图形5围绕于红色色转换图形31的侧面以及绿色色转换图形32的侧面，从而避免相邻的红色色转换图形31与绿色色转换图形32之间相互激发。
[0043]此外，在COA基板的实际使用中，由于现有的黑矩阵图形5的材料的介电常数较大，因此该黑矩阵图形5会对基板中的薄膜晶体管TFT的性能和信号走线中的传输信号产生影响。需要说明的是，本实施例中的信号走线具体是指栅线(未示出)和数据线6。
[0044]为解决上述技术问题，本实施例在栅线、数据线6和薄膜晶体管TFT与黑矩阵图形5之间设置支撑图形4，黑矩阵与栅线、数据线和薄膜晶体管之间均绝缘，该支撑图形4可使得栅线、数据线6和薄膜晶体管TFT与黑矩阵图形5之间的距离变大，从而可减小黑矩阵图形5对栅线、数据线6和薄膜晶体管TFT的影响。作为一种具体实施方案，在薄膜晶体管TFT的上方形成有钝化层2，该支撑图形4位于钝化层2的上方。
[0045]需要说明的是，上述在栅线、数据线6和薄膜晶体管TFT三者与黑矩阵图形5之间均设置支撑图形4的技术方案仅为本实施例的一种优选方案。本实施例中可在栅线和数据线6，栅线、数据线6和薄膜晶体管TFT中的至少一个结构与黑矩阵图形5之间设置该支撑图形4，以减小黑矩阵图形5对相应结构的影响。
[0046]本实施例中，支撑图形的材料可与红色色转换图形31或绿色色转换图形32的材料相同。其中，当支撑图形的材料与红色色转换图形的材料相同时，支撑图形与红色色转换图形同层设置；当支撑图形的材料与绿色色转换图形的材料相同时，支撑图形与绿色色转换图形同层设置。此时，与红色色转换图形31的材料相同的支撑图形4可与红色色转换图形31在同一次构图工艺中形成，与绿色色转换图形32的材料相同的支撑图形4可与绿色色转换图形32在同一次构图工艺中形成。
[0047]当支撑图形4的材料与红色色转换图形31或绿色色转换图形32的材料相同时，黑矩阵图形5还围绕于支撑图形4的侧面。本实施例中以位于薄膜晶体管TFT上方的支撑图形4为例，此时背光源产生的光线会部分透过薄膜晶体管TFT以激发支撑图形4进行发光，此时会有部分光线从支撑图形4的侧面射出，从而影响显示面板的显示效果。为解决上述问题，本实施例还将黑矩阵图形5围绕于支撑图形4的侧面，以遮挡从支撑图形4的侧面射出的光线。
[0048]本发明实施例一还提供了一种显示基板的制备方法，该制备方法用于制备上述的显示基板。
[0049]图3为本发明实施例一提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图3所示，该制备方法具体包括:
[0050]步骤S1:在衬底基板I的上方形成薄膜晶体管TFT。
[0051 ] 在步骤SI中，该衬底基板I可以为玻璃基板或树脂材料基板。该薄膜晶体管TFT可采用现有技术中任意一种薄膜晶体管TFT的制备方法得以制备。本领域技术人员应该知晓的是，在制备薄膜晶体管TFT的过程中同时制备出栅线和数据线。
[0052]步骤S2:在衬底基板的上方对应于红色发光区域内形成红色色转换图形，以及在衬底基板的上方且对应于绿色发光区域内形成绿色色转换图形。
[0053]在步骤S2中，可采用构图工艺以在红色发光区域内形成红色色转换图形31，在绿色发光区域内形成绿色色转换图形32。具体地，涂布红色色转换材料，利用掩膜板对红色色转换材料进行曝光、显影处理，以形成红色色转换图形31。涂布绿色色转换材料，利用掩膜板对绿色色转换材料进行曝光、显影处理，以形成绿色色转换图形32。需要说明的是，本发明对制备红色色转换图形31和制备绿色色转换图形32的先后顺序没有限制。
[0054]需要说明的是，红色色转换层和绿色色转换层的材料为含稀土元素的无机材料，或有机荧光材料，或量子点材料。具体地，当红色色转换图形31的材料为含稀土元素的无机材料时，该含稀土元素的无机材料具体可以为SrS:Eu、CaS:Eu和SrxCa1 xS:Eu ;当绿色色转换图形32的材料为含稀土元素的无机材料时，可以该含稀土元素的无机材料具体可以为 SrGa2S4和 YAG:Ce。
