Euv用防尘薄膜组件、使用其的euv用组合体以及组合方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及极端紫外线（EUV:ExtremeUltraViolet)用防尘薄膜组件（以下，称 "EUV用防尘薄膜组件")，本发明进一步涉及减小了投影在晶片的网格结构体的影像的浓淡 对比度的EUV用防尘薄膜组件。
【背景技术】
[0002] 现在，半导体装置的高集成化，细微化正在进展，45nm左右的图案化也已经实用 化。对于该图案化，可以用以往的用准分子光的技术，即，使用ArF的液浸法以及二重曝光 等的技术来对应。但是，对下一代的更细微化的32nm以下的图案化，应用准分子光的曝光 技术就难以对应了，用与准分子光相比极短波长的以13. 5nm为主波长的EUV光的EUV曝光 技术被认为是今后的主流。
[0003] 进一步，关于该EUV曝光技术的实用化，虽然已经具有相当的进展，但是光源，光 刻胶以及防尘薄膜组件，还有很多要解决的技术的课题。例如，关于将决定制造成品率的高 低的来防止光掩模上异物附着的防尘用防尘薄膜组件，还有种种要解决的问题，这成了EUV 用防尘薄膜组件的实现上的障碍。另外，特别是，防尘薄膜的材料要不仅EUV光的透过率要 高，还要没有由于氧化等造成的随时间的变化以及具有化学安定行，但是该种材料的开发 还没有头绪。
[0004] 以往的EUV用防尘薄膜的材料中有种种问题，特别是，在有机材料中，具有不透 EUV光，分解老化的问题。现在，对EUV光的波长带具有完全的透明性的材料还不存在，例如 在下述的专利文献1以及非专利文献1中，记载了作为比较透明的材料的硅薄膜。
[0005] 这些硅的薄膜，从使EUV光的衰减减少的观点，优选尽量薄的，但是另一方面，这 些硅的薄膜，由于是厚度20nm的硅15nm的碳酸铷构成的纳米级的极薄薄膜，强度非常小， 由此，有不能单独作为EUV用防尘薄膜来使用的问题。
[0006] 为了对该问题加以解决，有人提议将有对该极薄膜进行补强作用的蜂窝形状的 结构物和硅的薄膜一体化。例如在专利文献2中，提议了具有对使用SOI(SiliconOn Insulator)的EUV用防尘薄膜有补强作用的蜂窝结构的网格结构体。
[0007] 作为该补强用的网格结构体，在蜂窝形状以外，还有正方形或长方形形状，或圆形 以及角形等的，另外配置有具有任意的形状的开口部的板状体等，只要能达到目的，什么形 状都可以使用。进一步，强度，根据网目的间隔，网目的边宽，网目的边的高度来进行决定， 间隔越窄，边宽越大，边越高，强度越大。
[0008] 但是，这种补强用的网格结构体，由于不透EUV光，所以在使用这种补强用的网格 结构体的场合，有必要设置可以透过EUV光的开口部。而且，为了将透过EUV用防尘薄膜组 件的EUV光的衰减压到最小，这种网格结构体的开口率必须提高，但是，如提高强度，网格 结构体的开口率就会降低，所以使用网格结构体进行的补强和透过率处于二律背反（你增 我减、我增你减）的关系，所以就必须设计符合使用时的条件以及制约的EUV用防尘薄膜组 件。
[0009] 为了用这样的用网格结构体补强的EUV用防尘薄膜组件，保护掩模的图案部不受 外部的灰尘以及粒子的侵害，可以使用如图10所示的那样的EUV曝光机。在这种EUV曝光 机中，分段机内的光源的1发出的EUV光，被作为照明光从与由防尘薄膜组件2和掩模3的 掩模的掩模图案面的垂线构成4 一 8°的角度的方向入射，通过防尘薄膜组件2到达掩模 3。这种到达掩模3EUV光，被掩模3反射，再一次通过防尘薄膜组件2,进入光学系统4,在 晶片5上成像。
[0010] 即，EUV光，以光源1 -防尘薄膜组件2 -掩模3 -防尘薄膜组件2 -光学系统 4 -晶片5的顺序通过，将掩模3上的图案向晶片5上投影转印，所以2次通过防尘薄膜组 件2。此时，如果防尘薄膜组件2如用上述那样的网格结构体进行补强的话，EUV光会被不 透EUV光的网格结构体遮断，网格结构体就会在晶片5上被作为影像而投影，从而阻碍曝光 作业。
[0011] 现有抟术f献
[0012] 专利f献
[0013] 【专利文献1】美国专利第6623893号说明书
[0014] 【专利文献2】日本特开2010 - 256434号
[0015] 非专利f献
