电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子照相感光构件、电子照相感光构件的制造方法、包括所述电 子照相感光构件的处理盒、和包括所述电子照相感光构件的电子照相设备。
【背景技术】
[0002] 安装于电子照相设备中的电子照相感光构件在支承体和感光层之间包括含有金 属氧化物颗粒的底涂层。已知的是，为了抑制从支承体至感光层的电荷注入和抑制在感光 层中的电荷的累积，金属氧化物颗粒的表面由有机化合物来改性。
[0003] 例如，日本专利特开10-301314和日本专利特开04-229872记载了一种技术，其 用于使用烷基烷氧基硅烷来处理（表面处理）金属氧化物颗粒的表面。日本专利特开 2010-127963和日本专利特开2006-30698记载了一种技术，其用于使用电子输送物质来改 性金属氧化物颗粒的表面，因此抑制在感光层中的电荷的累积。
[0004] 基于研究结果，本发明人发现在含有金属氧化物颗粒的感光构件中的以下问题， 为了抑制从支承体至感光层的电荷注入和抑制在感光层中的电荷的累积，所述金属氧化物 颗粒的表面已经由烷基烷氧基硅烷和由电子输送物质来处理。即，因为充分地抑制了在底 涂层中的电荷的累积，电位可能在重复的图像形成时期内变化。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的提供了一种电子照相感光构件，其包括含有金属氧化物颗粒的底涂 层，所述金属氧化物颗粒的表面已经同时由烷基烷氧基硅烷和电子输送物质来改性。所述 电子照相感光构件在重复的图像形成时期内已经降低了电位的变化。本发明的目的也提供 了所述电子照相感光构件的制造方法。本发明的目的也提供了各自包括所述电子照相感光 构件的处理盒和电子照相设备。
[0006] 本发明的目的提供了一种电子照相感光构件，其包括
[0007] 支承体，和
[0008] 在所述支承体上的底涂层。
[0009] 所述底涂层包括金属氧化物颗粒，所述金属氧化物颗粒的表面包含：
[0010] 由以下式（A-I)至（A-10)的任何一种表示的化合物；和
[0011] 由以下式（B-I)和（B-2)的任何一种表示的化合物，
[0012]
[0013] 其中，在所述式（八-1)至（八-10)中，父11、父21、父 31、父41、父51、父61、父71、父 81、父91和父1°1各自 独立地表示氨基、羟基、羧基、由-COONa表示的基团、由-COOK表示的基团、磺基或硫醇基； R11 至 R 17、R21 至 R27、R31 至 R37、R41 至 R 45、R51 至 R53、R61 至 R 69、R71 至 R 77和 R 81 至 R S5、R91 至 R 97 和Rim至R 1M各自独立地表示氢原子、氰基、硝基、卤素原子、烷氧基羰基、羟基、硫醇基、氨 基、羧基、甲氧基、乙氧基、_S0 3Na、-S03K、未取代或取代的烷基、由在未取代或取代的烷基的 主链中的碳原子之一取代为氧原子得到的基团、由在未取代或取代的烷基的主链中的碳原 子之一取代为氮原子得到的基团、未取代或取代的芳基、或未取代或取代的杂环基；所述取 代的烷基的取代基是烷基、芳基、卤素原子、或羰基；所述取代的芳基的取代基和所述取代 的杂环基的取代基是卤素原子、硝基、氛基、烷基、卤代烷基、烷氧基、或幾基，
[0015] 其中，在所述式（B-I)和（B-2)中，R1、!?2、!?3、R 5和R6各自独立地表示具有1至10 个碳原子的烷基，并且R4、R7和R8各自独立地表示甲基、乙基、或苯基。
[0016] 本发明的目的提供了一种电子照相感光构件的制造方法，所述包括电子照相感光 构件包括支承体和在所述支承体上的底涂层，所述方法包括：
[0017] 形成含有金属氧化物颗粒的底涂层用涂布液的涂膜；和
[0018] 干燥所述涂膜从而形成所述底涂层。
[0019] 所述金属氧化物颗粒在其表面上包含
[0020] 由以下式（A-I)至（A-10)的任何一种表示的化合物，和
[0021] 由以下式（B-I)和（B-2)的任何一种表示的化合物。
[0022] 本发明的目的提供了一种处理盒，其可以可拆卸地安装于电子照相设备的主体， 所述处理盒包括：
[0023] 所述电子照相感光构件，和
[0024] 选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置，
[0025] 其中将所述电子照相感光构件和所述至少一种装置一体化支承。
[0026] 本发明的目的提供了一种电子照相设备，其包括所述电子照相感光构件；充电装 置；显影装置；和转印装置。
