光学层叠体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及具备光致发光层的光学层叠体。
【背景技术】
[0002] W往，在会议、发表会等中的展示中，频繁地进行使用投影仪将资料图像投影到屏 幕、壁上。此时，发表者一般使用在展示图像上的某部位使激光透写的激光笔，边指着屏幕 等边进行展示。
[0003] 使用了投影仪的屏幕投影的情形下，在投影的图像中，存在对比度降低或者画质 变差的问题。另一方面，近年来，液晶显示器化CD)、等离子体显示器（PDP)的尺寸超过70 英寸的大型化在发展，不是投影仪投影而是进行在运些显示器自身直接显示图像而进行展 示也成为了可能。
[0004] 但是，通过采用显示器的直接显示进行展示的情况下，由于显示器具有自发光结 构，因此难W视认激光笔产生的激光的投射。此外，为了提高显示器自身的显示品位，如果 提高显示器表面的防眩性，则激光笔的投射光的反射也受到抑制，因此产生激光笔的可视 性没有提高的课题。近年来，如日本特开2001-236181号公报中公开那样，由于作为在显示 器上进行画面指示操作的指向设备也有可能使用激光笔，因此其可视性变得更为重要。
[O(K)日]现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本特开2001-236181号公报
【发明内容】
[000引发明要解决的课题
[0009] 本发明的目的在于提供能够提高激光笔的可视性的光学层叠体。
[0010] 用于解决课题的手段
[0011] 1. -种光学层叠体，其具备包含光致发光量子点（quantumdot)粒子的光致发光 层，贴合于显示器面板的一面。 阳〇1引 2.上述项目1的光学层叠体，其中，上述光致发光量子点粒子为量子点粒子、含有 量子点的粒子或它们的混合物。
[0013] 3.上述项目2的光学层叠体，其中，上述量子点粒子包含选自II-VI族半导体化合 物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或包含其的化合物、和它们的 组合中的半导体物质。
[0014] 4.上述项目2的光学层叠体，其中，上述含有量子点的粒子包含在无机物核粒子 或高分子核粒子的表面结合的至少一种的量子点粒子。
[0015] 5.上述项目1的光学层叠体，其中，上述光致发光量子点粒子的吸收波长为350~ 450nm或 600 ~650nm。
[0016] 6.上述项目1的光学层叠体，其中，上述光致发光层通过将包含光致发光量子点 粒子、透光性树脂、引发剂和溶剂的光致发光层形成用组合物涂布而形成。
[0017] 7.上述项目1的光学层叠体，其中，上述光致发光层为硬涂层、起偏器、起偏器保 护层、相位差层、防反射层、抗静电层、高折射层、低折射层、防污层、压敏粘合层、粘接层或 运些的基材膜。
[0018] 8.上述项目1的光学层叠体，其中，光学层叠体为偏振片。
[0019] 9. 一种图像显示装置，其具备上述项目1~8的任一项目中所述的光学层叠体。
[0020] 10.上述项目9的图像显示装置，其中，其为液晶显示装置。
[0021] 发明的效果
[0022] 本发明的光学层叠体，由于通过包含光致发光量子点粒子而因光产生的刺激而发 光，因此将激光笔在显示器直接显示的情况下，能够显著地提高激光笔的可视性。
【具体实施方式】
[0023] 本发明设及光学层叠体，通过具备包含光致发光量子点粒子的光致发光层，设置 于显示器面板的一面，由于因光产生的刺激而发光，因此将激光笔在显示器直接显示的情 况下，能够显著地提高激光笔的可视性。
[0024]W下对本发明详细说明。
[00巧]本发明的光学层叠体具备包含光致发光量子点（quantumdot)粒子的光致发光 层，设置于显示器面板的一面。
[00%] 本发明中光致发光层是指由于光而受到刺激从而自身发光的层。本发明的光学 层叠体通过具备该光致发光层，设置于显示器面板的一面，从而利用激光笔的光，该部位发 光，能够显著地改善激光笔的可视性。
[0027] 将本发明的光学层叠体设置在显示器面板的一面。即使位于多个光学功能性膜或 其他构成下，或者W显示器面板为基准位于视认者侧的背面，只要是利用激光笔的光可发 生光致发光现象的位置，则并无特别限定。
