下，将图像形成单元40a、40b、40c和40d都记载为图像形成单元40。图像形成单元40具备：像承载体30、带电部42、曝光部44、显影部46及转印部48。像承载体30设置于图像形成单元40的中央位置。像承载体30设置为可按箭头方向(逆时针方向)旋转。在像承载体30的周围，以带电部42为基准从像承载体30的旋转方向的上游侧开始依次设置带电部42、曝光部44、显影部46及转印部48。并且，图像形成单元40还可以具备清洗部(未图示)及除电部(未图示)的一方或两方。分别通过图像形成单元40a～40d，在转印带50上的记录介质P(被转印体)上依次重叠若干种颜色(例如，黑色、青色、品红色和黄色这四种颜色)的调色剂像。带电部42是带电辊。带电辊通过与像承载体30的表面接触，使像承载体30的表面带电。通常，具备带电辊的图像形成装置中，容易产生图像不良。然而，图像形成装置100具备第一实施方式的感光体来作为像承载体30。第一实施方式的感光体抗灰雾性优异。因此，即使图像形成装置100具备带电辊来作为带电部42，也能够抑制图像不良的产生。这样，作为第二实施方式的一例的图像形成装置100采用接触带电方式。其他的接触带电方式的带电部例如带电刷。此外，带电部也可以是非接触方式。非接触方式的带电部例如无栅格电极型带电部(Corotron)及有栅格电极型带电部(Scorotron)。带电部42施加的电压没有特别限制。带电部42施加的电压例如：直流电压、交流电压及重叠电压(交流电压重叠于直流电压的电压)，其中优选为直流电压。直流电压与交流电压及重叠电压相比，具有下述优势。当带电部42只施加直流电压时，由于施加于像承载体30的电压值一定，因此容易使像承载体30的表面均匀地带电到一定电位。此外，当带电部42只施加直流电压时，感光层的磨损量往往減少。其结果，能够形成较佳的图像。曝光部44使带电了的像承载体30的表面曝光。由此，在像承载体30的表面形成静电潜像。基于输入到图像形成装置100的图像数据来形成静电潜像。显影部46将调色剂提供至像承载体30的表面，使静电潜像显影为调色剂像。显影部46可以采用接触显影方式，即，一边与像承载体30的表面接触，一边将静电潜像显影为调色剂像的方式。通常，采用接触显影方式的图像形成装置中，容易因灰雾而产生图像不良。但是，图像形成装置100因具备第一实施方式所涉及的感光体来作为像承载体30，而且第一实施方式所涉及感光体的抗灰雾性优异，因此，具备这样的感光体的图像形成装置100即使采用接触显影方式，也能够抑制因灰雾而产生的图像不良。显影部46能够对像承载体30的表面进行清洗。也就是说，图像形成装置100可以采用所谓的无清洁器方式。该情况下，显影部46能够去除像承载体30表面的残留成分。通常，具备清洗部(例如，清洗刮板)的图像形成装置通过清洗部能够刮去像承载体表面的残留成分。然而，无清洁器方式的图像形成装置的情况下，像承载体的表面的残留成分不被刮去。因此，采用无清洁器方式的图像形成装置中，通常，残留成分易残留于像承载体的表面。然而，图像形成装置100具备抗灰雾性优异的第一实施方式的感光体，来作为像承载体30。因此，具备这样的感光体的图像形成装置100即使采用无清洁器方式，残留成分尤其是记录介质P的微小成分(例如，纸粉)难以残留于感光体的表面。其结果，图像形成装置100能够抑制图像不良(例如，灰雾)的产生。为了在显影部46进行显影的同时，高效地清洗像承载体30的表面，优选为满足下述条件(a)及条件(b)。条件(a)：采用接触显影方式，且在像承载体30与显影部46之间设置转速(旋转速度)差。条件(b)：像承载体30的表面电位与显影偏压的电位满足以下的算式(b-1)及算式(b-2)。0(V)＜显影偏压的电位(V)＜像承载体30的未曝光区域的表面电位(V)……(b-1)显影偏压的电位(V)＞像承载体30的曝光区域的表面电位(V)＞0(V)……(b-2)如条件(a)所示，采用接触显影方式，且在像承载体30与显影部46之间设置转速差时，像承载体30的表面与显影部46接触，从而像承载体30表面的残留成分通过与显影部46之间的摩擦而被去除。