与所述孔洞104均是在同一道所述第一光罩制程和同一道所述第一蚀刻制程中形成的。
[0032]所述凹槽阵列和所述孔洞104均是通过相同的所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程来形成的。
[0033]所述第一光罩制程所对应的掩模201包括:第一区域2011和第二区域2012。所述第一区域2011具有第一透光率，所述第一区域2011与所述孔洞104对应，所述第一透光率与所述第一深度对应。所述第二区域2012具有第二透光率，所述第二区域2012与所述凹槽105对应，所述第二透光率与所述第二深度对应。
[0034]所述掩模201为半色调掩模。
[0035]所述孔洞104和所述凹槽阵列是通过对所述钝化层102上的光阻材料层进行所述第一光罩制程，以在所述光阻材料层上的第三区域和第四区域上分别形成第一凹陷和第二凹陷，并在所述第一凹陷和所述第二凹陷处对所述钝化层102和所述光阻材料层进行所述第一蚀刻制程来形成的。
[0036]其中，所述第三区域与所述第一区域2011对应，所述第四区域与所述第二区域2012对应，所述第一凹陷具有第三深度，所述第二凹陷具有第四深度。
[0037]所述半导体层1014包括非晶硅、多晶硅、铟镓锌氧化物中的至少一种。
[0038]相比传统的技术方案，上述技术方案可以节约一道所述第一光罩制程，有利于节省所述薄膜晶体管阵列基板的制作成本，以及提高所述薄膜晶体管阵列基板的制作效率。
[0039]参考图2，图2为图1所示的薄膜晶体管阵列基板的制作过程中所使用的掩模201的示意图。
[0040]在本实施例中，所述第一光罩制程所对应的掩模201包括第一区域2011及第二区域2012。所述第一区域2011具有第一透光率，所述第一区域2011与所述孔洞104对应，所述第一透光率与所述第一深度对应。所述第二区域2012具有第二透光率，所述第二区域2012与所述凹槽105对应，所述第二透光率与所述第二深度对应。
[0041 ] 优选地，在本实施例中，所述掩模201为半色调掩模(HTM，Half Tone Mask)。
[0042]所述孔洞104的深度(所述第一深度)和所述凹槽105的深度(所述第二深度)可根据HTM的透光率(0-100%的开区间)来设置。
[0043]也就是说，所述钝化层102中的所述第一深度和所述第二深度是通过这样的方式来形成的:
利用具有所述第一区域2011和所述第二区域2012的所述掩模201，对所述钝化层102实施所述第一光罩制程，以同时形成所述第一深度和所述第二深度，其中，所述第一区域2011具有所述第一透光率，所述第二区域2012具有所述第二透光率。例如，所述第一透光率为100%，所述第二透光率(a%)处于0%至100%的范围(开区间)内，例如，所述&%为0.35%, 0.55%、0.85%、I.6%、2.3%、3%、3.3%、4.5%、4.7%、5%、5.9%、7%、8.1%、9%、9.3%、10.5%、11%、12.7%、13%、13.9%、14.1%、15%、15.3%、16.2%、17%、17.7%、19%、21%、23%、23.5%、23.9%、25%、26.7%、27%、29%、29.3%、29.7%、31%、33%、33.6%、34.1%、35%、35.3%、37%、38.3%、39%、41%、42.3%、43%、45%、45.7%、47%、47.9%、49%、49.5%、51%、52.1%、53%、55%、55.7%、55.8%、57%、59%、59.8%、61%、62.1%、63%、63.6%、65%、65.4%、67%、67.7%、69%、69.4%、71%、71.8%、73%、73.1%、75%、75.9%、77%、77.3%、79%、79.6%、81%、81.2%、83%、83.7%、85%、85.6%、87%、88.7%、89%、89.3%、91%、91.5%、93%、93.3%、95%、96.5%、97%、99%、99.5%。
[0044]在本实施例中，所述凹槽阵列和所述孔洞104是通过对所述钝化层102上的光阻材料层进行所述第一光罩制程，以在所述光阻材料层上的第三区域和第四区域上分别形成第一凹陷和第二凹陷，并在所述第一凹陷和所述第二凹陷处对所述钝化层102和所述光阻材料层进行蚀刻来形成的。
[0045]其中，所述第三区域与所述第一区域2011对应，所述第四区域与所述第二区域2012对应，所述第一凹陷具有第三深度，所述第二凹陷具有第四深度。