[0028] 根据本发明的光致发光量子点粒子可W是量子点粒子、含有量子点的粒子或它们 的混合物。
[0029] 所谓量子点，是纳米尺寸的半导体物质。通过原子构成分子、分子构成称为簇的小 的分子的集合体，从而构成纳米粒子，运样的纳米粒子特别是具有半导体特性时，将其称为 量子点。
[0030] 量子点如果从外部接受能量而成为激发状态，则自身放出相应的能带隙差生的能 量。
[0031] 量子点粒子可通过湿法化学工序（wet chemical process)、有机金属化学蒸锻工 序或分子线外延附生工序合成。湿法化学工序是在有机溶剂中加入前体物质而使粒子生长 的方法。结晶生长时，通过有机溶剂自然地在量子点结晶的表面配位而发挥分散剂的作用， 从而调节结晶的生长，因此与有机金属化学蒸锻（M0CVD;metal organic chemical vapor deposition)、分子线外延附生（MBE!molecular beam epitaxy)运样的气相蒸锻法相比，通 过更容易且价格低的工序，能够控制纳米粒子的生长。
[0032] 根据本发明的量子点粒子，只要是能够因光产生的刺激而发光的量子点粒子，贝U 并无特别限定，例如，包含选自II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半 导体化合物、IV族元素或包含其的化合物、和它们的组合中的半导体物质。
[0033] 上述II-VI族半导体化合物可选自：从CdS、CdSe、CdTe、aiS、ZnSe、ZnTe、化0、 化S、H拆e、化Te和它们的混合物中选择的二元素化合物；从CdSeS、CdSeTe、CdSTe、 aiSeS、ZnSeTe、aiSTe、HgSeS、H拆eTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、C地gS、C地拆e、 C地巧e、化化S、H拉nSe、化化Te和它们的混合物中选择的S元素化合物；W及从C监nSeS、 CdaiSeTe、CdZnSTe、C地拆eS、C地拆eTe、C地拆Te、H拉nSeS、H拉nSeTe、HgSiSTe和它们的混 合物中选择的四元素化合物，上述III-V族半导体化合物可选自：从GaN、GaP、GaAs、Ga訊、 AIN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、In訊和它们的混合物中选择的二元素化合物；从 GaNP、GaNAs、GaN訊、GaPAs、GaP訊、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、 InPAs、InPSb、GaAlNP和它们的混合物中选择的S元素化合物；W及从GaAlNAs、GaAlN訊、 GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、 InAlN訊、InAlPAs、InAlP訊和它们的混合物中选择的四元素化合物，上述IV-VI族半导体 化合物可选自：从SnS、SnSe、SnTe、化S、化Se、化Te和它们的混合物中选择的二元素化合 物；从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合 物中选择的S元素化合物；W及从Sn化SSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物中选择的 四元素化合物，上述IV族元素或包含其的化合物可选自：从Si、Ge和它们的混合物中选择 的元素化合物；W及从SiC、SiGe和它们的混合物中选择的二元素化合物。
[0034] 上述量子点可具有均质的化omogeneous)单一结构或核-壳（core-shell)的双 重结构，后者的情况下，构成各个核（core)和壳（shell)的物质可由前述的彼此不同的半 导体化合物构成。不过，上述壳物质的能带隙有时比核物质的能带隙大。例如，要得到具有 CdSe/ZnS的核-壳结构的量子点的情形下，通过在使用TOPO(S辛基氧化麟）作为表面活 性剂的有机溶剂中注入（C册)2Cd(二甲基儒）、TOPSe