Tft阵列基板的制作方法

文档序号:8487084阅读:375来源:国知局
Tft阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点,得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等,在平板显示领域中占主导地位。
[0003]通常液晶显示面板由一彩色滤光片基板(Color Filter, CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成,并分别在两基板的相对内侧设置像素电极、公共电极,通过施加电压控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。TFT阵列基板上形成有多个呈阵列式排布的R、G、B子像素、多条扫描线、及多条数据线。每一子像素分别通过对应的扫描线来接收扫描信号、通过对应的数据线来接收数据信号,以显示影像。
[0004]就目前主流市场上的IXD显示面板而言,可分为三种类型,分别是扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型,平面转换(In-Plane Switching, IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment, VA)型。其中,VA 型液晶显示面板相比其他种类的液晶显示面板具有极高的对比度,在大尺寸显示,如电视等方面具有非常广的应用。但由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶,液晶分子双折射率的差异比较大,导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重,使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大,造成画面失真。
[0005]2D IG、2GID、或电阻分压技术是目前解决VA型液晶显示面板色偏问题的常用技术。请参阅图1,现有的一种采用2D1G技术的TFT阵列基板,包括阵列式排布的多个子像素,每一子像素均分为主区Main与次区Sub,每一子像素的主区Main连接一主区TFT,每一子像素的次区Sub连接一次区TFT,对应每一行子像素设置一条扫描线Gate,对应每一列子像素设置分别位于其左、右两侧的次区数据线、与主区数据线,所述次区数据线通过次区TFT提供次数据信号Sdata至所述次区Sub,所述主区数据线通过主区TFT提供主数据信号Mdata至所述主区Main。如图2所示,所述主数据信号Mdata与公共电压COM之间的电位差大于所述次数据信号Sdata与公共电压COM之间的电位差,使得主区Main与次区Sub的充电率不同,从而在不同的视角下提高色彩还原度,改善色偏。
[0006]上述现有的采用2D1G技术的TFT阵列基板虽然能够改善色偏,但这种设计需要将数据线的数目增加一倍,不仅使驱动IC的成本增加,还会造成扇出区(Fanout)拥挤,加剧阻容延迟(RC),降低充电效率,影响产品的竞争力。

