防尘薄膜组件用接着剂以及使用其的防尘薄膜组件的制作方法
【技术领域】
[000U 本发明，设及用例如，W13. 5皿为主波长的EUV巧xtreme叫traViolet)光进行 光刻时用的防尘薄膜组件用低外部气体性的接着剂W及用其的防尘薄膜组件。
【背景技术】
[0002] 在LSI,超LSI等的半导体制造或液晶显示板等的制造中，要对半导体晶片或液晶 用原板进行光照射来制作图案，此时，如果所用的光掩模或中间掩模（W下统称"光掩模"） 上有灰尘附着，尖端部就会不光滑，还会发生基底脏污等，使尺寸，品质，外观等受损等问 题。
[0003] 由此，该些的作业通常在无尘室中进行，但是，即使如此，也难保持光掩模的经常 清洁，所W，要在光掩模表面贴附灰尘去除的防尘薄膜组件后，再进行曝光。在该种场合，异 物就不会在光掩模的表面上直接附着，而是附着在防尘薄膜组件上，该样，在光刻时，只要 将焦点对准光掩模的图案，就不会有防尘薄膜组件上的异物转移到光掩模上。
[0004] 如此该样的防尘薄膜组件中，一般是将透光良好的硝化纤维素，己酸纤维素或氣 树脂等的透明的防尘薄膜在由侣，不诱钢，聚己締等构成的防尘薄膜组件框架的上端面上， 将防尘薄膜的良溶媒涂布后，风干接着（专利文献1参照），或者用丙締酸树脂和环氧树脂 等的接着剂进行接着（专利文献2参照）。另外，在防尘薄膜组件框架的下端面上，形成用 来将光掩模进行贴附的由聚了締树脂，聚己酸己締基树脂，丙締酸树脂，娃酬树脂等构成的 粘着剂层，W及用来保护粘着剂层的离型层（分离片）。
[0005] 然后，该样的防尘薄膜组件被安装在光掩模的表面上，在对在半导体晶片或液晶 用原版上形成的光刻蚀膜进行曝光的场合，由于灰尘等的异物附着在防尘薄膜组件的表面 上而不是直接附着在光掩模的表面上，从而在用曝光用的光进行照射时，灰尘等异物的影 响就可W避免。
[0006] 但是，近年来，半导体装置W及液晶显示板，越来越高度集成化，细微化。现在， 32nm程度的细微图案在光刻蚀膜上形成技术也逐渐实用化。在32nm左右的图案的场合，用 现有的准分子激光的改良技术还可W对应，即采用半导体晶片或液晶用原版和投影透镜之 间充满超纯水等液体，用ArF准分子激光，对光刻蚀膜进行曝光的液浸曝光技术和二重曝 光等。
[0007] 但是，次世代的半导体装置和液晶显示板中，要求形成进一步细微化的lOnmW下 的图案，如此该样的细微化的lOnmW下的图案的形成，用W往的准分子激光加W改良来进 行对应就不可能了。
[0008] 作为10皿W下的图案的形成方法，使用主波长13. 5皿的EUV光最好。但是使用 该样的EUV曝光技术，在光刻蚀膜上，进行lOnmW下的细微的图案的制作，就有必要解决使 用哪样的光源，什么样的光刻蚀剂，使用什么样的防尘薄膜组件等等技术的课题，在该些技 术的课题中，有关新的光源和新的光刻蚀材料，研究开发有进展，有各种的提议。
[0009] 关于左右半导体装置或液晶显示板的合格率的防尘薄膜组件，在例如在专利文献 3中，关于在EUV光刻中使用的防尘薄膜，虽然记载了透明且不发生光学变形的厚度0. 1~ 2. 0ym的娃膜，但是还存在有未解決的问题，该在EUV曝光技术的应用上变成障碍。
[0010] 先有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1日本特开昭58 - 219023号公报
[0013] 专利文献2日本特公昭63 - 27707号公报
[0014] 专利文献3美国专利第6623893号说明书
[0015] 特别是，关于将防尘薄膜贴附于防尘薄膜组件框架所使用的接着剂的材料，W往 的用i线（波长365nm)、氣化氯（Kr巧准分子激光（波长248nm)或ArF准分子激光（波 长193nm)的曝光中，仅考虑接着力进行选择，但是，在使用EUV曝光技术在光刻蚀膜中形成 lOnmW下的细微的图案的场合，有必要在曝光室内保持真空，但是W往的接着剂却发生外 部气体，该种外部气体会污染防尘薄膜和光掩模，难W形成细微的图案。另外，例如，在EUV 曝光技术中，曝光时由于曝光的能量，防尘薄膜组件会变为高温，所W有必要使用可W耐高 温的耐热性接着剂。
[0016] 由此，本发明，就是鉴于上述情况而成的。本发明的目的是提供一种在使污染光掩 模的外部气体的发生降低的同时，具有耐高温的耐热性防尘薄膜组件用接着剂W及使用其 的防尘薄膜组件。
