A单元，在对电极间施加驱动电压的状 态下照射紫外线600秒(3.OJ/cm 2)，进行聚合处理而制成实施例29的液晶显示元件，测定其 V皿和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物的组成、其物性值、液晶显 示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[0備][表 22] 「04031
[0404]实施例29的液晶显示元件可W实现高的VHR和小的ID。此外，残影评价中也没有残 像，或即使有也极微少，为可容许的水平。
[04化](实施例30)
[0406] 将0.3质量％的双甲基丙締酸3-氣联苯-4,4'-二基混合于液晶组合物19,制成液 晶组合物30。将该液晶组合物28夹持于实施例1中使用的VA单元，在对电极间施加驱动电压 的状态下照射紫外线600秒(3.OJ/cm 2)，进行聚合处理而制成实施例28的液晶显示元件，测 定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物的组成、其物性值、液 晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[0407] [表 23] 「040引
[0409] 实施例30的液晶显示元件可W实现高的VHR和小的ID。此外，残影评价中也没有残 像，或即使有也极微少，为可容许的水平。
[0410] (实施例31~33)
[0411] 与实施例1同样地分别夹持W下的表所示的液晶组合物31~33,制成实施例31~ 33的液晶显示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物 的组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[0412] [表 24]
[0413]
[0414] [表 25] 「04151
L〇416」实施例31~33的液鹿显不兀件虽然ID变大，但城影评价中城像做微少，为可容巧 的水平。
[0417] (实施例34~36)
[0418] 与实施例1同样地分别夹持W下的表所示的液晶组合物34~36,制成实施例34~ 36的液晶显示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物 的组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[0419] [表 26]
[0420]
[0421] [表 27]
[0422] LU4ZO」 JDtfJ 訂义曰11
, , y'j Ki 的水平。
[0424] (实施例 37、38)
[0425] 与实施例1同样地分别夹持W下的表所示的液晶组合物37、38,制成实施例37、38 的液晶显示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物的 组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[04%][表 28]
[0427]
[0428] [表 29]
[0429]
[0430] 实施例37、38的液晶显示元件虽然ID变大，但残影评价中残像极微少，为可容许的 水平。
[0431] (实施例39~41)
[0432] 与实施例1同样地分别夹持W下的表所示的液晶组合物39~41，制成实施例39~ 41的液晶显示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物 的组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[043；3][表 30]
[0434]
[0435] [表 31]
[0437]实施例39~41的液晶显示元件虽然ID变大，但残影评价中残像极微少，为可容许 的水平。
[043引（实施例42)
[0439] 与实施例1同样地夹持W下的表所示的液晶组合物45,制成实施例45的液晶显示 元件，测定其V皿和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物的组成、其物 性值、液晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[0440] [表 32]
[0441 ]液晶组合物42 [0442]
LU445」 头砸例4；^的淑巧显不兀1干虽然iU雙灭，但煉影评1)r甲煉像做微少，刃W谷计的豕 平。
[0446] (比较例1)