显影部46的转速优选为比像承载体30的转速快。条件(b)中，假设显影方式是反转显影方式的情况。为了提高带电极性为正极性的像承载体30的电气特性，优选为调色剂的带电极性、像承载体30的未曝光区域的表面电位、像承载体30的曝光区域的表面电位及显影偏压的电位都为正极性。并且，像承载体30的未曝光区域的表面电位和曝光区域的表面电位的测量在转印部48将调色剂像从像承载体30转印到记录介质P以后，且带电部42使像承载体30的表面带电之前进行。满足条件(b)的算式(b-1)时，作用于残留在像承载体30的调色剂(以下，有时记载为残留调色剂)与像承载体30的未曝光区域之间的静电排斥力比作用在残留调色剂与显影部46之间的静电排斥力大。因此，像承载体30的未曝光区域的残留调色剂从像承载体30的表面向显影部46移动而被回收。满足条件(b)的算式(b-2)时，作用于残留调色剂与像承载体30的曝光区域之间的静电排斥力比作用于残留调色剂与显影部46之间的静电排斥力小。因此，像承载体30的曝光区域的残留调色剂被保持于像承载体30的表面。保持于像承载体30的曝光区域的调色剂被直接用于图像形成。转印带50在像承载体30与转印部48之间输送记录介质P。转印带50是环状带。转印带50设置为可沿箭头方向(顺时针方向)旋转。转印部48使通过显影部46显影的调色剂像从像承载体30的表面转印至记录介质P。调色剂像从像承载体30转印到记录介质P时，像承载体30与记录介质P接触。转印部48例如是转印辊。定影部52对通过转印部48被转印到记录介质P的未定影的调色剂像进行加热及/或加压。定影部52例如是加热辊及/或加压辊。通过对调色剂像进行加热及/或加压，从而调色剂像定影于记录介质P。其结果，在记录介质P上形成图像。以上，对第二实施方式所涉及的图像形成装置的一例进行了说明，第二实施方式所涉及的图像形成装置不限于上述图像形成装置100。例如，上述图像形成装置100是串联方式的图像形成装置，但本发明不限于第二实施方式所涉及的图像形成装置，也可以采用旋转方式等。此外，第二实施方式所涉及的图像形成装置可以是单色图像形成装置。该情况下，图像形成装置例如可以只具备1个图像形成单元。此外，第二实施方式所涉及的图像形成装置可以采用中间转印方式。第二实施方式所涉及的图像形成装置采用中间转印方式的情况下，中间转印带相当于被转印体。<第三实施方式：处理盒>第三实施方式所涉及的处理盒具备第一实施方式所涉及的感光体来作为像承载体。接着，参照图4，对第三实施方式所涉及的处理盒的一例进行说明。第三实施方式所涉及的处理盒例如相当于各个图像形成单元40a～40d(图4)。这些处理盒包含被单元化的部分。被单元化的部分包含像承载体30。此外，被单元化的部分除了包含像承载体30，也可以包含从由带电部42、曝光部44、显影部46及转印部48构成的组中选择的至少1个。处理盒还可以具备清洗部(未图示)及除电部(未图示)的中一者或者两者兼备。处理盒例如设计为相对于图像形成装置100拆装自如。该情况的处理盒容易操作，在像承载体30的感光度特性等劣化的情况下，可以简单快速地对包含像承载体30在内的处理盒进行更换。上述说明的第三实施方式所涉及的处理盒通过具备第一实施方式所涉及的感光体来作为像承载体，能够抑制产生图像不良。【实施例】以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明。并且，本发明不受下述实施方式的任何限定。<实施例及比较例中所用的材料>准备以下的电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂，作为用于制造单层型感光体的材料。[电荷产生剂]准备第一实施方式中所说明的电荷产生剂(CGM-1)。