专利名称：蒸镀掩模板及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种蒸镀掩模板及其制作方法，具体涉及掩模板半刻线的制作方法。
背景技术：
有机EL显示面板具有由通过附加电压而发光的低分子有机EL (OrganicElectro-Luminescence:0EL,有机发光电子板)材料形成的有机发光层,有机EL显示面板一般通过下述方式制造:在透明基板上形成透明电极层；在该透明电极层上形成由低分子有机EL材料形成的有机发光层；在该有机发光层上形成金属电极层。在该有机EL显示面板的制造工序中，在透明电极层上形成有机发光层通常采用具有规定图案的多个细微通孔的蒸镀金属掩模，并将低分子有机EL材料蒸镀于基板上。
这种有机电致发光显示器包括有机电致发光装置，有机电致发光装置具有分别堆叠在基底上的阳极、有机材料层和阴极。有机材料层包括有机发射层，有机发射层由于复合空穴和电子得到的激光而发光。此外，为了将空穴和电子平稳的传输到发射层并提高发射效率，电子注入层和电子传输层可设置在阴极和有机发射层之间，空穴注入层和空穴传输层可设置在阳极和有机发射层之间。
通常，可通过诸如真空沉积、离子电镀、溅射等物理气相沉积法和采用气象反应的化学气相沉积法来制造具有这种构造的有机电致发光装置。当通过这些方法来制造有机电致发光装置时，需要具有预定图案的掩模以在正确的位置堆叠有机材料层。由于传统工艺中，将掩模板固定在掩模框架上时掩模受外向拉力，因此要在掩模板的边料设计辅助图形用以施加拉力，最后要将固定后的掩模板的边料去除裁剪。
用剪刀进行裁减，则裁减的边存在不齐整、外观不美观的问题，对于一些通过掩模板外边框进行对位的情况，外边框的不平整必会导致对位时的位置偏差；通过激光切割工艺，虽然也可以达到辅助图形与掩模板主图形区域分离的效果，但激光会破坏掩模框架，使其表面产生凹槽划痕，蒸镀过程中会又有机材料颗粒残留在凹槽内，导致不同蒸镀腔室之间的交叉污染。 发明内容
本发明的目的是提供一种蒸镀掩模板及其制作方法，可以解决现有技术中掩模板外边框存在不齐整、外观不美观的问题，并且在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框对位时不会导致位置偏差；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。
针对以上技术问题，本发明提出以下技术方案: 一种蒸镀掩模板，包括:主图形区域，具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30-180 μ m的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还具有半刻线，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域。
优选的，半刻线为四边凹槽。
优选的，半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%_60%。
优选的，半刻线的线径彡2mm。
优选的，该掩模板的材料为镍铁合金、纯镍或不锈钢。
一种蒸镀掩模板的制作方法，其特征在于，在已经制作好主图形区域开口及辅助图形开口的掩模板进行以下步骤:贴膜步骤，在掩模板的蚀刻面贴膜；曝光步骤；显影步骤；蚀刻步骤；褪膜；其特征在于，曝光步骤是指在曝光机上通过CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻线以外区域；显影步骤是指过显影机，洗去未曝光干膜，即半刻线区域干膜；蚀刻步骤是指在干膜保护非半刻线区域的情况下，控制蚀刻参数，刻蚀出四边凹槽。
优选的，蚀刻参数具体如下:蚀刻压力为20±lpsi ;蚀刻速度为10-60HZ ;氯化铁蚀刻液比重为1.00-1.50 g/cm3。
本发明所涉及的蒸镀掩模板及其制作方法，由于半刻一边连接主图形区域，一边连接辅助图形，且半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%-60%。因此在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。
下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步详细的说明。
图1为本发明的掩模板整体 结构图； 其中:11-辅助图形开口，即绷网孔；22_主图形区域开口 ；33_辅助图形区域；44_主图形区域；55_半刻线。
图2为本发明的掩模板中的半刻线剖面图； 其中:111-掩模板；55_半刻线。
图3为传统工艺的掩模板； 其中:1_辅助图形区域开口，即剥离孔；2_主图形区域开口 ；3_辅助图形区域；4-主图形区域；5_裁剪基线。
具体实施方式