[0447] 与实施例1同样地夹持W下的表所示的比较液晶组合物1，制成比较例1的液晶显 示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。进而，测定比较例1的液晶 显示元件的透射率。
[0448] 将液晶组合物的组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID、透射率和残影评价的结 果示于W下的表。
[0449] [表 34]
[0450]
[0451 ][表 35] 「n/iW L0453」（比较例2~5)
[0454] 与实施例1同样地夹持W下的表所示的比较液晶组合物2~5,制成比较例2~5的 液晶显示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将其结果示于W下 的表。
[0455] [表 36] 「04561
LU461」（化救例5~12 j
[0462 ]除了在实施例1、2、8、13、14、19、20和26中使用非晶娃膜取代In-Ga-化氧化物膜W 夕h同样地制作比较例5~12的液晶显示装置，测定其V皿和ID。此外，进行该液晶显示装置 的残影评价。进而，测定比较例16和比较例17的透射率。将其结果示于W下的表。
[046；3][表 39] L WO/」〔[牧例日~iZ的徽巧化不兀巧W W头
观同的VHK、小的iU，化外，煉影评价、中化役巧 残像，或即使有也极微少，为可容许的水平，但与在薄膜晶体管层中使用In-Ga-Zn氧化物膜 的实施例1和实施例2相比，透射率变低。
[0468] (实施例43~45)
[0469] 在第一基板和第二基板中的至少一者制成电极结构，在各个对置侧形成水平取向 性的取向膜后进行弱摩擦处理，制成FK单元，在第一基板与第二基板之间夹持W下所示的 液晶组合物43~35，制成实施例43~45的液晶显示元件(dgap = 3.0皿，取向膜4心1051) (dgap = 3.0皿）。
[0470] 测定实施例43~45的液晶显示元件的VHR、ID和透射率。此外，进行该液晶显示元 件的残影评价。将液晶组合物的组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID、透射率和残影评 价的结果示于W下的表。 陶][表41]
[0472]
[0473]
[0474]
[0475] 实施例43~45的液晶显示元件可W实现高的VHR、小的ID和高的透射率。此外，残 影评价中也没有残像，或即使有也极微少，为可容许的水平。
[0476] (实施例46、47)
[0477] 与实施例1同样地分别夹持W下的表所示的液晶组合物46、47,制成实施例46、47 的液晶显示元件，测定其VHR和ID。此外，进行该液晶显示元件的残影评价。将液晶组合物的 组成、其物性值、液晶显示元件的VHR、ID和残影评价的结果示于W下的表。
[047引[表 43]
[0479]
[0480] [表 44] 「A>1 CM I
LU4。乙」 大'JtE'|7U4D、4 WXI巧乂日日业/j、yL'|下HJ 大巧山巧口XI vrm/TM/j、口\|丄^。_1^_^：/|、,7或京夕矿1刀下化汉 有残像，或即使有也极微少，为可容许的水平。
【主权项】
1. 一种液晶显示元件，具有对置配置的第一基板与第二基板，在所述第一基板与第二 基板之间夹持有含有液晶组合物的液晶层， 且具有在所述第一基板上配置成矩阵状的多个栅极配线和数据配线、设置于所述栅极 配线与数据配线的交叉部的薄膜晶体管、以及利用该晶体管进行驱动且由透明导电性材料 构成的像素电极， 所述薄膜晶体管具有栅极电极、与该栅极电极隔着绝缘层设置的氧化物半导体层、以 及与该氧化物半导体层导通而设置的源电极和漏电极， 所述液晶组合物含有一种或二种以上的选自由通式(LC3)~通式(LC5)表示的化合物 中的化合物和一种或二种以上的选自由通式（Π -a)~通式（II-f)表示的化合物中的化合 物，式中，1^31、1^32、1^41、1^42、1^ 51和1^52各自独立地表示碳原子数1~15的烷基，该烷基 中的1个或2个以上的-CH2-可以以氧原子不直接邻接的方式被-〇-、-CH = CH-、-C〇-、_ 0C0-、-⑶0-或-C = C-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子也可任意地被卤素原子取 代，ALG31、ALG32、ALG41、ALG42、#~和#52各自独立地表示下述任一结构：该结构中，亚环己基中的1个或2个以上的-CH2-也可被氧原子取代，1，4_亚苯基中的1个 或2个以上的-CH =也可被氮原子取代，此外，该结构中的1个或2个以上的氢原子也可被氟 原子、氯原子、-CF3或-〇CF 3取代;ZLG31、ZLG32、ZLG41、ZLG42、Z LG51和ZLG51各自独立地表示单键、-CH =CH-、-C Ξ C-、-CH2CH2-、_ (CH2) 4_、_CO〇-、-〇CH2_、_CH2〇 _、_0CF2_ 或-CF2〇_，Z5 表不-CH2_ 或 氧原子，XLe41表示氢原子或氟原子，mLe31、mLe32、m Le41、mLe42、mLe51和mLe52各自独立地表示0~3， mLG31+mLG32、mLG41+mLG42和 mLG51+mLG52为 1、2或 3,在存在多个 ALG31 ~ALG52、ZLG31 ~ZLG52 时，它们可 相同或不同，式中，R19~R3()互相独立地表示碳原子数1~10的烷基、碳原子数1~10的烷氧基或碳原 子数2~10的烯基，X21表示氢原子或氟原子。2. 如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，所述氧化物半导体层是含有选自In、Ga、Zn 和Sn中的至少一个元素的氧化物。3. 如权利要求1或2所述的液晶显示元件，其中，所述氧化物半导体层是含有In、Ga和Zn 的氧化物。4. 如权利要求1~3中任一项所述的液晶显示元件，其中，所述液晶层进一步含有由通 式(LC)表不的化合物，通式(LC)中，F表示碳原子数1~15的烷基，该烷基中的1个或2个以上的-CH2-可以以 氧原子不直接邻接的方式被-0-、_CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-或-C三C-取代，该烷基中的1 个或2个以上的氢原子也可任意地被卤素原子取代， ALC$PALC2各自独立地表示选自（a)、（b)、（c)中的基团： (a) 反式-1，4-亚环己基，其中，存在于该基团中的1个-CH2-或未邻接的2个以上-CH2-也 可被氧原子或硫原子取代， (b) 1，4-亚苯基，其中，存在于该基团中的1个-CH=或未邻接的2个以上-CH=也可被氮 原子取代，以及 (c) 1，4_双环(2.2.2)亚辛基、萘-2，6_二基、十氢萘-2，6_二基、1，2,3，4_四氢萘-2,6- 二基或苯并二氢吡喃-2，6-二基， 所述的基团（a)、基团（b)或基团（c)所含的1个或2个以上的氢原子也可各自被氟原子、 氯原子、-CF3或-〇CF3取代， 2以表示单键、-〇1 = 01-、-。卩=。卩-、-(：三(：-、-〇12(：!12-、-(012)4-、-〇(：!12-、-(：!12〇-、- ocf2-、-cf2〇-、-coo-或-0C0-， Υ?ε表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基和碳原子数1~15的烷基，该烷基中的1个或2个以 上的-Qfe-可以以氧原子不直接邻接的方式被_〇-、-CH = CH_、-C〇-、-〇C〇-、-COO-、_C ξ C_、-CF2〇-、-〇CF2-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子也可任意地被卤素原子取代， a表示1~4的整数，a表示2、3或4,存在多个Α?α时，多个存在的Α?α可相同或不同，存在 多个ζκ时，多个存在的ζκ可相同或不同， 其中，不包括由通式(LC3)、通式(LC4)、通式(LC5)和通式（ΙΙ-a)~（ΙΙ-f)表示的化合 物。5. 如权利要求1~4中任一项所述的液晶显示元件，其中，含有至少1种选自由通式 (LC3-1)、通式(LC4-1)和通式(LC5-1)表示的化合物组中的化合物作为由通式(LC3)、通式 (LC4)和通式(LC5)表示的化合物，式中，R31~R33表示碳原子数1~8的烷基、碳原子数2~8的烯基、碳原子数1~8的烷氧基 或碳原子数2~8的烯氧基，R41~R43表示碳原子数1~8的烷基、碳原子数2~8的烯基、碳原 子数1~8的烷氧基或碳原子数2~8的烯氧基，Z 31~Z33表示单键、-CH = CH-、-C = C-、_ ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-oco-、-och 2-、-ch2〇-、-ocf2-或-CF2〇-，X 41 表示氢原子或氟原子， Z34表示-CH2-或氧原子。6. 如权利要求1~5中任一项所述的液晶显示元件，其中，含有至少1种选自由通式 (LC3-2)、通式(LC4-2)和通式(LC5-2)表示的化合物组中的化合物作为由通式(LC3)、通式 (LC4)和通式(LC5)表示的化合物，式中，R51~R53表示碳原子数1~8的烷基、碳原子数2~8的烯基、碳原子数1~8的烷氧基 或碳原子数2~8的烯氧基，R61~R63表示碳原子数1~8的烷基、碳原子数2~8的烯基、碳原 子数1~8的烷氧基或碳原子数2~8的烯氧基，B 1~B3表示可被氟取代的1，4_亚苯基或反式-1，4-亚环己基，Z41 ~Z43表不单键、-CH = CH-、-C Ξ C-、-CH2CH2-、_ (CH2) 4_、_CO〇-、-〇C〇-、_ och2-、-ch2〇-、-ocf2-或-cf2〇-，X 42表示氢原子或氟原子，z44表示-ch2-或氧原子。