一种coa基板、显示装置以及coa基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种COA基板、显示装置以及COA基板的制作方法。
【背景技术】
[0002]COA(Color Filter on Array)技术是将彩膜层6直接制备在阵列基板上的技术，由此技术得到的阵列基板称为COA基板，所述COA基板的基本结构参见图1所示，在透明基板9上依次形成薄膜晶体管3、彩膜层6和像素电极8，其中，薄膜晶体管3包括:源极31和漏极32，且所述薄膜晶体管3的漏极32上方设置有贯穿彩膜层6的彩膜过孔61，像素电极8通过所述彩膜过孔61与漏极32电连接。因为COA显示面板不存在彩膜基板与阵列基板的对位问题，所以可以降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，因此黑色矩阵可以设计为窄线宽，提高了像素的开口率。
[0003]但是，随着液晶显示器的分辨率不断提高，显示面板要求的像素单元尺寸越来越小，现有技术中彩膜过孔61设置于所述漏极32上方，通常彩膜过孔61的尺寸较大，使得所述漏极相应较大，进而影响像素的开口率，而同时漏极较大时容易对彩膜过孔61 —侧的光进行反射而导致液晶显示器漏光，进而影响液晶显示器的显示效果。
【发明内容】
[0004]本发明的主要目的在于，提供一种COA基板、显示装置以及COA基板的制作方法，能够为减小漏极尺寸提供条件，进而提高像素的开口率，同时能够有效降低漏极反射造成的漏光。
[0005]为达到上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0006]一方面，本发明实施例提供一种COA基板，包括:交叉设置的栅线和数据线、薄膜晶体管，还包括:
[0007]设置在包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形之上的钝化层图形；所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔；
[0008]设置在所述钝化层图形之上的第二导电层图形，所述第二导电层图形包括位于遮光区域内，且通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的导接图形；所述遮光区域为所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域；
[0009]设置在所述第二导电层图形之上的彩膜层图形，所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔。
[0010]可选的，所述基板还包括:
[0011]设置在所述钝化层图形之上、且所述第二导电层图形之下的黑矩阵；所述黑矩阵位于除所述第一过孔所在位置的所述遮光区域内。
[0012]优选的，所述基板还包括:设置在所述彩膜层图形之上的像素电极层图形；所述像素电极层图形包括多个像素电极，且所述像素电极通过所述第二过孔与所述导接图形连接。
[0013]进一步优选的，所述第二导电层图形的材料为ITO。
[0014]另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包含如上述所述的COA基板。
[0015]再一方面，本发明实施例提供一种COA基板的制作方法，包括:形成栅线、以及包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形的步骤，还包括:
[0016]在所述第一导电层图形上形成钝化层图形，所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔；
[0017]在所述钝化层图形上形成第二导电层图形；所述第二导电层图形包括位于遮光区域内，且通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的导接图形；所述遮光区域为所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域；
[0018]在所述第二导电层图形上形成彩膜层图形，且所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔。
[0019]可选的，在所述第一导电层图形上形成钝化层图形之后，在所述钝化层图形上形成第二导电层图形之前，还包括:
[0020]在位于除所述第一过孔所在位置的所述遮光区域内，形成黑矩阵。
[0021]优选的，在形成所述第二导电层图形之后，所述方法还包括:
[0022]在所述彩膜层图形之上形成像素电极层图形，所述像素电极层图形包括多个像素电极，且所述像素电极通过所述第二过孔与所述导接图形连接。
[0023]本发明实施例提供一种COA基板、显示装置以及COA基板的制作方法，其中，彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔，由于所述第二过孔为彩膜过孔，彩膜过孔的尺寸较大，通过将所述彩膜过孔形成于所述导接图形上方，这样使得彩膜过孔的尺寸只会影响到导接图形的尺寸，而与漏极尺寸无关，因此可以为减小漏极的尺寸提供条件；并且，由于导接图形位于所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域，具有较大的空间可以容纳所述第二过孔，此时无需像现有技术一样增大漏极尺寸，从而相对于现有技术而言减小了遮光区域，提高像素的开口率。同时，由于无需增大漏极尺寸，因此能够在一定程度上降低漏极反射所造成的漏光，从而提升产品的显示品质。解决了现有技术中彩膜过孔形成于所述漏极上方，使得漏极尺寸相应较大，造成产品的开口率降低以及漏极反射容易引起漏光的问题。
【附图说明】
[0024]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术提供的一种COA基板剖面结构示意图；
[0026]图2为本发明实施例提供的一种COA基板的俯视结构示意图；
[0027]图3为本发明实施例提供的一种COA基板从图2BB'方向的剖面结构示意图；
[0028]图4为本发明实施例提供的在图3的基础上设置有黑矩阵的一种COA基板剖面结构示意图；
[0029]图5为本发明实施例提供的在图4的基础上设置有像素电极层图形的一种COA基板剖面结构示意图；
[0030]图6为本发明实施例提供的在透明基板上形成栅线以及栅极的俯视图；
[0031]图7为本发明实施例提供的在图6的基础上形成有源层的俯视图；
[0032]图8为本发明实施例提供的在图7的基础上形成数据线、以及薄膜晶体管的源极与漏极的俯视图；
[0033]图9为本发明实施例提供的在图8的基础上形成具有对应漏极位置第一过孔的钝化层图形的俯视图；
[0034]图10为本发明实施例提供的在图9的基础上形成在遮光区域内与所述漏极电连接的导接图形的俯视图。
【具体实施方式】
[0035]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0037]实施例一
[0038]本发明实施例提供一种COA基板，参见图2与图3，该COA基板包括:交叉设置的栅线I和数据线2、薄膜晶体管3，设置在包括所述数据线2、所述薄膜晶体管3的源极31和漏极32的第一导电层图形之上的钝化层图形4 ;所述钝化层图形4具有对应漏极32位置的第一过孔41 ;此处的“对应”是指，从垂直于透明基板9的方向来看，漏极32和第一过孔41具有交叠的区域，通常第一过孔41在漏极32所在区域以内，以保证漏极32可通过第一过孔41与其他图形连接。在本实施例中，漏极32需要与导接图形51连接，关于导接图形51在下面会详细介绍。
[0039]其中，在本发明所有实施例中，将由第一导电层薄膜经构图得到的图形统称为第一导电层图形。其中构图工艺一般包括掩膜、曝光、显影等工艺，当然还可以进一步包括刻蚀、剥离等。需要说明的是，第一导电层图形仅包括数据线2和源极31和漏极32这些图形夕卜，还可以根据需要进一步包括其他图形，如数据线引线等。
[0040]所述COA基板还包括:参见图2与