Tftlcd框架的制作方法

文档序号:9260811阅读:269来源:国知局
Tft lcd框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种框架,尤其涉及TFT LCD面板使用的框架结构。
【背景技术】
[0002]传统的TFT IXD框架由金属板整体冲压或切割成口字型框架,采用这种方法来制作TFT IXD框架产生大量的废料,造成资源的严重浪费。后来,TFT-1XD框架制造商采用金属板切割成L型工件,在对接成口字型IXD框架,使材料的使用率提高很多。
[0003]随着显示器面板尺寸的不断增大,中央部分的材料损失也相对变大,现有技术中的框架结构以及其他类似的口字型框架,由于两块L形工件大小相等,在冲压切割时造成的边角料依然较多,增加了产品的生产成本。

【发明内容】

[0004]本发明的目的是提供一种能够减少边角料,降低生产成本的TFT IXD框架。
[0005]根据本发明的一个方面,提供了一种TFT LCD框架,框架由两框架构件首尾拼接而成,框架构件为L”字型,包括长边,宽边,突出部以及凹陷部,突出部设置于宽边底部一侧,宽边底部未设置突出部的另一侧设置有凹陷部,两框架构件首尾相连拼接成口字型框架;框架构件表面上靠近框架内侧位置设有定位孔,两框架构件间通过铆合、焊接或熔接将其接合在一起。
【附图说明】
[0006]图1为本发明一实施方式的TFT IXD框架的示意图;
[0007]图2为本发明一实施方式的TFT IXD框架中一框架构件示意图;
[0008]图3为本发明一实施方式的TFT IXD框架的取材示意图;
[0009]图4为本发明一实施方式的TFT IXD框架的焊接示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述说明。
[0011]图1与图2示意性地显示了根据本发明一实施方式中的TFT IXD框架,如图1所示,该TFT LCD框架由两结构相同,尺寸一致的框架构件100组成。如图2所示,框架构件100为“L”字型,包括长边101,宽边103,突出部105以及凹陷部107,突出部105设置于宽边103底部一侧,宽边103底部未设置突出部105的另一侧设置有凹陷部107。两框架构件100首尾相连拼接成口字型框架。
[0012]框架构件表面上靠近框架内侧位置设置有定位孔200。焊接时,定位孔200套设于焊接治具上的定位销上,使工件固定,不会发生偏移,保证了焊接的准确度。
[0013]图3示意性地显示了本发明制造取材的实施例。如图所示,将一整片金属材料冲制成复数个框架构件100。在金属材料中,相邻两框架构件中,一框架构件的突出部105与相邻另一框架构件的凹陷部107咬合连接,复数个框架构件按照这样的连接方式依次排列。
[0014]图4示意性地显示了本发明的焊接示意图。如图4所示,从金属板上取下并分离出相邻两框架构件100,余下部分为边角料109.将第两框架构件100上的的定位孔200套设于焊接治具的定位销300上。两框架构件100首尾互相接合成一体,形成口字型框体结构,然后对接合处进行焊接。使得焊接过程中框架构件不会发生松动或者偏移,提高了焊接的精度。其中,两框架构件间的接合方式为铆合、焊接或是熔接。
[0015]应当理解,虽然本说明书按照实施例加以描述,但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施例。
[0016]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施例的具体说明,它们并非用以限制本发明的保护范围,凡未脱离本发明的等效实施例或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.TFT LCD框架,其特征在于,所述框架由两框架构件(100)首尾拼接而成,所述框架构件(100)为L”字型,包括长边(101),宽边(103),突出部(105)以及凹陷部(107),所述突出部(105)设置于所述宽边(103)底部一侧,所述宽边(103)底部未设置所述突出部(105)的另一侧设置有所述凹陷部(107),两框架构件(100)首尾相连拼接成口字型框架;所述框架构件(100)表面上靠近框架内侧位置设有定位孔(200),所述两框架构件间通过铆合、焊接或熔接将其接合在一起。
【专利摘要】本发明公开一种TFT LCD框架,包括两结构相同、尺寸一致的框架构件,框架构件为“L”字型,包括长边、宽边,突出部以及凹陷部。本发明的有益效果在于,提高了原始板材的利用率,降低了成本,避免了资源的浪费。且通过框架上设有的定位孔套设于焊接治具的定位销上,保证了焊接的精度。
【IPC分类】G02F1/1333
【公开号】CN104977742
【申请号】CN201510320477
【发明人】吴志明
【申请人】吴志明
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年6月5日
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