7. 如权利要求1~6中任一项所述的液晶显示元件，其中，构成所述液晶层的液晶组合 物的由以下式表示的Z为13000以下，γ?为150以下，Δη为0.08~0.13， Z= yVAn2 式中，γ 1表示旋转粘度，Δη表示折射率各向异性。8. 如权利要求1~7中任一项所述的液晶显示元件，其中，构成所述液晶层的液晶组合 物的向列型液晶相上限温度为60~120°C，向列型液晶相下限温度为-20°C以下，向列型液 晶相上限温度与下限温度的差为100~150。9. 如权利要求1~8中任一项所述的液晶显示元件，其中，构成所述液晶层的液晶组合 物的电阻率为1〇12Ω ·πι以上。10. 如权利要求1~9中任一项所述的液晶显示元件，其中，所述液晶层由将液晶组合物 聚合而成的聚合物构成，该液晶组合物含有一种或二种以上的选自由通式(VI)表示的聚合 性化合物和由下述通式(V)表示的聚合性化合物组中的聚合性化合物，式中，X3表示氢原子或甲基，Sp3表示单键、碳原子数1~8的亚烷基或-〇-(CH2) t-，式中，t 表示2~7的整数，氧原子与芳香环键合，V表示碳原子数2~20的直链或者支链多价亚烷基 或碳原子数5~30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在不邻接氧原子的范围内 被氧原子取代，也可被碳原子数5~20的烷基或环状取代基取代，其中，碳原子数5~20的烷 基中的亚烷基可在不邻接氧原子的范围内被氧原子取代，W表示氢原子、卤素原子或碳原子 数1~8的亚烷基，式中，X1和X2各自独立地表示氢原子或甲基，Sp1和Sp2各自独立地表示单键、碳原子数1 ~8的亚烷基或-〇-(CH2)s-，式中，s表示2~7的整数，氧原子与芳香环键合，U表示碳原子数2 ~20的直链或者支链多价亚烷基或碳原子数5~30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚 烷基可在不邻接氧原子的范围内被氧原子取代，也可被碳原子数5~20的烷基或环状取代 基取代，其中，碳原子数5~20的烷基中的亚烷基可在不邻接氧原子的范围内被氧原子取 代，k表示1~5的整数。11. 如权利要求1~10中任一项所述的液晶显示元件，其中，所述第二基板上具有由透 明导电性材料构成的共通电极，所述液晶层在无施加电压时显示垂直取向。12. 如权利要求1~10中任一项所述的液晶显示元件，其具有： 在所述第一基板或第二基板上与所述像素电极间隔地设置的共通电极、以及 与液晶层接触而设置于第一透明绝缘基板与液晶层之间和第二透明绝缘基板与液晶 层之间且对液晶组合物诱导平行取向的取向膜， 从所述像素电极连接与所述像素电极接近的所述共通电极的最短路径具备相对于第 一基板或第二基板的平行方向成分。13. 如权利要求1~10中任一项所述的液晶显示元件，其具有： 在所述第一基板上与所述像素电极间隔地设置的共通电极、以及 与液晶层接触而设置于所述第一基板与液晶层之间和第二基板与液晶层之间且对液 晶组合物诱导平行取向的取向膜， 接近的所述共通电极与所述像素电极的最短间隔距离d短于所述取向膜彼此的最短间 隔距离G。
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示元件，其具有对置配置的第一基板和第二基板、在第一基板与第二基板之间夹持有含有液晶组合物的液晶层，且具有设置于第一基板上的薄膜晶体管、以及利用晶体管驱动且由透明导电性材料构成的像素电极，薄膜晶体管具有栅极电极、与栅极电极隔着绝缘层设置的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层导通而设置的源电极和漏电极，液晶组合物含有一种或二种以上的选自由通式(LC3)～通式(LC5)表示的化合物中的化合物和一种或二种以上的选自由通式(II-a)～通式(II-f)表示的化合物中的化合物。
【IPC分类】G02F1/1368, C09K19/54, C09K19/30, C09K19/34, C09K19/42, C09K19/12, C09K19/38, G02F1/13, C09K19/32
【公开号】CN105723277
【申请号】CN201480062033
【发明人】小川真治, 岩下芳典
【申请人】Dic株式会社
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2014年11月4日
【公告号】WO2015072369A1