薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明的示例性实施例涉及一种薄膜晶体管阵列面板和一种制造薄膜晶体管阵 列面板的方法。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器是当前使用的最普通类型的平板显示器中的一种，液晶显示器通常包 括具有场产生电极（诸如像素电极和共电极）的两个显示面板以及设置在这两个显示面板 之间的液晶层。液晶显示器通过向场产生电极施加电压而在液晶层中产生电场，确定液晶 层的液晶分子的方向，并通过所产生的电场来控制入射光的偏振以显示图像。
[0003] 在液晶显示器中，在液晶层中产生电场的两个场产生电极均可以设置在薄膜晶体 管阵列面板中。
[0004] 在薄膜晶体管阵列面板中设置两个场产生电极的情况下，多个绝缘层设置在薄膜 晶体管和场产生电极之间，所述多个绝缘层中的至少一个层可以采用有机绝缘层。用于电 连接薄膜晶体管和场产生电极的接触孔通常形成在所述多个绝缘层中。
【发明内容】
[0005] 本发明致力于通过调整形成接触孔的位置来有效地防止薄膜晶体管阵列面板短 路，并且改善包括薄膜晶体管阵列面板的显示装置的稳定性。
[0006] 本发明的示例性实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板 包括：绝缘基板；栅极线，设置在绝缘基板上并且包括栅极焊盘部分；数据线，与栅极线交 叉并绝缘，并且包括源电极和数据焊盘部分；漏电极，面对源电极；有机绝缘层，设置在数 据线和漏电极上，其中，第一接触孔限定为穿过有机绝缘层；共电极，设置在有机绝缘层上， 其中，第二接触孔限定为穿过共电极；钝化层，设置在共电极上，其中，第三接触孔限定为穿 过钝化层；以及像素电极，设置在钝化层上并且与漏电极接触，其中，第三接触孔被设置为 与第一接触孔的一个表面相邻。
[0007] 在示例性实施例中，第一接触孔可以小于第二接触孔，第三接触孔可以小于第二 接触孔，第三接触孔的一部分可以与漏电极叠置。
[0008] 在示例性实施例中，第三接触孔可以暴露漏电极的一端。
[0009] 在示例性实施例中，第三接触孔的表面可以与有机绝缘层部分地叠置。
[0010] 在示例性实施例中，第三接触孔的不与有机绝缘层叠置的一个表面和第一接触孔 的与第三接触孔的所述一个表面面对的表面之间的距离A、以及第三接触孔的其余表面和 第一接触孔的与第三接触孔的所述其余表面面对的表面之间的距离B可以满足下面的不 等式：A>1. 2XB。
[0011] 在示例性实施例中，第三接触孔的所述一个表面和第一接触孔的与第三接触孔的 所述一个表面面对的表面之间的距离可以在大约1微米（ym)至大约6i!m的范围内。
[0012] 在示例性实施例中，第三接触孔与漏电极的叠置部分的长度可以在大约lum至 大约6iim的范围内。
[0013] 在示例性实施例中，第三接触孔的三个表面可以与有机绝缘层叠置。
[0014] 在示例性实施例中，漏电极可以大体上在有机绝缘层与共电极部分地叠置的方向 上延伸。
[0015] 在示例性实施例中，第三接触孔可以设置在与漏电极延伸所沿的方向相反的方向 上。
[0016] 在示例性实施例中，像素电极可以与第三接触孔的一个表面叠置。
[0017] 在示例性实施例中，通过第四接触孔暴露栅极焊盘部分的一部分，第四接触孔可 以限定为穿过有机绝缘层，并且通过第五接触孔暴露数据焊盘部分的一部分，第五接触孔 可以限定为穿过有机绝缘层。
[0018] 在示例性实施例中，共电极和像素电极中的一个可以是平面状电极，而共电极和 像素电极中的另一个可以是分支电极。
[0019] 本发明的示例性实施例提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包 括：在绝缘基板上设置栅极线和包括漏电极的数据线；在栅极线和数据线上设置有机绝缘 层，穿过有机绝缘层形成第一接触孔；在有机绝缘层上设置共电极，穿过共电极形成第二接 触孔；在共电极上设置钝化层；穿过钝化层形成第三接触孔以暴露漏电极的一端；以及在 钝化层上设置通过第三接触孔与漏电极连接的像素电极，其中，第三接触孔被形成为与第 一接触孔的一个表面相邻。
[0020] 在示例性实施例中，第三接触孔的表面可以与有机绝缘层部分地叠置。
[0021] 在示例性实施例中，第三接触孔的不与有机绝缘层叠置的一个表面和第一接触孔 的与第三接触孔的所述一个表面面对的表面之间的距离A、以及第三接触孔的其余表面和 第一接触孔的与第三接触孔的所述其余表面面对的表面之间的距离B可以满足下面的不 等式：A>1. 2XB。