[0055]步骤S3:在薄膜晶体管的上方形成黑矩阵图形，黑矩阵图形限定出红色发光区域、绿色发光区域和蓝色发光区域。
[0056]在步骤S3中，可采用构图工艺以在薄膜晶体管TFT的上方形成黑矩阵图形5。具体地，沉积一层遮光材料，利用掩膜板对遮光材料进行曝光、显影处理，以形成黑矩阵图形5。该黑矩阵图形5对应于显示基板中的薄膜晶体管TFT、栅线、数据线等不进行像素显示的非显示区域。
[0057]此外，为避免显示基板中相邻的红色色转换图形31与绿色色转换图形32之间相互激发，该黑矩阵图形5还围绕于红色色转换图形31的侧面以及绿色色转换图形32的侧面。
[0058]步骤S4:在红色色转换图形的上方形成红色滤光图形，以及在绿色色转换图形的上方形成绿色滤光图形。
[0059]在步骤S4中，可采用现有技术中任意一种红色滤光图形R的制备方法以在红色色转换图形31的上方制备出红色滤光图形R，采用现有技术中任意一种绿色滤光图形G的制备方法以在绿色色转换图形32的上方制备出绿色滤光图形G。
[0060]图4为本发明实施例一提供的又一种显示基板的制备方法的流程图，如图4所示，该制备方法在包括上述步骤SI?步骤S4的同时，还包括如下步骤:
[0061]步骤Sll:在薄膜晶体管的上方形成钝化层。
[0062]该步骤Sll位于步骤S2之前。需要说明的是，在薄膜晶体管TFT的上方形成钝化层技术手段为本领域的常用技术手段，此处不再详细描述。
[0063]需要说明的是，步骤S2中形成的红色色转换图形31和绿色色转换图形32均位于钝化层的上方。
[0064]步骤S21:在栅线、数据线和薄膜晶体管中的至少一个的上方形成支撑图形。
[0065]该步骤S21位于步骤S3之前。在步骤S21中，通过在栅线、数据线、薄膜晶体管TFT中的至少一个结构与黑矩阵图形5之间设置该支撑图形4，可以减小黑矩阵图形5对相应结构的影响，具体原理可参见前述相应的描述，此处不再赘述。
[0066]需要说明的是，步骤S21中形成的支撑图形5位于钝化层的上方。
[0067]可选地，当步骤S21中形成的支撑图形5的材料与红色色转换图形31或绿色色转换图形32的材料相同时，则步骤S21与步骤S2可同步进行，此时可有效的缩短流程工序，提高生产效率。
[0068]实施例二
[0069]图5为本发明实施例一■提供的一种显不基板的截面不意图，如图5所不，图5所不的显不基板是基于实施例一提供的显不基板的基础之上的一种具体应用。
[0070]具体地，在红色滤光图形R、绿色滤光图形G的上方形成有平坦化层7，平坦化层7填充蓝色发光区域，薄膜晶体管TFT的漏极的上方形成有贯穿至平坦化层7的过孔10，平坦化层7的上方形成有像素电极11，像素电极11通过过孔10与漏极连接。
[0071]需要说明的是，本发明图4所示的显示基板可应用于TN型显示面板中。
[0072]图6为本发明实施例一■提供的又一种显不基板的截面不意图，如图6所不，图6所不的显不基板是基于实施例一提供的显不基板的基础之上的又一种具体应用。
[0073]具体地，在红色滤光图形31、绿色滤光图形32的上方形成有平坦化层7，第一绝缘的上方形成有公共电极8，公共电极8的上方形成有绝缘层9，薄膜晶体管TFT的漏极的上方形成有贯穿至绝缘层9的过孔10，绝缘层9的上方形成有像素电极11，像素电极11通过过孔10与漏极连接。
[0074]需要说明的是，图6所示的显示基板可应用于ADS型显示面板中。
[0075]下面以图6所示的显示基板为例，对图6所示显示基板的制备过程进行详细的描述。其中，假定在栅线、数据线和薄膜晶体管TFT的上方均对应设置有支撑图形，且红色子像素和蓝色子像素内的支撑图形与红色色转换材料相同，绿色子像素内的支撑图形与绿色色转换材料相同。
[0076]图7为图6所示显示基板的制备方法的流程图，图8a至图8k为制备图6所示的显示基板的中间结构示意图，如图7以及图8a至8k所示，该制备方法包括:
[0077]步骤SlOl: