于步骤S3之前增加一个表面处理的步骤。
[0039]固化遮光层12,且遮光层12为单一层体(步骤S4)。遮光层12形成于可挠性基板11上并作为遮光之用。在本实施例中不特别限制遮光层12的方面。且，依据不同的遮光材料，遮光层12可为碳黑光阻、红光阻或绿光阻所构成。
[0040]由图2D中可知遮光材料涂布于微结构11a时，会因为微结构11a边缘的表面张力作用呈现略为凹陷。且本实施例可通过调整遮光材料的份量或旋转涂布的速度，使得遮光材料仅充填于微结构11a处，换言之，可使遮光层12与微结构11a直接形成图案化遮光层。
[0041]补充说明的是，若为旋转涂布，旋转涂布的速度将会依据遮光材料的流动性、可挠性基板11的表面粗糙度以及所述微结构的分布情况或构造而有所调整。
[0042]另外，微结构11a的形状以及深度的设计将会取决于于遮光材料本身的穿透率而有所调整，以碳黑光阻剂为遮光材料为例，碳黑光阻剂对于紫外光的光学密度(OpticalDensity, 0.D.)约为3/ μ m，意即每1 μ m厚度的碳黑光阻层对于紫外光穿透率约为0.001。换言之，微结构11a的深度(碳黑光阻层厚度)会影响紫外光穿透率，较浅的微结构11a具有较高的光穿透率，较深的微结构11a则具有较低的光穿透率。
[0043]虽本实施例的微结构11a设计为矩形的方面，但亦可有其它实施方面，例如梯形、楔形或是金字塔形状的外观，使得充填于各微结构11a的遮光材料的厚度并非一致，故可形成具有多种不同穿透率的遮光层。
[0044]依据上述步骤，本实施例的其一实验例采用以下控制条件形成光罩。首先，于基板通以15瓦特的氧电浆两分钟，增加基板表面的亲水性。接着，再以4000rpm的速度旋转涂布遮光材料，遮光材料以碳黑光阻剂EK520为例。碳黑光阻剂EK520约莫包含22.5重量百分比的碳黑粒子。接着，再以摄氏70°C烘烤碳黑光阻剂EK520两分钟，即可形成如图2D所示的光罩结构。
[0045]接着，图2E及图2G，即为应用沿前述光罩结构于半导体工艺的示意图。将本实施例的光罩贴覆于半导体基板20上的光阻层21上，并通过曝光显影后，移除光罩，可形成如图2F、图2G的半导体结构。
[0046]接着，请一并参考图1、图3至图4C，图3为图1的光罩制作的步骤S5的详细流程图。图4A?4C为本发明较佳实施例的光罩又一制作示意图。
[0047]本实施例的光罩制作过程还包含「固化遮光层12后移除部分遮光层12，以形成图案化遮光层(步骤S5)」的步骤。亦即除了使遮光层12与微结构11a直接形成图案化遮光层的作法以外，亦可额外的增加一个移除步骤，形成相似的遮光层12结构。
[0048]于基板11上旋转涂布(Spin Coating)遮光材料,使可挠性基板11上形成遮光层12(步骤S3)可形成如图4A的情况，亦即，遮光材料除了充填于微结构11a处以外，亦涂布于微结构11a之间的可挠性基板11的表面。此时则须通过移除部分遮光层，以形成图案化遮光层(步骤S5)。
[0049]详细而言，步骤S5还包括:提供热塑性高分子板材13贴附于遮光层上(步骤S51)。热塑性高分子板材13可为软性模材，例如可为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、硬式聚氯乙烯(Rigid PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰胺(PA)、或聚乳酸(PLA)、或其它具有黏附特性的合适膜材所构成。于此以聚对苯二甲酸乙二酯(PET)作为热塑性高分子板材13为例。选用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)的原因为其具有较低的玻璃态转移温度(约摄氏70度)，以及其具有较佳的表面附着力。但不以选用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为限制。
[0050]接着，使热塑性高分子板材13与遮光层12接合(步骤S52)。通过施以适当压力及温度，例如本实施例可有一实验例的操作条件为提供一分钟的0.2MPa、摄氏80°C的压力及温度施加于厚度为17 μ m的热塑性高分子板材13，使热塑性高分子板材13表面发生融熔并与涂布于基板11的表面的遮光层12黏接。
[0051]接着，移除热塑性高分子板材13，使部分遮光层12随同热塑性高分子板材移除(步骤S53)。藉此，可将涂布于可挠性基板11的表面的遮光层12移除，使得遮光材料仅充填于微结构11a处。
[0052]请一并参考图5A至图6B，图5A?5B为本发明较佳实施例的光罩制作过程中旋转涂布旋转碳黑光阻剂于具有圆洞结构的光罩的观测图及局部放大图。图6A?6B为图5A?5B移除部分碳黑光阻剂后的光罩观测图及局部放大图。
[0053]由图5A中可知碳黑光阻剂旋转涂布于可挠性基板时，将会充填于微结构内，且因微结构边缘所形成的表面张力作用而呈现略为凹陷。图6A?图6B则为利用热塑性高分子材料板材移除部分碳黑光阻剂后的光罩观测图。将涂布于可挠性基板的表面的遮光层大部分将会被移除，使得遮光材料仅充填于微结构处，并形成光罩。
[0054]综上所述，本发明通过于可挠性基板上形成多个微结构，并以涂布的方式将遮光材料形成于可挠性基板，此种制作方式相较习知的采用金属层体为遮光材料的方式更为成本更低、工艺速度较快、操作温度较低、容易制作以外，因遮光材料为溶液，亦可使得遮光层的层体均匀性较佳。此外，藉由选用可挠性基板还可使得光罩与半导体基板的密合度较高，曝光显影的精度较佳。
[0055]以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于后附的权利要求中。
[0056]符号说明
[0057]10:主模具
[0058]11:可挠性基板
[0059]11a:微结构
[0060]12:遮光层
[0061]13:热塑性高分子板材
[0062]20:半导体基板
[0063]21:光阻层
[0064]S1 ?S5、S51 ?S53:步骤
【主权项】
1.一种光罩的制造方法，其步骤包括: 提供一可挠性基板； 于所述可挠性基板上形成多个微结构； 于所述可挠性基板上涂布一遮光材料，使所述基板形成一遮光层；以及 固化所述遮光层； 其中，所述遮光层为单一层体。2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述可挠性基板的材质为聚氨酯丙烯酸酯、聚乙烯醇、紫外光硬化树脂、聚二甲基硅氧烷或其组合。3.如权利要求1所述的制造方法，其中所述遮光层的材质为碳黑光阻、红光阻或绿光阻。4.如权利要求1所述的制造方法，其中所述遮光层与所述微结构直接形成一图案化遮光层。5.如权利要求1所述的制造方法，其中: 固化所述遮光层后移除部分所述遮光层，以形成一图案化遮光层。6.如权利要求5所述的制造方法，其中固化所述遮光层后移除部分所述遮光层的步骤还包括: 提供一热塑性高分子板材贴附于所述遮光层上； 使所述热塑性高分子板材与所述遮光层接合；以及 移除所述热塑性高分子板材，使部分所述遮光层随同所述热塑性高分子板材移除。7.如权利要求6所述的制造方法，其中所述热塑性高分子板材为一聚对苯二甲酸乙二酯、硬式聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚酰胺、或聚乳酸所构成。8.如权利要求1所述的制造方法，其中所述遮光材料藉由旋转涂布、雾化喷涂、刮刀涂布、或浸润涂布的方式形成于所述基板。9.一种光罩，包括: 一可挠性基板，其表面具有多个微结构；以及 一遮光层，充填于所述微结构且为单一层体，所述遮光层与所述微结构形成一图案化遮光层。10.如权利要求9所述的光罩，其中所述图案化遮光层的材质为碳黑光阻、红光阻或绿光阻。11.如权利要求9或10所述的光罩，其中所述遮光层同时设置于所述微结构之间的所述基板表面。
【专利摘要】本发明的名称是光罩及光罩的制造方法。一种光罩的制造方法，其步骤包括：提供可挠性基板。于可挠性基板上形成多个微结构。于可挠性基板上涂布遮光材料，使基板形成遮光层。固化遮光层，且遮光层为单一层体。
【IPC分类】G03F1/00, G03F1/68
【公开号】CN105278237
【申请号】CN201410307983
【发明人】李永春, 吴俊颖, 谢恒 , 谢易达, 颜志男
【申请人】李永春
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年6月30日