电荷产生剂(CGM-1)是化学式(CGM-1)所表示的无金属酞菁，其结晶结构是X型。也就是说，所用的电荷产生剂(CGM-1)是X型无金属酞菁。[空穴输送剂]准备第一实施方式中说明的空穴输送剂(HTM1-1)、(HTM2-1)、(HTM3-1)、(HTM4-1)、(HTM5-1)、(HTM6-1)及(HTM7-1)。并且，还准备空穴输送剂(HTM8-1)及(HTM9-1)。空穴输送剂(HTM8-1)及(HTM9-1)分别是由下述化学式(HTM8-1)及(HTM9-1)表示的空穴输送剂。【化43】[电子输送剂]准备第一实施方式中所说明的电子输送剂(ETM1-1)。[粘结树脂]〔聚芳酯树脂〕通过以下的方法来分别合成聚芳酯树脂(R-1-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)，来作为粘结树脂。(聚芳酯树脂(R-2-M1)的合成方法)首先，对聚芳酯树脂(R-2-M1)的合成方法进行说明，聚芳酯树脂(R-2-M1)具有下述化学式(R-2)所表示的主链(R-2)及下述化学式(M1)所表示的末端基(M1)。【化44】--O-CF2-CF2-CF3(M1)将具备温度计、三通阀及滴定漏斗的、容量1L的三口烧瓶用作反应容器。向反应容器中加入1，1-双(4-羟基-3-甲基苯基)环己烷12.2g(41.3毫摩尔)、作为末端终止剂的七氟正丙基醇0.2g(4.2毫摩尔)、氢氧化钠3.9g(98毫摩尔)及苄基三丁基氯化铵0.12g(0.38毫摩尔)。接着，将反应容器内进行氩气置换。之后，向反应容器再加入600mL水。将反应容器的内部温度保持在20℃，将反应容器的内含物搅拌1小时。接着，冷却反应容器的内含物，使反应容器的内部温度降温到10℃。由此来制备碱性水溶液。另一方面，准备4，4’-联苯基乙酰氯(4，4′-Biphenyldicarboxylicdichloride)4.5g(16.2毫摩尔)和2，6-萘二甲酰氯(2，6-Naphthalenedicarbonyldichloride)4.1g(16.2毫摩尔)，来作为芳酰卤(aryloylhalide)，并使它们溶解于三氯甲烷300g，来制备三氯甲烷溶液。接着，将上述碱性水溶液的温度保持在10℃，并一边搅拌反应容器的内含物，一边向上述碱性水溶液内加入上述三氯甲烷溶液，开始聚合反应。就聚合反应而言，搅拌反应容器的内含物，使反应容器的内部温度保持在13±3℃，并反应3小时。然后，用倾析器去除上层(水层)，获得有机层。接着，向容量2L的三口烧瓶加入离子交换水500mL后，加入得到的有机层。再加入三氯甲烷300g和乙酸6mL。在室温(25℃)，将三口烧瓶的内含物搅拌30分钟。然后，用倾析器去除三口烧瓶的内含物的上层(水层)，获得有机层。用离子交换水500mL，通过分液漏斗对得到的有机层反复清洗8次，得到水洗后的有机层。接下来，将水洗后的有机层进行过滤，获得滤液。向容量3L的三角烧瓶加入甲醇1.5L。将得到的滤液缓慢滴加到上述三角烧瓶，得到沉淀物。通过过滤，将沉淀物滤出。在温度70℃下，将得到的沉淀物真空干燥12小时。其结果，得到粘均分子量56,300的聚芳酯树脂(R-2-M1)。从得到的聚芳酯树脂(R-2-M1)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱，确认到聚芳酯树脂(R-2-M1)具有主链(R-2)及结合于主链(R-2)末端的末端基(M1)。此外，1H-NMR光谱及13C-NMR光谱使用核磁共振光谱仪(日本电子株式会社制造“JNM-AL300”)来测量。测量时，将CDCl3用作溶剂，四甲基硅烷(TMS)用作内标物。此外，测量1H-NMR光谱时的共振频率为300MHz，测量13C-NMR光谱时的共振频率为75MHz。