[0017] 本发明人为了解决上述课题，在多种的接着剂的中，着眼于娃酬系接着剂，得知如 按ASTM_E595 - 93的实验方法，满足TML为1.0%w下，CVCM为0. 1%W下的条件的娃 酬系接着剂具有低外部气体性，其可W在EUV曝光技术中加W利用，效果良好。
【发明内容】
[0018]目P，本发明，为一种用于将防尘薄膜贴附于防尘薄膜组件框架的低外部气体性的 防尘薄组件用接着剂，其特征在于，该种接着剂为娃酬系接着剂，关于该接着剂的外部气体 性，按ASTM_E595 - 93中的实验方法，TML要满足1.0%w下，CVCM要满足0. 1%W下。
[0019] 在此，所谓TML为重量减少值（TotalMassLoss)。所谓CVCM，为再凝集物质量比 (CollectedVolatileCondensableMaterials)。
[0020] 另外，本发明的接着剂，优选具有可W耐100°C~200°C的高温的耐热性。
[0021] 本发明的防尘薄膜组件，为使用满足上述条件的接着剂的防尘薄膜组件，特别是 为优选在EUV曝光时，可W暴露于100°C~200°C的温度防尘薄膜组件，该防尘薄膜组件 为将防尘薄膜用上述可耐l〇〇°C~200°C的高温的接着剂贴附于防尘薄膜组件框架上而形 成。
[00巧发明的效果
[0023] 本发明的接着剂，即使使用EUV曝光技术，在曝光室内保持真空，暴露于高温，从 接着剂发生的外部气体也少，并且具有耐100°cW上的耐热性，所W，可W防止防尘薄膜和 光掩模的污染，在光刻蚀膜上形成lOnmW下的细微图案。
【附图说明】
[0024] 图1使用低外部气体性接着剂的防尘薄膜组件的纵截面图。
[0025] 图2本发明中使用的接着剂涂布装置的概略说明图。
【具体实施方式】
[0026]W下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，但是，本发明并不限于此。
[0027] 图1，为使用低外部气体性接着剂13的防尘薄膜组件的一实施方式的纵截面图。 该防尘薄膜组件1被贴附于基板（光掩模或其玻璃基板部分；未图示）上，形状通常为四角 框状（长方形框状或正方形框状），在防尘薄膜组件框架12的上端面，通过接着剂13防尘 薄膜11被綱紧设置。
[002引所述防尘薄膜11，防尘薄膜组件框架12的材质没有特别的限制，可W使用公知 物。防尘薄膜11，优选使用单晶娃，多晶娃，非晶质娃等对抓V光透过性高的材料。另外，为 了对防尘薄膜11进行保护，也可W有SiC，Si02,SIsNa，SiON，Y203,YN，Mo,RuW及化等的 保护膜。作为防尘薄膜组件框架12的材质，从放热性，加工性，强度的点来看优选金属制。
[0029] 本发明的低外部气体性的接着剂13,在防尘薄膜组件框架12的上端部的全周进 行涂布，将防尘薄膜11贴附于防尘薄膜组件框架12上。然后，作为本发明的接着剂13,为娃 酬系接着剂，其外部气体性，为在ASTM_E595 - 93的下述实验条件下，满足TML为1.0% W下，CVCM为0. 1 %W下。该娃酬系接着剂具有低外部气体性，作为抓V防尘薄膜组件用接 着剂特别适宜。
[0030]ASTM_E595 _ 93 的实验条件
[0031] 真空度；7.0Xl〇-日TorrW下
[0032] 加热椿温度；125°C
[0033] 冷却板温度；25°C
[0034] 实验时间；24小时
[00对在此，TML为重量减少值（TotalMassLoss)。
[0036]CVCM为再凝集物质量比（CollectedVolatileCondens油leMaterials)。
[0037] 作为满足上述条件的具体的低外部气体性的娃酬系接着剂的一例，为信越化学工 业株式会社的市售的娃酬系的KE- 101A/B(产品名）。该种KE- 101A/B，外部气体少，有 耐热性，适宜使用。另外，该种KE- 101A/B，为二液室温硬化型，本发明的接着剂13,硬化 方式没有限制，一液加热硬化型或紫外线硬化型等的硬化方式也可W。
[003引本发明的接着剂13,特别适宜于抓V防尘薄膜组件用，但是在抓V曝光时根据曝光 的能量，防尘薄膜组件本体会暴露在l00°C~200°C的高温下，所W优选具有耐住该种高温 的充分的耐热性。<