【发明内容】

[0007]本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板,能够在不增加数据线数目的前提下改善VA型液晶显示面板的色偏问题,降低液晶显示面板的成本。
[0008]为实现上述目的,本发明提供一种TFT阵列基板,包括:显示区、非显示区;
[0009]所述显示区内设有:
[0010]多条相互平行并依次排列的竖直的数据线、多条相互平行并依次排列的水平的扫描线、及呈阵列式排布的多个子像素;
[0011]每一子像素均分为主区与次区;每一子像素的主区连接一主区TFT,每一子像素的次区连接一次区TFT ;
[0012]对应每一行子像素设置分别位于该行子像素上、下两侧的上扫描线、与下扫描线;
[0013]对应每相邻的两列子像素设置位于该相邻的两列子像素之间的一条数据线;所述数据线包括:主数据线、与次数据线,所述主数据线、与次数据线沿水平方向依次交替排列;位于每条主数据线两侧的各子像素的主区通过对应的主区TFT共同电性连接于该主数据线,位于每条次数据线两侧的各子像素的次区通过对应的次区TFT共同电性连接于该次数据线;
[0014]所述非显示区内设有:
[0015]位于所述显示区上方的源极驱动器、分别位于所述显示区左、右两边的第一 GOA驱动电路、与第二 GOA驱动电路;
[0016]所述源极驱动器产生主数据信号、与次数据信号并对应传递给主数据线、与次数据线;
[0017]所述第一 GOA驱动电路与第二 GOA驱动电路分别于显示区左、右两边对所有扫描线进行双边驱动。
[0018]在同一行子像素中,对应于每一子像素的主区TFT的栅极连接上扫描线或下扫描线,而次区TFT的栅极连接不同于主区TFT栅极所连接扫描线的另一扫描线。
[0019]在同一行子像素中,每相邻两列的子像素的排列方式相同,均设置主区位于次区上方,或次区位于主区上方。
[0020]在同一行子像素中,每相邻两列的子像素的排列方式不同,其中一列子像素设置主区位于次区上方,另一列子像素设置次区位于主区上方。
[0021]在同一行子像素中,对应连接每相邻两列子像素主区的两个主区TFT,其中一个主区TFT的栅极连接对应于该行子像素的上扫描线,另一个主区TFT的栅极连接对应于该行子像素的下扫描线。
[0022]在同一行子像素中,对于主区位于次区上方的子像素,相应的主区TFT的栅极连接对应于该行子像素的上扫描线;对于次区位于主区上方的子像素,相应的主区TFT的栅极连接对应于该行子像素的下扫描线。
[0023]所述阵列排列的多个子像素包括:沿水平方向依次交替排列的红色子像素、绿色子像素、及蓝色子像素。
[0024]在同一行子像素中,所有连接红色子像素主区的主区TFT的栅极连接对应该行子像素的上扫描线,所有连接红色子像素次区的次区TFT的栅极连接对应该行子像素的上扫描线,所有连接绿色子像素主区的主区TFT的栅极连接对应该行子像素的下扫描线,所有连接绿色子像素次区的次区TFT的栅极连接对应该行子像素的下扫描线,使得红色子像素先于绿色子像素充电。
[0025]在同一行子像素中,所有连接绿色子像素主区的主区TFT的栅极连接对应该行子像素的上扫描线,所有连接绿色子像素次区的次区TFT的栅极连接对应该行子像素的上扫描线,所有连接红色子像素主区的主区TFT的栅极连接对应该行子像素的下扫描线,所有连接红色子像素次区的次区TFT的栅极连接对应该行子像素的下扫描线,使得绿色子像素先于红色子像素充电。
[0026]所述主数据信号与公共电压之间的电位差大于所述次数据信号与公共电压之间的电位差。
[0027]本发明的有益效果:本发明提供的一种TFT阵列基板,相比于现有的采用2D1G技术的TFT阵列基板,增加了扫描线的数目使得数据线数目减半,将数据线分为主数据线、与次数据线,由主数据线控制位于其两侧子像素的主区,由次数据线控制位于其两侧子像素的次区,并在显示区的左、右两边分别设置一 GOA驱动电路对所有扫描线进行双边驱动,既能够改善VA型液晶显示面板的色偏问题,又能够保证充电效率,降低液晶面板的成本。
[0028]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0029]下面结合附图,通过对本发明的【具体实施方式】详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0030]附图中,
[0031]图1为现有的一种采用2D1G技术的TFT阵列基板的示意图;
[0032]图2为对应图1中主、次数据信号的波形示意图;
[0033]图3为本发明的TFT阵列基板的结构示意图;
[0034]图4为本发明的TFT阵列基板的显示区的第一实施例的示意图;
[0035]图5为本发明的TFT阵列基板的显示区的第二实施例的示意图;
[0036]图6为本发明的TFT阵列基板的显示区的第三实施例的示意图;
[0037]图7为本发明的TFT阵列基板的显示区的第四实施例的示意图。
【具体实施方式】
[0038]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0039]本发明提供一种TFT阵列基板。请参阅图3,并结合图4,为本发明的第一实施例,该TFT阵列基板包括:显示区1、与设在显示区I周围的非显示区2。
[0040]所述显示区I内设有:多条相互平行并依次排列的竖直的数据线、多条相互平行并依次排列的水平的扫描线、及呈阵列式排布的多个子像素。
[0041]每一子像素均分为主区(以面积较小的矩形示意)与次区(以面积较大的矩形示意);每一子像素的主区连接一主区TFT TM,每一子像素的次区连接一次区TFT TSo在图4所示的第一实施例中,在同一行子像素中,每相邻两列的子像素的排列方式相同,均设置主区位于次区上方,当然也可设置次区位于主区上方(未图示)。
[0042]对应每一行子像素设置分别位于该行子像素上、下两侧的上扫描线Gate、与下扫描线Gate’,所述上扫描线Gate控制对应与其连接的主区TFT TM与次区TFT TS,所述下扫描线Gate’控制对应与其连接的主区TFT TM与次区TFT TS。对应每相邻的两列子像素设置位于该相邻的两列子像素之间的一条数据线;所述数据线包括:主数据线MD、与次数据线SD,所述主数据线MD、与次数据线SD沿水平方向依次交替排列。位于每条主数据线MD两侧的各子像素的主区通过对应的主区TFT TM共同电性连接于该主数据线MD,位于每条次数据线SD两侧的各子像素的次区通过对应的次区TFT TS共同电性连接于该次数据线SDo在图4所示的第一实施例中,在同一行子像素中,对应于每一子像素的主区TFT TM的栅极连接上扫描线Gate或下扫描线Gate’,而次区TFT TS的栅极连接不同于主区TFT TM栅极所连接扫描线的另一扫描线,进一步地,在同一行子像素中,对应连接每相邻两列子像素主区的两个主区TFT TM,其中一个主区TFT TM的栅极连接对应于该行子像素的上扫描线Gate,另一个主区TFT TM的栅极连接对应于该行子像素的下扫描线Gate’。例如在图4中第一行第一列的子像素,与其对应的主区TFT TM的栅极电性连接于上扫描线Gate,则
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