(聚芳酯树脂(R-1-M1)、(R-3-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)的合成方法)除了下述方面有变更以外，通过与制造聚芳酯树脂(R-2-M1)同样的方法，分别制造聚芳酯树脂(R-1-M1)、(R-3-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)。(变更之处)聚芳酯树脂(R-2-M1)的合成所使用的芳酰卤改为表2所述的芳酰卤。聚芳酯树脂(R-2-M1)的合成所使用的末端终止剂改为表2所述的末端终止剂。并且，聚芳酯树脂(R-1-M1)、(R-3-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)的合成中的芳酰卤的总计物质的量与聚芳酯树脂(R-2-M1)的合成中的芳酰卤的总计物质的量相同。此外，聚芳酯树脂(R-1-M1)、(R-3-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)的合成中的末端终止剂的物质的量与聚芳酯树脂(R-2-M1)的合成中的末端终止剂的物质的量相同。此外，聚芳酯树脂(R-1-M1)、(R-3-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)的粘均分子量分别为56,200、55,100、54,800、54,200、56,700、54,800、51,300及57,000。从得到的聚芳酯树脂(R-1-M1)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-1-M1)具有主链(R-1)及结合于主链(R-1)末端的末端基(M1)。从得到的聚芳酯树脂(R-3-M1)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-3-M1)具有主链(R-3)及结合于主链(R-3)末端的末端基(M1)。从得到的聚芳酯树脂(R-4-M1)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-4-M1)具有主链(R-4)及结合于主链(R-4)末端的末端基(M1)。从得到的聚芳酯树脂(R-5-M1)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-5-M1)具有主链(R-5)及结合于主链(R-5)末端的末端基(M1)。从得到的聚芳酯树脂(R-6-M1)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-6-M1)具有主链(R-6)及结合于主链(R-6)末端的末端基(M1)。并且，1H-NMR光谱及13C-NMR光谱的测量都通过与测量聚芳酯树脂(R-2-M1)相同的方法进行。此外，从得到的聚芳酯树脂(R-1-M10)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-1-M10)具有主链(R-1)及结合于主链(R-1)末端的末端基(M10)(下述化学式(M10)所表示的末端基)。从得到的聚芳酯树脂(R-2-M10)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-2-M10)具有主链(R-2)及结合于主链(R-2)末端的末端基(M10)。从得到的聚芳酯树脂(R-2-M11)的1H-NMR光谱及13C-NMR光谱确认到，聚芳酯树脂(R-2-M11)具有主链(R-2)及结合于主链(R-2)末端的末端基(M11)(下述化学式(M11)所表示的末端基)。并且，1H-NMR光谱及13C-NMR光谱的测量都通过与测量聚芳酯树脂(R-2-M1)相同的方法进行。【化45】〔聚碳酸酯树脂〕准备聚碳酸酯树脂(R-10-M1)及(R-11-M1)，来作为其他粘结树脂。