[0016] 【非专利文献 1】Shroffetal."EUVpellicleDevelopmentforMask DefectControI，"EmergingLithographicTechnologiesX,ProcofSPIE Vol.6151615104-1(2006)
【发明内容】
[0017] 因此，本发明的目的，就是提供一种可以将在晶片上投影的网格结构体的影像的 浓淡对比度被减小了的EUV用防尘薄膜组件和使用该EUV用防尘薄膜组件的EUV用组合体 以及其组合方法。
[0018] 但是，EUV用防尘薄膜组件2,由为了将掩模3的图案部保护起来不受外部的灰尘 以及粒子的侵害而将防尘薄膜用网格结构体进行补强而成的防尘薄膜结构体和将该防尘 薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成。然后，虽然在图10中没有图示，但是，这种 防尘薄膜结构体，通常，在防尘薄膜组件框架的一方的面被保持，防尘薄膜组件框架的另一 面，在掩模3的图案面被固定。另外，掩模3,典型的为长方形，具有侧边。
[0019] 因此，这样的EUV用防尘薄膜组件在光路上配置的场合，防尘薄膜结构体和掩模3 的图案面，由于具有防尘薄膜组件框架的厚度为空间形成物，所以保持适当的距离。在本说 明书中，将这一种距离称作"间隔"，但是在防尘薄膜结构体和掩模3的图案面距离近的场 合，即防尘薄膜组件框架薄的场合，间隔值变小，距离大，即防尘薄膜组件框架厚的场合，间 隔值大。
[0020] -般的EUV曝光机的场合，要进行设计组成光学系统4,以使掩模3的图案的图像 正确地在晶片5上投影，由此，掩模3面上的图案像，即使将其形状缩小，也可以在晶片5上 进行正确成像。此时，只要光学系统4的焦点，由于掩模3的面和晶片5的面相合，所以不 与处于该面以外的物体对焦，由防尘薄膜和网格结构体构成的防尘薄膜结构体的图像，在 晶片5面上模糊成像。
[0021] 在此，所谓"模糊"，指防尘薄膜结构体的轮廓不清，同时由于成像的阴影像的部分 也有光线入射，所以，防尘薄膜结构体的影像的浓淡对比度变小。因此，这种模糊的程度越 大，防尘薄膜结构体的影像的浓淡对比度越小，所以如这种模糊的程度充分大，防尘薄膜结 构体的影像就会实质上看不见。
[0022] 如果EUV光为可干涉性高的光的场合，防尘薄膜结构体的影像不模糊而以浓淡对 比度大的影像转印在晶片上，但是，曝光机的照明光一般为可干涉性低的光线，并且，实际 具有从与掩模3的图案面的垂线成4一8°的角度的方向入射的角度，所以防尘薄膜结构体 的影像的部分也可以得到光，以模糊像在晶片5的表面上成像。
[0023] 因此，本发明人，从这种"模糊"的现象着眼，认识到，如果构成防尘薄膜结构体的 网格结构体的模糊的程度大，这种网格结构体的影像的浓淡对比度会变小，就会在晶片5 面上难以看见，从而这种网格结构体的影像的浓淡对比度就可以减小，在决定模糊的程度 的因素中，间隔和网格结构体的影像的浓淡对比度之间具有特定的关系，所以如将如网格 结构体的角度和间隔值进行适当地的设定，在晶片上成像的网格结构体的2种的影像的浓 淡对比度就可以减小。
[0024]S卩，本发明的EUV用防尘薄膜组件，为将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防 尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘 薄膜组件，其特征在于，网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组 件，所以在晶片上被投影为2种影像，对所述间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比 减小至25%以下，另外，所述间隔值，以设定为0? 3mm~I.Omm的范围内为优选。
[0025] 另外，本发明的EUV用组合体，包括由防尘薄膜被用网格结构体补强的防尘薄膜 结构体、将该防尘薄膜结构体加以保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件以 及带有具有侧边的掩模的EUV用组合体，而且，所述网格结构体，由于EUV光在掩模的面反