一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构的制作方法

本实用新型涉及LCD制造技术领域，特别是一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构。

背景技术：

ITO腐蚀是在存储条件或外加电场促进的条件下，发生电化学反应，导致的ITO电极走线腐蚀。周期有的只有数小时，有的达数月之久，主要取决于腐蚀产生的条件的强弱。

腐蚀产生的主要条件有：

1、杂质、水汽或污染；---提供电解质；

2、电荷移动；---产生电流；

为了保护LCD电极，很多厂家采用涂TOP层对产品进行主动防护，该方法有一定的效果，但相对来说成本也增高了。而实际生产中发生ITO腐蚀的区域都是集中在IC Bonding的区域，但是，因为IC与LCD之间导通的需要，该区域又不能用TOP覆盖，所以针对此种ITO腐蚀无法用TOP层覆盖ITO走线的方法来解决。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种LCD显示屏的ITO走线结构，其在IC Bonding的区域中，相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。

上述技术方案中，所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角，该圆弧夹角的半径R大于1mm。

上述技术方案中，相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10^-6V/m。

本实用新型的有益效果是：

1）降低ITO腐蚀的比例，降低成本。

2）提高产品可靠性，极大的降低了客户使用过程中发生失效的几率。

附图说明

图1是本实用新型的LCD的走线结构示意图；

图2是图1中A处夹角的放大示意图（尖角）；

图3是图1中A处圆弧夹角的放大示意图；

图4是图1中A处线间的放大示意图；

图5是本实用新型分次弯折的示意图；

图6是本实用新型夹角α、圆弧半径R与ITO腐蚀几率三者的对比测试参数表；

图7是本实用新型间距d、电压U、电场强度E与ITO腐蚀几率四者的对比测试参数表。

图中，1、ITO线；2、圆弧夹角；3、第一支线；4、第二支线；5、第三支线；6、IC Bonding的区域。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1-5所示，一种LCD显示屏的ITO走线结构的最佳实施例，其在IC Bonding的区域6中，相交的两条ITO线1的夹角α为180±30度。

其中，所述相交的两条ITO线1夹角为圆弧夹角2，该圆弧夹角2的半径R大于1mm。

其中，相邻的两条ITO线1之间的电场强度E小于0.25×10^-6V/m。

根据上述走线结构而实现了一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法，其在IC Bonding的区域6中，对ITO走线按照如下规则：

1）降低两条ITO线1相交的角度，保证两条ITO线1的夹角α为180±30度，如果两条ITO线1的夹角超过前述的范围则采用分次弯折的方式。ITO走线拐弯处，用平滑的走线比走折线更易清洗，不易残留污染物。该分次弯折的方式具体为，如图5所示，两ITO线1的直接相交会出现小于150度的角，在两ITO线1之间支线的接驳，如第一支线3、第二支线4和第三支线5，第一支线3与ITO线1的夹角α大于150度，第二支线4与第一支线3的夹角为大于150度，第三支线5与第二支线4的夹角为大于150度，第三支线5与ITO线1的夹角为大于150度。

2）相交的两条ITO线1的夹角为圆弧夹角2，并且该圆弧夹角2的半径R大于1mm。有利于清洗过程中脏污漂洗出来，同时也能减少脏污藏在折线处的机会。尖角容易残留脏污，所以需要避免。半径较小的圆弧相当于接近尖角的效果，所以必须要对半径进行限定。

3）相邻的两条ITO线1之间的电场强度E小于0.25×10^-6V/m。具体为根据产品的电压确定走线的间隙，以降低走线间的电场，减弱电化学作用。根据产品的电压，增大走线间的距离（与限定电场强度之前对比）。因为一个产品的电压是固定的，如果增大走线间距，能有效降低走线间的电场，减少电荷移动和电流，只需要控制电场强度E≤0.25×10^-6V/m，即可以降低ITO腐蚀发生的几率。

如图6所示，为相交两条ITO线1的夹角α、圆弧半径R与ITO腐蚀几率三者的对比测试参数。从数据可以看出，在未倒圆弧的情况下，随着夹角α的越大，ITO腐蚀几率越小；在相同夹角α的情况下，圆弧半径R越大，ITO腐蚀几率越小。夹角α一列数据中，括号外的为正角角度，括号内的为负角角度绝对值。

如图7所示，为相邻两条ITO线1的间距d、电压U、电场强度E与ITO腐蚀几率四者的对比测试参数。从数据可以看出，在相同的电压条件下，间距越大，电场强度越小，而ITO腐蚀几率也越小，并且在电场强度E小于等于0.25×10^-6V/m的时候，ITO腐蚀几率降低得更快；在相同间距的条件下，面对高压和低压的产品，其低压的产品的线间电场强度越小，ITO腐蚀几率也越小。ITO线1的间距d、电压U与电场强度E之间的关系公式为：U=Ed。

以上的实施例只是在于说明而不是限制本实用新型，故凡依本实用新型专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。