实施例1 图1和图2所示的用于蒸镀工艺的掩模板111，包括:主图形区域44，具有满足蒸镀要求的开口 22，主图形开口尺寸在30μπι的范围内；辅助图形区域33，用于提供拉力的施力点；半刻线55，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域；半刻线55为四边凹槽；半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的60% ;半刻线的线径< 2mm。掩模板的材料可以为因瓦合金、镍铁合金、纯镍、不锈钢中的任意一种；掩模板厚度H在30 μ m。
实施例2 用于蒸镀工艺的掩模板111，包括:主图形区域44，具有满足蒸镀要求的开口 22，主图形开口尺寸在180μπι的范围内；辅助图形区域33，用于提供拉力的施力点；半刻线55，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域；半刻线55为四边凹槽；半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40% ;半刻线的线径< 2_。掩模板的材料可以为因瓦合金、镍铁合金、纯镍、不锈钢中的任意一种；掩模板厚度H在200 μ m。
实施例3 制作掩模板的方法，在已经制作好主图形区域开口及辅助图形开口的掩模板进行以下步骤:贴膜步骤，在掩模板的蚀刻面贴膜；曝光步骤，在曝光机上通过CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻线以外区域；显影步骤，是指过显影机，洗去未曝光干膜，即半刻线区域干膜；蚀刻步骤，在干膜保护非半刻线区域的情况下，控制蚀刻参数，刻蚀出四边凹槽；褪膜。
蚀刻参数具体如下:蚀刻压力为20±lpsi ;蚀刻速度为IOHz ;氯化铁蚀刻液比重为 1.00 g/cm3。
实施例4 制作掩模板的方法，在已经制作好主图形区域开口及辅助图形开口的掩模板进行以下步骤:贴膜步骤，在掩模板的蚀刻面贴膜；曝光步骤，在曝光机上通过CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻线以外区域；显影步骤，是指过显影机，洗去未曝光干膜，即半刻线区域干膜；蚀刻步骤，在干膜保护非半刻线区域的情况下，控制蚀刻参数，刻蚀出四边凹槽；褪膜。
蚀刻参数具体如下:蚀刻压力为20± Ipsi ;蚀刻速度为60Hz ;氯化铁蚀刻液比重为 1.50 g/cm3。
在掩模板的主图形区域44与辅助图形区域33之间制作该种四边凹槽后，由于半刻线的厚度很薄，只需在辅助图形区域处施加力，即可轻松将其与主图形区域分离，剥离后的掩模板外边框光滑整齐，外边框对位时不会导致位置偏差，不会破坏掩模框架，提高蒸镀质量。
以上实施例目的在于说明本发明，而非限制本发明的保护范围，所有在不违背本发明精神原则的条件下做出的简单变换均落入本发 明的保护范围内。
权利要求
1.一种蒸镀掩模板，包括:主图形区域，具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30-180μπι的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还具有半刻线，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半刻线为四边凹槽。
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H 的 40%-60%。
4.根据权利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，所述半刻线的线径<2mm。
5.根据权利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，该掩模板的材料为镍铁合金、纯镍或不锈钢。
6.一种蒸镀掩模板的制作方法，其特征在于，在已经制作好主图形区域开口及辅助图形开口的掩模板进行以下步骤:贴膜步骤，在掩模板的蚀刻面贴膜；曝光步骤；显影步骤；蚀刻步骤；褪膜；其特征在于，曝光步骤是指在曝光机上通过CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻线以外区域；显影步骤是指过显影机，洗去未曝光干膜，即半刻线区域干膜；蚀刻步骤是指在干膜保护非半刻线区域的情况下，控制蚀刻参数，刻蚀出四边凹槽。
7.根据权利要求6所述的蒸镀掩模板的制作方法，其特征在于，蚀刻参数具体如下:蚀刻压力为20±lpsi ;蚀刻速度为10-60HZ ;氯化铁蚀刻液比重为1.00-1.50 g/cm3。
全文摘要
本发明涉及一种用于蒸镀的掩模板包括主图形区域、辅助图形区域和半刻线，半刻线为四边凹槽，且半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%-60%；半刻线的线径≤2mm。本发明涉及的掩模板及其制作方法，在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。
文档编号C23C14/04GK103205687SQ201210010709
公开日2013年7月17日 申请日期2012年1月16日 优先权日2012年1月16日
发明者魏志凌, 高小平, 郑庆靓 申请人:昆山允升吉光电科技有限公司