聚碳酸酯树脂(R-10-M1)是包含主链和末端基(M1)的聚碳酸酯树脂，主链具有下述化学式(R-10)所表示的重复单元。此外，聚碳酸酯树脂(R-11-M1)是包含主链和末端基(M1)的聚碳酸酯树脂，主链具有下述化学式(R-11)所表示的重复单元。【化46】<感光体的制造>[感光体(A-1)]以下，对实施例1所涉及的感光体(A-1)的制造方法进行说明。向容器内加入电荷产生剂(CGM-1)2质量份、空穴输送剂(HTM1-1)65质量份、电子输送剂(ETM1-1)35质量份、作为粘结树脂的聚芳酯树脂(R-1-M1)100质量份及作为溶剂的四氢呋喃300质量份。使用棒状超声音波振子，将容器内的材料与溶剂混合2分钟，使材料分散于溶剂。再用球磨机，将容器内的材料与溶剂混合50小时，使材料分散于溶剂。由此，得到感光层用涂布液。使用浸涂法，将该感光层用涂布液涂布于作为导电性基体的铝制鼓状支承体上。将所涂布的感光层用涂布液在100℃下热风干燥40分钟。由此，在导电性基体上形成感光层(膜厚25μm)。其结果，得到作为单层型感光体的感光体(A-1)。[感光体(A-2)～(A-22)及感光体(B-1)～(B-9)]除了粘结树脂及空穴输送剂使用表3所述的以外，通过与上述的感光体(A-1)同样的方法分别得到感光体(A-2)～(A-22)及感光体(B-1)～(B-9)。并且，表3中，“粘结树脂”一栏的R-1-M1～R-6-M1、R-1-M10、R-2-M10及R-2-M11分别表示聚芳酯树脂(R-1-M1)～(R-6-M1)、(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)。“粘结树脂”一栏的R-10-M1及R-11-M1分别表示聚碳酸酯树脂(R-10-M1)及(R-11-M1)。<测量方法和评价方法>[划痕深度的测量]对得到的感光体(A-1)～(A-22)及感光体(B-1)～(B-9)，分别测量感光层的划痕深度。划痕深度是使用JISK5600-5-5(日本工业标准K5600：塗料一般测试方法、第五部：塗膜的机械性质、第五节：划痕硬度(负荷针法))所规定的刻痕装置200(参照图5)并通过以下方法来测量。以下，参照图5，对JISK5600-5-5中规定的刻痕装置200进行说明。图5表示刻痕装置200的结构的一例。刻痕装置200具备：固定台201、固定器具202、划痕针203、支承臂部204、2个轴支承部205、基台206、2个轨道部207、砝码盘208及匀速马达(未图示)。砝码209载置于砝码盘208。图5中，X轴方向及Y轴方向为水平方向，Z轴方向为垂直方向。X轴方向表示固定台201的长边方向。Y轴方向表示在与固定台201的顶面201a(载置面)平行的平面内、与X轴方向正交的方向。并且，后述的图6～8中的X轴方向、Y轴方向及Z轴方向也与图5相同。固定台201相当于JISK5600-5-5中的试验板固定台。固定台201具备：顶面201a、一端201b及另一端201c。固定台201的顶面201a是水平面。一端201b与2个轴支承部205相对。固定器具202设置于固定台201的顶面201a的另一端201c一侧。固定器具202使测量对象(感光体1)固定于固定台201的顶面201a。划痕针203具有顶端203b(参照图6)。顶端203b的结构是直径1mm的半球状。顶端203b的材质为蓝宝石。支承臂部204对划痕针203进行支承。支承臂部204以支撑轴204a为中心，在划痕针203接近感光体1的方向及远离感光体1的方向上转动。2个轴支承部205对支承臂部204进行支承，并且支承臂部204能够转动。基台206具备顶面206a。2个轴支承部205设置于顶面206a的一端侧。2个轨道部207设置于顶面206a的另一端侧。2个轨道部207设置为彼此平行地相对。2个轨道部207分别设置为与固定台201的长边方向(X轴方向)平行。固定台201安装于2个轨道部207之间。