量份以下，或0. 5重量份以下。
[0072] 也就是说，为了通过各个成分来实现所述效果，所述稀释剂组合物，对于所述 1-甲氧基-2-丙醇酯100重量份，可以添加0. 001重量份以上的2-甲氧基-1-乙酸丙酯、 0. 01重量份以上的丙二醇单甲醚、及0. 0001重量份以上的丁基羟基甲苯中的一种以上成 分。
[0073] 但是，当所述2-甲氧基-1-乙酸丙酯、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯中一种以上 成分过量添加于稀释剂组合物中时，稀释剂组合物可能会导致导管堵塞或EBR工序的不 良，或者无法充分发挥稀释剂组合物的溶解特性。
[0074] 尤其是，所述2-甲氧基-1-乙酸丙酯过量添加于稀释剂组合物中时，稀释剂组合 物的挥发性降低，在RRC(reducing resist consumption)工艺后的光刻胶的涂布均勾度 (coating uniformity)会降低。
[0075] 为了方式所述现象，所述稀释剂组合物，对于所述1-甲氧基-2-丙醇酯100重量 份，可以添加30重量份以下的2-甲氧基-1-乙酸丙酯、20重量份以下的丙二醇单甲醚、及 10重量份以下的丁基羟基甲苯中的一种以上成分。
[0076] 根据发明实施例，所述2-甲氧基-1-乙酸丙酯、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯可 以根据所需的稀释剂组合物的特性，可以由多种组合形式包含。
[0077] 具体地，所述2-甲氧基-1-乙酸丙酯、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯可以分别单 独包含于所述稀释剂组合物中，也可以两种以上成分同时被包含，也可以三种成分同时被 包含。
[0078] 优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、y-丁内 酯、环戊酮及2-甲氧基-1-乙酸丙酯构成。
[0079] 并且，优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、 丫 - 丁内酯、环戊酮及丙二醇单甲醚构成。
[0080] 并且，优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、 丫 - 丁内酯、环戊酮及丁基羟基甲苯构成。
[0081] 并且，优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、 丫 - 丁内酯、环戊酮、2-甲氧基-1-乙酸丙酯及丙二醇单甲醚构成。
[0082] 并且，优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、 丫 - 丁内酯、环戊酮、2-甲氧基-1-乙酸丙酯及丁基羟基甲苯构成。
[0083] 并且，优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、 丫 - 丁内酯、环戊酮、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯构成。
[0084] 并且，优选地，所述稀释剂组合物由1-甲氧基-2-丙醇酯、3-甲氧基丙酸甲酯、 丫 - 丁内酯、环戊酮、2-甲氧基-1-乙酸丙酯、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯构成。
[0085] 除此之外，发明实施例中的稀释剂组合物还可以包含表面活性剂。
[0086] 从感光膜形成工艺的特性角度来说，优选地，所述表面活性剂为非离子性系列的 表面活性剂。并且，作为所述非离子性系列的表面活性剂可以使用本技术领域的常用的活 性剂，因此对其结构不做特殊限定。
[0087] 此时，对于所述稀释剂组合物100重量份，所述表面活性剂的含量为0. 001~0. 1 重量份。
[0088] 即，为了在边缘光刻胶去除工艺中确保更优异的外形（profile)，对于所述稀释剂 组合物100重量份，所述表面活性剂的含量可以是0. 001重量份以上。
[0089] 但是，如果所述表面活性剂含量过量，稀释剂组合物会产生很多气泡，由此会引发 在使用稀释剂组合物时用于感测液体量的传感器的故障。为了防止这种现象，对于所述稀 释剂组合物100重量份，所述表面活性剂的含量为0. 1重量份以下为佳。