[0022] 在示例性实施例中，第三接触孔的所述一个表面和第一接触孔的与第三接触孔的 所述一个表面面对的表面之间的距离可以在大约1Um至大约6iim的范围内。
[0023] 在示例性实施例中，第三接触孔与漏电极的叠置部分的长度可以在大约lym至 大约6iim的范围内。
[0024] 在示例性实施例中，第三接触孔可以与有机绝缘层的三个表面叠置，并且像素电 极可以与第三接触孔的一个表面叠置。
[0025] 在示例性实施例中，漏电极可以在有机绝缘层与共电极部分地叠置的方向上延 伸，并且第三接触孔可以设置在与漏电极延伸所沿的方向相反的方向上。
[0026] 根据薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例，如在此所述，接触孔被形成为允许接 触孔的一侧在接触孔的制造工艺期间与电极连接，从而有效地防止短路。
[0027] 在该实施例中，覆盖栅极线的阻光构件的宽度根据接触孔的位置而减小，从而提 供具有改善的开口率和透射率的显示装置。
【附图说明】
[0028] 通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他特征将变得 更加清楚，在附图中：
[0029] 图1是根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例的俯视图；
[0030] 图2是沿图1的11-11'线截取的剖视图；
[0031]图3是沿图1的线m-iir截取的剖视图；
[0032] 图4是沿图1的线IV-IV'截取的剖视图；
[0033] 图5是沿图1的线V-V'截取的剖视图；
[0034] 图6是沿图1的线VI-VI'截取的剖视图；
[0035] 图7A至图10B是示出根据本发明的薄膜晶体管阵列面板中的接触孔部分的可选 示例性实施例的视图；
[0036]图11是根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例的图像；
[0037] 图12是根据对比示例的薄膜晶体管阵列面板的图像；
[0038] 图13是根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例和根据对比示例的薄 膜晶体管阵列面板的电流确认曲线图；
[0039] 图14是根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例和根据对比示例的薄 膜晶体管阵列面板的电流与电压的曲线图；
[0040] 图15是根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例和根据对比示例的薄 膜晶体管阵列面板的电流与时间的曲线图。
【具体实施方式】
[0041] 现在，将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图更充分地描述本发明。然而， 本发明可以以许多不同形式实施，并不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这 些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分传达给本领域技术人 员。相同的附图标记始终指示相同的元件。
[0042] 将理解的是，当元件被称作"在"另一元件"上"时，该元件可以直接在另一元件上， 或者在它们之间可以存在中间元件。相反，当元件被称作"直接在"另一元件"上"时，不存 在中间元件。
[0043]将理解的是，虽然在这里可使用术语"第一"、"第二"、"第三"等来描述不同的元 件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语 的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部 分区别开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/ 或部分可以被称作第二元件、组件、区域、层和/或部分。
[0044] 这里使用的术语仅用来描述具体的实施例，而不意图成为限制。如这里使用的，除 非上下文另外明确指出，否则单数形式"一种"、"一个"和"该"也意图包括包含"至少一种 (至少一个）"的复数形式。"或"意味着"和/或"。如这里使用的，术语"和/或"包括相关 列出项