固定台201可沿轨道部207在固定台201的长边方向(X轴方向)上水平移动。砝码盘208隔着支承臂部204设置于划痕针203之上。砝码209载置于砝码盘208。匀速马达使固定台201沿轨道部207在X轴方向上移动。以下对划痕深度的测量方法进行说明。划痕深度的测量方法包括第一步骤、第二步骤、第三步骤及第四步骤。划痕装置200使用的是表面性测量机(新东科学株式会社制造“HEIDONTYPE14”)。划痕深度的测量在温度23℃及湿度50％RH的环境下进行。感光体1的形状为鼓状(圆筒状)。(第一步骤)第一步骤中，使感光体1以其长边方向与固定台201的长边方向平行的方式，固定于固定台201的顶面201a。此时，感光体1安装为感光体1的中心轴L2(旋转轴)方向与固定台201的长边方向平行。(第二步骤)第二步骤中，使划痕针203垂直抵接于感光层3的表面3a。在图5的基础上，再参照图6及图7，对使划痕针203与鼓状感光体1的感光层3的表面3a垂直抵接的方法进行说明。图6是沿图5的IV-IV线的剖视图，且是划痕针203抵接于感光体1时的剖视图。图7是图5所示的固定台201、划痕针203及感光体1的侧视图。以划痕针203的中心轴A1的延长线垂直于固定台201的顶面201a的方式，使划痕针203接近感光体1。接着，使划痕针203的顶端203b抵接于感光体1的感光层3的表面3a中、在垂直方向(Z轴方向)上距离固定台201的顶面201a最远的点(抵接点P2)。由此，划痕针203以其中心轴A1垂直于切线A2的方式，划痕针203的顶端203b抵接于感光体1。此时，连接顶面201a的接点P1与顶端203b的抵接点P2的线段与感光体1的中心轴L2正交。此外，切线A2是垂直于中心轴L2的感光体1的剖面所构成的外周圆的抵接点P2处的切线。(第三步骤)接下来，参照图5及图6，对第三步骤进行说明。第三步骤中，在使划痕针203垂直抵接于感光层3的表面3a的状态下，划痕针203向感光层3施加10g的负荷W。具体地，将10g砝码209载置于砝码盘208。在此状态下移动固定台201。具体地，驱动匀速马达，使固定台201沿轨道部207在X轴方向上水平移动。也就是说，使固定台201的一端201b从第一位置N1移动到第二位置N2。并且，第二位置N2位于第一位置N1的下游侧。下游侧是位于固定台201的长边方向中、固定台201远离2个轴支承部205的方向一侧。随着固定台201在长边方向上的移动，感光体1也在固定台201的长边方向上水平移动。固定台201及感光体1的移动速度为30mm/分。此外，固定台201及感光体1的移动距离为30mm。并且，固定台201及感光体1的移动距离相当于第一位置N1与第二位置N2之间的距离D1-2。固定台201及感光体1移动后的结果，通过划痕针203在感光体1的感光层3的表面3a形成划痕S。接下来，在图5～图7的基础上再参照图8，对划痕S进行说明。图8表示感光层3的表面3a上所形成的划痕S。划痕S形成为分别与固定台201的顶面201a及切线A2垂直。此外，划痕S形成为经过图7所示的线L3。线L3是由多个抵接点P2构成的线。线L3分别与固定台201的顶面201a及感光体1的中心轴L2平行。线L3垂直于划痕针203的中心轴A1。(第四步骤)第四步骤中，测量划痕S的深度Ds的最大值，即划痕深度。具体地，从固定台201卸下感光体1。用三维干涉显微镜(Bruker社销售“WYKONT-1100”)，以5倍的倍率来观察感光体1的感光层3上所形成的划痕S，并测量划痕S的深度Ds。划痕S的深度Ds为从切线A2到划痕S的谷部的距离。将划痕S的深度Ds中的最大值作为划痕深度。测量出的划痕深度如表3所示。[维氏硬度的测量]分别对得到的感光体(A-1)～(A-22)及感光体(B-1)～(B-9)，测量感光层的维氏硬度。感光层的维氏硬度通过依照日本工业标准(JapaneseIndustrialStandards，JIS)Z2244的方法来测量。