[0090] II.稀释剂组合物的用涂
[0091] 根据发明的另一实施例，提供一种感光膜形成方法，该方法包括：
[0092] 在半导体基板上涂覆所述稀释剂组合物而对所述半导体基板进行预湿 (pre-wetting)的步骤；以及，
[0093] 在所述预湿的半导体基板上涂覆光刻胶组合物或旋涂硬掩膜组合物的步骤。
[0094] 并且，根据发明的又一实施例，提供一种感光膜形成方法，该方法包括：
[0095] 在半导体基板上形成光刻胶或旋涂硬掩膜的步骤；以及，
[0096] 对所述半导体基板应用所述稀释剂组合物，从所述半导体基板去除所述光刻胶或 旋涂硬掩膜的至少一部分的步骤。
[0097] 在所述感光膜形成方法中，所述半导体基板可以是用于制造半导体存储部件、集 成电路元件、液晶显示元件等电子装置的基板。
[0098] 所述半导体基板上可以形成有构成所述电子装置的结构，如绝缘膜、导电膜、布 线、孔、口等，因所述结构，所述基板上面可能存在层次。
[0099] 另外，所述预湿工艺是通过在欲形成感光膜的半导体基板上涂覆所述稀释剂组合 物，在涂覆光刻胶之前改善所述半导体基板的润湿性的工艺。
[0100] 本发明中的所述稀释剂组合物能够对各种光刻胶（特别是用于旋涂硬掩膜的难 溶性光刻胶）表现出更出色的溶解特性，因此，通过预湿工艺可以少量的光刻胶也能形成 厚度均匀的感光膜。
[0101] 即，利用所述稀释剂组合物进行预湿工艺时，使用相对少量的光刻胶可以形成厚 度均匀的膜。并且，可以减少在基板边缘部分的感光涂层的不良问题，轻松克服基板上的层 次缺陷，从而可以减少感光膜的厚度偏差。
[0102] 所述预湿工艺可以通过利用通常的旋涂法，例如，在基板上适用所述稀释剂组合 物后旋转基板而在基板的前表面涂覆稀释剂组合物的方法，或在旋转的基板上适用所述稀 释剂组合物来在基板的前表面涂覆稀释剂组合物的方法等来执行。
[0103] 并且，在所述感光膜形成方法中，所述光刻胶组合物可以根据要形成的图案的线 宽和适用于其的光源的种类而不同，其构成无特别限定。
[0104] 但是，根据本发明，作为包含于所述光刻机组合物的树脂，可以例举包含酚醛树脂 的I-线用光刻胶、包含氢氧基的氢部分被封端（blocking)为乙缩醛基的聚羟基苯乙烯的 KrF用光刻胶、包含氢氧基的氢部分被封端为叔丁基碳酸酯组的聚羟基苯乙烯的KrF用光 刻胶、包含甲基丙烯酸酯系树脂的ArF用光刻胶、包含三嗪系树脂的KrF用底部抗反射用涂 层、包含酯类树脂的ArF用底部抗反射用涂层等。
[0105] 并且，所述I-线用光刻胶，作为酚醛树脂和感光剂，可以包含2, 4-地乐酚醌。
[0106] KrF用光刻胶可以包含氢氧基的氢部分被封端为乙缩醛基或叔丁基碳酸酯组的聚 羟基苯乙烯和作为感光剂的三苯基锍盐。
[0107] ArF用光刻胶可以包含被金刚烷基及/或4-氧杂三环（4, 2, 1，0(3, 7))-5-壬酮封 端的聚甲基丙烯酸酯和作为感光剂的三苯基锍盐。
[0108] 在所述预湿的基板上涂覆光刻胶的步骤可以通过旋涂法来进行。以旋涂法涂覆光 刻胶时，由于离心力在基板的边缘部分和后表面上可能会形成光刻胶凝结后的球状的边缘 光刻胶。所述边缘光刻胶可能成为引发电子装置的缺陷或制造设备故障的污染源，也可能 成为光刻工艺中散焦的原因。
[0109] 由此，利用本发明的稀释剂组合物，可以从基板去除光刻胶的至少一部分，例如， 可以去除粘附于基板的边缘或后表面的光刻胶。此时，可以通过旋转所述基板的同时加压 喷射所述稀释剂组合物的方法来执行。
[0110] 如上所述，本发明中的稀释剂组合物对各种光刻胶具有优异的溶解特性和适当的 粘度、挥发性等物理特性，从而可以明确感光膜的界线的同时可以仅将边缘光刻胶去除干 净，并且使得所述工艺能够在短时间内有效执行。
[0111] 适用于去除所述光刻胶的至少一部分的步骤（边缘光刻胶去除工序）的稀释剂组 合物可以与适用于所述预湿工序中的稀释剂组合物相同或不同。
[0112] 即，可以根据各个工序的条件及所要求的特性，可以使用不同组成的稀释剂组合 物。但是，本发明中的稀释剂组合物可以满足同时符合所述边缘光刻胶去除工艺和预湿工 艺的物理特性，因此使用具备相同范围的组成的稀释剂组合物更有利于提高整体工艺的效 率。