[0046]参考图3，图3是本发明的显示面板的制作方法的流程图。
[0047]本发明的显示面板的制作方法包括以下步骤:
A(步骤301)、形成所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板；
B(步骤302)、将所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体，以形成液晶盒；
C(步骤303)、在所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间注入液晶，以在所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间形成所述液晶层；
D(步骤304)、在所述液晶盒外部设置所述第一偏光板和所述第二偏光板，其中，所述第一偏光板设置于所述彩色滤光片基板的表面，所述第二偏光板设置于所述薄膜晶体管阵列基板的表面；
E(步骤305)、将由所述第一偏光板、所述液晶盒、所述第二偏光板所组成的整体与所述背光模组叠加组合为一体。
[0048]通过上述技术方案，本发明能提高显示面板的制作效率。
[0049]其中，所述步骤A包括: al、形成所述彩色滤光片基板； a2、形成所述薄膜晶体管阵列基板；
所述步骤al包括:
all、在所述第一基板上设置所述黑色矩阵层；
al2、在所述第一基板和所述黑色矩阵层上设置所述彩膜层；
al3、在所述彩膜层上设置所述间隔子组合层，其中，所述间隔子组合层包括至少两间隔子；
al4、在所述彩膜层和所述间隔子组合层上设置所述共通电极层； al5、在所述共通电极层以及所述间隔子上设置所述第一配向膜层。
[0050]所述步骤a 11包括:
alll、在所述第一基板上涂布黑色遮光材料；
all2、对所述黑色遮光材料实施第二光罩制程和第二蚀刻制程，以形成所述黑色矩阵层。
[0051 ] 所述步骤al4包括:
al41、在所述彩膜层和所述间隔子组合层上设置共通电极材料；
al42、对所述共通电极材料实施第三光罩制程和第三蚀刻制程，以形成所述共通电极层。
[0052]所述步骤al2为:
在所述第一基板和所述黑色矩阵层上依次形成第一色阻块、第二色阻块、第三色阻块和第四色阻块，其中，所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块均为所述红色色阻块、所述绿色色阻块、所述蓝色色阻块、所述白色色阻块中的一者。
[0053]所述步骤al2为:
在所述第一基板和所述黑色矩阵层上涂布第一色阻材料，并对所述第一色阻材料实施第四光罩制程和第四蚀刻制程；
在所述第一基板和所述黑色矩阵层上涂布第二色阻材料，并对所述第二色阻材料实施第五光罩制程和第五蚀刻制程；
在所述第一基板和所述黑色矩阵层上涂布第三色阻材料，并对所述第三色阻材料实施第六光罩制程和第六蚀刻制程；
在所述第一基板和所述黑色矩阵层上涂布第四色阻材料，并对所述第四色阻材料实施第七光罩制程和第七蚀刻制程。
[0054]所述步骤a2包括:
a21、形成所述器件组合板101;
a22、在所述器件组合板101上设置所述钝化层102;
a23、在所述钝化层102上设置所述孔洞104和所述凹槽阵列；
a24、在所述钝化层102上以及所述凹槽阵列内设置所述像素电极层103;
a25、在所述像素电极层103上设置所述第二配向膜层。
[0055]所述步骤a21包括:
a211、在所述第二基板1011上设置所述第一信号线层，其中，所述第一信号线层包括扫描线、栅极；
a212、在所述第二基板1011以及所述第一信号线层上设置所述第一绝缘层1013;a213、在所述第一绝缘层1013上与所述栅极对应的位置处设置所述半导体层1014;a214、在所述第一绝缘层1013和所述半导体层1014上设置所述第二绝缘层1015;a215、在所述第二绝缘层1015上设置所述第二信号线层，其中，所述第二信号线层包括数据线、源极1016、漏极1017。
[0056]所述步骤a22包括:
a221、在所述器件组合板101上涂布钝化层材料；
a222、对所述钝化层材料实施第八光罩制程和第八蚀刻制程，以形成所述钝化层102。
[0057]其中，所述步骤a24包括:
a241、在所述钝化层102上以及所述凹槽阵列内设置透明金属材料；a242、将设置有所述透明金属材料的所述薄膜晶体管阵列基板和辅助电极板平行且正对地放置于一填充有腐蚀性雾气的腔室中，其中，所述薄膜晶体管阵列基板与所述辅助电极板具有预定距离，所述辅助电极板的形状与所述透明金属材