维氏硬度的测量使用的是硬度计(例如，MatsuzawaCo.，Ltd制造“显微维氏硬度计DMH-1型”)。维氏硬度的测量在下述条件下进行，即，温度23℃，金刚石压头的负荷(试验力)10gf，达到试验力所需的时间为5秒，金刚石压头的接近速度为2mm/秒，以及试验力的保持时间为1秒。测量出的维氏硬度如表3所示。[抗灰雾性的评价]针对各个所得到的感光体(A-1)～(A-22)及感光体(B-1)～(B-9)，分别对所形成的图像的抗灰雾性进行评价。评价设备使用图像形成装置(京瓷办公信息系统株式会社制造“单色打印机FS-1300D”的改装机)。该图像形成装置采用直接转印方式、接触显影方式及无清洁器方式。该图像形成装置中，显影部对残留在感光体上的调色剂进行清洗。此外，该图像形成装置的带电部是带电辊。纸张使用的是京瓷办公信息系统株式会社销售的“京瓷办公信息系统品牌纸VM-A4”(A4大小)。评价设备的评价使用单组分显影剂(试生产样品)。用评价设备，设置感光体的转速为168mm/秒，在带电电位+600V的条件下，在12,000张的纸张上连续印刷图像I。图像I是印刷覆盖率1％的图像。接着，在1页纸张上印刷白纸图像。印刷在温度32.5℃、湿度80％RH的环境下进行。对于得到的白纸图像，用反射密度计(X-rite社制造“RD914”)测量白纸图像内的3处的图像浓度。白纸图像的3处的图像浓度之和除以测量位置数。由此，得到白纸图像的图像浓度的算术平均值。从白纸图像的图像浓度的算术平均值减去基准纸张的图像浓度后的值作为灰雾密度。按照下述判定基准来判断测量出的灰雾密度。判定为A或B的感光体评价为抗灰雾性良好。此外，判定为C的感光体评价为抗灰雾性不良。灰雾密度(FD值)及判定结果如表3所示。(抗灰雾性的判定基准)判定A：灰雾密度为0.010以下。判定B：灰雾密度大于0.010且为0.020以下。判定C：灰雾密度大于0.020。【表3】如表3所示，感光体(A-1)～(A-22)含有聚芳酯树脂(R-1-M1)～(R-6-M1)中的一个，聚芳酯树脂(R-1-M1)～(R-6-M1)具有：包含通式(1)所含的重复单元的主链、及通式(2)所含的末端基。感光体(A-1)～(A-22)含有空穴输送剂(HTM1-1)～(HTM7-1)中的一个，空穴输送剂(HTM1-1)～(HTM7-1)包含于通式(HTM1)、通式(HTM2)、通式(HTM3)、通式(HTM4)、通式(HTM5)、通式(HTM6)或通式(HTM7)。感光体(A-1)～(A-22)中，感光层的划痕深度为0.16μm以上0.50μm以下。感光体(A-1)～(A-22)中，感光层的维氏硬度为19.0HV以上24.5HV以下。感光体(A-1)～(A-22)中，抗灰雾性的判定结果为A(良好)。如表3所示，感光体(B-1)及(B-2)不含聚芳酯树脂。感光体(B-3)、(B-4)及(B-9)含有聚芳酯树脂(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)中的一个，聚芳酯树脂(R-1-M10)、(R-2-M10)及(R-2-M11)具有不包含在通式(2)中的末端基。感光体(B-5)～(B-8)含有空穴输送剂(HTM8-1)及(HTM9-1)中的一个，通式(HTM1)、通式(HTM2)、通式(HTM3)、通式(HTM4)、通式(HTM5)、通式(HTM6)及通式(HTM7)中不含空穴输送剂(HTM8-1)及(HTM9-1)。感光体(B-1)～(B-9)中，感光层的划痕深度超过0.50μm。感光体(B-1)及(B-2)中，感光层的维氏硬度低于18.0HV。感光体(B-1)～(B-9)中，抗灰雾性的判定结果为C(不良)。从表3可以得知，感光体(A-1)～(A-22)与感光体(B-1)～(B-9)相比，抗灰雾性优异。当前第1页1 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