[0027] 本发明的目的可以提供一种电子照相感光构件和所述电子照相感光构件的制造 方法，所述电子照相感光构件在重复的图像形成时期内已经降低了电位的变化。本发明的 目的也可以提供各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0028] 本发明的进一步特征参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。
【附图说明】
[0029] 图1是包括包含根据本发明的实施方案的电子照相感光构件的处理盒的电子照 相设备的不意图。
[0030] 图2是根据本发明的实施方案的电子照相感光构件的层结构的示意图。
【具体实施方式】
[0031] 根据本发明的实施方案的电子照相感光构件包括支承体和在所述支承体上的底 涂层。所述底涂层包括金属氧化物颗粒。所述金属氧化物颗粒在其表面上包含由式（A-I) 至（A-10)的任何一种表示的化合物和由式（B-I)和（B-2)的任何一种表示的化合物。
[0032] 表面上含有所述化合物的金属氧化物颗粒是指其表面已经通过由式（A-I)至 (A-10)的任何一种表示的化合物和由式（B-I)和（B-2)的任何一种表示的化合物处理的金 属氧化物颗粒。
[0033] 本发明推测原因：这样的电子照相感光构件如下所述在重复的图像形成时期内已 经降低了电位的变化。
[0034] 由式（B-I)和（B-2)的任何一种表示的化合物是具有一个或两个烷氧基的烷基烷 氧基硅烷。基于研究结果，发现的是，烷基烷氧基硅烷中，具有三个烷氧基的通用的烷基三 烷氧基硅烷不可以有效地抑制电位变化。推测的是，因为烷基三烷氧基硅烷具有三个反应 部位，各个硅烷分子结合至相邻的两个硅烷分子和金属氧化物颗粒，因此在金属氧化物颗 粒的表面上形成硅烷分子的三维网络结构。该三维网络结构可以阻止用于降低电位的变化 的电子输送物质吸附在金属氧化物颗粒的表面上，导致金属氧化物颗粒的不充分的使用电 子输送物质的表面处理。
[0035] 在根据本发明的实施方案的具有一个或两个烷氧基的烷基烷氧基硅烷的情况下， 硅烷分子单独存在于金属氧化物颗粒的表面上，或在金属氧化物颗粒的表面上形成线或环 状。因此，电子输送物质可以吸附在金属氧化物颗粒的表面上，并且金属氧化物颗粒的表面 可以由电子输送物质来有效地处理。这导致在重复的图像形成时期内已经降低了电位的变 化。
[0037]在所述式（A-I)至（A-10)中，X11、X21、X31、X 41、X51、X61、X71、Xs1、X 91 和 X 101各自独 立地表示氨基、羟基、羧基、由-COONa表示的基团、由-COOK表示的基团、磺基或硫醇基；R11 至 R17、R21 至 R27、R31 至 R 37、R41 至 R 45、R51 至 R53、R61 至 R69、R71 至 R 77和 R 81 至 R S5、R91 至 R97和 至各自独立地表示氢原子、氰基、硝基、卤素原子、烷氧基羰基、羟基、硫醇基、氨基、 羧基、甲氧基、乙氧基、由-SO 3Na表示的基团、由-SO3K表示的基团、未取代或取代的烷基、由 在未取代或取代的烷基的主链中的碳原子之一取代为氧原子得到的基团、由在未取代或取 代的烷基的主链中的碳原子之一取代为氮原子得到的基团、未取代或取代的芳基、或未取 代或取代的杂环基。所述取代的烷基的取代基是烷基、芳基、卤素原子、或羰基。所述取代 的芳基的取代基和所述取代的杂环基的取代基是卤素原子、硝基、氰基、烷基、卤代烷基、烷 氧基、或幾基。
[0038] 由式（A-I)至（A-10)的任何一种表示的化合物可以单独或以组合使用。
[0040] 在所述式（B-I)和（B-2)中，R1、R2、R 3、R5和R 6各自独立地表示具有1至10个碳 原子的烷基。R4、R7和R 8各自独立地表示甲基、乙基、或苯基。为了降低电位的变化，R\R2、 R3、R5和R6可以是具有1至5个碳原子的烷基。
[0041] 以下描述由式（A-I)至（A-10)表示的化合物的具体实例。然而，本发明不限于这 些实例。
[0062] 由式（B-I)和（B-2)的任何一种表示的化合物可以如下：二甲基二甲氧基硅烷、二 甲基二乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、三乙 基乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、二异丁基二甲氧基硅烷或环己基甲基二甲氧基硅 烷。由式（B-I)和（B-2)表示的化合物可以单独或以组合使用。
[0063] 表面处理的金属氧化物颗粒可以满足以下式（I);
[0064] 14 彡 S 彡 25 (m2/g) (1)
[0065] 其中S表示所述金属氧化物颗粒的比表面积（m2/g)。
[0066] 金属氧化物颗粒也可以满足以下式（2)和（3):
[0067] 0· 02 彡（A+