所述栅绝缘层上形成有源层具体为:参见图7，可以利用化学气相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体薄膜，然后对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用普通的掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层33即可。
[0064]进而，采用和制作栅线I类似的方法，在基板上沉积一层类似于栅金属的金属薄膜，参见图8，通过构图工艺处理在一定区域形成第一导电层图形(包括源极31、漏极32和数据线2)。
[0065]2、参见图9，在所述第一导电层图形上形成钝化层图形，所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔41 (其中，图9中仅表示出钝化层图形的第一过孔41，钝化层图形可以参照图3中的4)。
[0066]具体的，可以在形成有第一导电层图形的透明基板9上通过溅射、沉积、涂覆等成膜工艺制作一层钝化层，其材料通常是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等，采用掩膜板曝光、显影等构图工艺，或进一步通过刻蚀、剥离等构图工艺处理，形成具有对应漏极位置的第一过孔41的钝化层图形。
[0067]3、参见图10，在所述钝化层图形上形成第二导电层图形；所述第二导电层图形包括位于遮光区域A内，且通过所述第一过孔41与所述薄膜晶体管的漏极32连接的导接图形51 ;所述遮光区域A为所述栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管所限定的区域。
[0068]具体的，可以在所述钝化层图形上涂覆一层导电层，其材料通常采用ITO材料，通过用掩膜板曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，形成第二导电层图形，所述第二导电层图形包括位于遮光区域A内(即所述栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管所限定的区域)，通过所述第一过孔41与所述薄膜晶体管3的漏极32电连接的导接图形51。
[0069]4、参见图2，在所述第二导电层图形上形成彩膜层图形，且所述彩膜层图形具有对应所述导接图形51的第二过孔61 (其中，图2中仅表示出彩膜层图形的第二过孔61，彩膜层图形可以参照图3中的6)。
[0070]示例性的，在形成有第二导电层图形的透明基板9上涂覆一层彩色薄膜，并采用构图工艺形成彩膜层图形，通常该彩膜层图形包括:红、绿、蓝这三种基色图形，当然还可以进一步包括白色的基色图形；之后，再次采用构图工艺在彩膜层上对应导接图形51的位置形成第二过孔61，从而得到彩膜层图形(参见图3中的6)。
[0071]或者，可以改变形成任一或多个基色图形时所使用的掩膜版，以便在形成这些基色图形时形成第二过孔61。
[0072]本发明实施例提供一种COA基板的制作方法，其中，彩膜层图形6具有对应所述导接图形51的第二过孔61，由于所述第二过孔61为彩膜过孔，彩膜过孔61的尺寸较大，通过将所述彩膜过孔61形成于所述导接图形51上方，这样使得彩膜过孔61的尺寸只会影响到导接图形51的尺寸，而与漏极32尺寸无关，因此可以为减小漏极32的尺寸提供条件；并且，由于导接图形51位于所述栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管3所限定的区域，具有较大的空间可以容纳所述第二过孔61，此时无需像现有技术一样增大漏极32尺寸，从而相对于现有技术而言减小了遮光区域A，提高像素的开口率。同时，由于无需增大漏极32尺寸，因此能够在一定程度上降低漏极32反射所造成的漏光，从而提升产品的显示品质。解决了现有技术中彩膜过孔形成于所述漏极上方，使得漏极尺寸相应较大，造成产品的开口率降低以及漏极反射容易弓I起漏光的问题。
[0073]为了减小所述第一导电层图形与所述第二导电层图形之间的耦合电容，提高画面显示质量，优选的，参见图4，在所述第一导电层图形上形成钝化层图形4之后，在所述钝化层图形4上形成第二导电层图形之前，还包括:
[0074]在位于除所述第一过孔41所在位置的所述遮光区域内，形成黑矩阵7。
[0075]具体的，在所述导接图形上涂覆一层黑色树脂薄膜，然后对黑色树脂薄膜进行一次构图工艺形成黑矩阵，用普通的掩模板对基板进行曝光、显影等形成即可。其中，图9中仅表示出钝化层图形的第一过孔41，黑矩阵可以参照图4中的7)。
[0076]优选的，在形成所述第二导电层图形之后，所述方法还包括:
[0077]在所述彩膜层图形之上形成像素电极层图形，所述像素电极层图形包括多个像素电极，且所述像素电极通过所述第二过孔61与所述导接图形51连接，其中，图2中仅表示出彩膜层图形的第一过孔41，像素电极可以参照图5中的8。
[0078]具体的，采用磁控溅射的方法在所述彩膜层图形上沉积ITO薄膜，然后经过曝光、显影、刻蚀形成所述像素电极层图形。
[0079]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种COA基板，包括:交叉设置的栅线和数据线、薄膜晶体管，其特征在于，还包括: 设置在包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形之上的钝化层图形；所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔； 设置在所述钝化层图形之上的第二导电层图形，所述第二导电层图形包括位于遮光区域内，且通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的导接图形；所述遮光区域为所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域； 设置在所述第二导电层图形之上的彩膜层图形，所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔。
2.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，所述基板还包括: 设置在所述钝化层图形之上、且所述第二导电层图形之下的黑矩阵；所述黑矩阵位于除所述第一过孔所在位置的所述遮光区域内。
3.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，还包括:设置在所述彩膜层图形之上的像素电极层图形；所述像素电极层图形包括多个像素电极，且所述像素电极通过所述第二过孔与所述导接图形连接。
4.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，所述第二导电层图形的材料为ΙΤ0。
5.一种显示装置，其特征在于，包含权利要求1-4任一项所述的COA基板。
6.一种COA基板的制作方法，包括:形成栅线、以及包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形的步骤，其特征在于，还包括: 在所述第一导电层图形上形成钝化层图形，所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔； 在所述钝化层图形上形成第二导电层图形；所述第二导电层图形包括位于遮光区域内，且通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的导接图形；所述遮光区域为所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域； 在所述第二导电层图形上形成彩膜层图形，且所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一导电层图形上形成钝化层图形之后，在所述钝化层图形上形成第二导电层图形之前，还包括: 在位于除所述第一过孔所在位置的所述遮光区域内，形成黑矩阵。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述第二导电层图形之后，所述方法还包括: 在所述彩膜层图形之上形成像素电极层图形，所述像素电极层图形包括多个像素电极，且所述像素电极通过所述第二过孔与所述导接图形连接。
【专利摘要】本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种COA基板、显示装置以及COA基板的制作方法。能够为减小漏极尺寸提供条件，进而提高像素的开口率，同时能够有效降低漏极反射造成的漏光。本发明实施例提供一种COA基板，包括设置在包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形之上的钝化层图形；所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔；设置在所述钝化层图形之上的第二导电层图形，所述第二导电层图形包括位于所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域内，且通过所述第一过孔与所述漏极连接的导接图形；设置在所述第二导电层图形之上的彩膜层图形，所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔。
【IPC分类】H01L27-12, G02F1-1362
【公开号】CN104808408
【申请号】CN201510249892
【发明人】操彬彬, 黄寅虎, 文锺源
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年5月15日