专利名称：移相掩模的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种移相掩模的制作方法，特别涉及一种以在透光部分和遮光部分之间的界面构成的蚀刻表面处产生180度相移的方式，制作移相掩模的方法。这种移相掩模通过刻蚀石英基片上的遮光部位形成蚀刻凹槽，并在蚀刻凹槽上形成铬图形而构成。
一种移相掩模通过利用透射移相材料的光和透射表面不涂镀移相材料的石英基片上的光之间的干涉现象形成多重移相，由此增加分辨率。这种产生多重移相的移相掩模和不产生移相的常规掩模一起广泛的应用于半导体器件的制造工艺。
一般，移相掩模使用移相材料如氧化物来产生移相。然而，使用移相材料的移相掩模的主要问题是布图设计困难。移相掩模也由于移相材料引起照射光功率的损耗，由此导致对短波长的深紫外线的光对比度的降低。
因此，本发明的目的是提供一种制作移相掩模的方法，它可以在不用移相材料的情况下获得与常规移相掩模相同的效果，并可提高光的对比度。
本发明制作移相掩模的方法由具有图中所示具体实施例的权利要求所限定。概括本发明的目的，本发明涉及移相掩模的制作方法，包括以下步骤在石英基片上形成第一光致抗蚀胶图形以分成透光部分和遮光部分；刻蚀被所述第一光致抗蚀胶图形暴露的所述石英基片，由此形成蚀刻凹槽；去掉所述第一光致抗蚀胶图形，在所述蚀刻凹槽的侧壁形成一隔离体；沉积铬于包括所述石英基片和所蚀刻凹槽的底部的所得构造上；去除所述隔离体并在包括所述石英基片表面和所述蚀刻凹槽的所得构造上涂覆光致抗蚀胶；进行深蚀刻工艺以在所述蚀刻凹槽上形成第二光致抗蚀胶图形；刻蚀被深腐蚀工艺所暴露的所述铬；去除所述的第二光致抗蚀胶图形留下所述蚀刻凹槽底部的所述的铬。
为了全面理解本发明的目的和实质，应参考以下的附图及详细说明。
图1A到图1F是解释制作根据本发明的移相掩模工艺的断面图。
图2表示根据本发明的移相掩模的光强度分布。
相同的标号在各图中表示相同的部件。
图1A到图1F是解释制作根据本发明的移相掩模工艺的断面图。
参照图1A，通过光刻工艺在石英基片上形成第一光致抗蚀胶图形2，由此分割成透光部分A和遮光部分B。
留下的光致抗蚀胶部分成为移相掩模的透光部分A，基片的暴露部分成为移相掩模遮光部分B。
参照图1B，通过各向异性蚀刻工艺，蚀刻被第一光致抗蚀胶图形2所暴露的遮光部分B，以便形成蚀刻凹槽3，然后去除第一光致抗蚀胶图形2。
参照图1C，不同于石英基片1的选择性蚀刻材料如氮化物或多晶硅被沉积在包括蚀刻凹槽的石英基片上，然后进行掩盖蚀刻过程，由此在蚀刻凹槽3侧壁形成隔离体4。
参照图1D，铬5被沉积在蚀刻凹槽3底部和石英基片1的表面。铬5被分成两层，上铬层5A和下铬层5B，这些层由隔离体4隔开。
参照图1E，通过蚀刻工艺去除隔离体4，然后在包含铬层5A、5B和蚀刻凹槽3的所得表面上涂覆光致抗蚀胶。此后进行深蚀刻工艺以在凹槽3中形成第二光致抗蚀胶图形6，以便仅暴露掩模表面的上铬层5A。
参照图1F，通过利用第二光致抗蚀胶图形6作为蚀刻掩模的蚀刻工艺去除掉上铬层5A。由此形成移相掩模的透光部分A。此后，去除第二光致抗蚀胶图形6以便仅保留下铬层5B，由此形成移相掩模的遮光部分B。至此形成本发明的移相掩模10。
根据上述工艺制作的移相掩模10利用在蚀刻凹槽3的蚀刻表面产生180度的相移的原理。
如图2所示，当光照射并透射到移相掩模10时，在蚀刻表面3A产生180度的相移，由此使光强降低到零。
如上所述，本发明的移相掩模在不使用移相材料的情况下可以产生相移效果。由于利用透光率高的石英基片获得移相功能，利用波长短的深紫外线可使移相掩模更有效。由于不需要移相材料本发明的移相掩模的制造更容易。
权利要求
1.一种制作移相掩模的方法，包括以下步骤在石英基片上形成第一光致抗蚀胶图形，以分割成透光部分和遮光部分；刻蚀被所述第一光致抗蚀胶图形所暴露的所述的石英基片，由此蚀刻凹槽；去除所述第一光致抗蚀胶图形并在所述蚀刻凹槽的侧壁形成隔离体；在包括所述石英基片和所述蚀刻凹槽底部的所得结构上沉积铬；去除所述隔离体并涂覆光致抗蚀胶于包括有所述石英基片表面和所述蚀刻凹槽的所得结构上；进行深蚀刻工艺以在所述蚀刻凹槽上形成第二光致抗蚀胶图形；刻蚀被所述的深腐蚀工艺所暴露的所述石英基片上的铬；去除所述第二光致抗蚀胶图形以留下所述蚀刻凹槽底部上的所述的铬。
2.如权利要求1的方法，其中所述蚀刻凹槽是由各向异性刻蚀工艺形成的。
3.如权利要求1的方法，其中所述隔离体由不同于所述石英基片的蚀刻选择材料构成。
4.如权利要求1的方法，其中所述隔离体由氮化物构成。
5.如权利要求1的方法，其中所述隔离体由多晶硅构成。
全文摘要
公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模，在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽，然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果，由此提高光的对比度。
文档编号G03F1/68GK1115412SQ95104070
公开日1996年1月24日 申请日期1995年3月11日 优先权日1994年3月11日
发明者咸泳穆 申请人:现代电子产业株式会社