透镜移动装置的制造方法
【专利摘要】公开了一种透镜移动装置。该透镜移动装置包括：移动单元，该移动单元中安装有至少一个透镜并且可以通过在磁体与线圈之间的电磁相互作用来移动；弹性构件，所述弹性构件用于支承所述移动单元；以及位置传感器，所述位置传感器用于感测从所述磁体发出的电磁力随该移动单元移动的变化并基于感测结果输出输出信号，其中，根据所述位置传感器的输出信号与施加给所述线圈的输入信号之比的增益的频率响应特性的一级谐振频率是30Hz至200Hz。
【专利说明】
透镜移动装置
[0001] 相关申请案交叉引用
[0002] 本申请主张于2015年1月23日向韩国提交的韩国申请No. 10-2015-0011214的优先 权益，该申请的全部内容通过引用的方式被并入到本文中如同在本文中得到完全阐述。
技术领域
[0003] 本发明设及一种透镜移动装置。
【背景技术】
[0004] -般来说，很难将在一般摄像头模块中使用的音圈电机(VCM)技术应用于低功耗 的超微型(micromini)摄像头模块中，因此，已经进行了关于此类超微型摄像头模块的研究 工作。
[0005] 在诸如智能手机等小型电子产品中所安装的摄像头模块在使用中会频繁地遭受 冲击，并且在拍摄时会因为使用者手抖而微微颤动。鉴于运些方面，需要研发在摄像头模块 中安装额外单元W防止手抖的技术。
[0006] 已经研究出了各种用于防止手抖的单元。其中，存在一种手抖补偿技术，其中，光 学模块是在垂直于光轴的X轴和y轴方向上移动。在此类技术中，光学系统在垂直于光轴的 平面上移动W校正图像，因此具有不利于微型化的复杂结构。另外，还得要求对光学模块进 行准确和快速的聚焦。
【发明内容】
[0007] 实施例提供一种透镜移动装置，其可W确保稳定的自动聚焦(AF)反馈控制和光学 图像稳定化(0IS)反馈控制。
[000引在一个实施例中，一种透镜移动装置包括:移动单元，在所述移动单元中至少安装 有一个透镜，并且所述移动单元通过在磁体与线圈之间的电磁交互来移动;弹性构件，所述 弹性构件被配置为支承所述移动单元；W及位置传感器，所述位置传感器被配置为感测从 所述磁体发出的电磁力随所述移动单元的移动的变化并且根据感测结果来输出输出信号， 其中，根据所述位置传感器的所述输出信号与施加到所述线圈的输入信号的比值的增益的 频率响应特性的一级谐振频率为30化至200Hz。
[0009] 根据所述位置传感器的输出信号与施加到所述线圈的输入信号的比值的增益的 频率响应特性的二级谐振频率可W超过200Hz。
[0010] 所述弹性构件的宽度可W是所述弹性构件的厚度的预定倍或预定倍W上，并且所 述预定倍可W是2倍至3倍。
[0011] 所述弹性构件的厚度可W是30μπι至50μπι，所述弹性构件的宽度可W等于或大于参 考宽度，并且所述参考宽度可W是60μηι至lOOjim。
[0012] 根据所述位置传感器的输出信号与施加到所述线圈的输入信号的比值的增益的 频率响应特性中的与0地增益对应的频率可W是60化至200Hz。
[OOU] 所述一级谐振频率可从是40化至120Hz。
[0014] 所述一级谐振频率可W是50化至lOOHz。
[0015] 所述二级谐振频率可W是等于或大于250Hz。
[0016] 所述弹性构件可W包括:上弹性构件，所述上弹性构件与线筒的上端和壳体的上 端禪接;W及下弹性构件，所述下弹性构件与所述线筒的下端和所述壳体的下端禪接。
[0017] 所述上弹性构件和所述下弹性构件中的每一个均可W包括:与所述线筒禪接的内 框架;与所述壳体禪接的外框架；W及用于将所述内框架和所述外框架连接的框架连接部 分，所述框架连接部分的宽度可W是所述上弹性构件和所述下弹性构件的厚度的预定倍或 预定倍W上，并且所述预定倍可W是2倍至3倍。
[0018] 所述位置传感器中的每一个可W包括驱动器W执行比例积分微分(PID)控制。
[0019] 在另一实施例中，一种透镜移动装置包括:线筒，所述线筒包含透镜镜筒;壳体，所 述壳体用于收纳所述线筒;与所述线筒和所述壳体禪接的弹性构件;在所述线筒上设置的 第一线圈；在所述壳体上设置的磁体;在所述壳体下方设置的电路板;在所述电路板上设置 的第二线圈；第一位置传感器，所述第一位置传感器用于基于对所述磁体磁场强度随所述 线筒移动变化进行感测的结果来输出第一输出信号；W及第二位置传感器，所述第二位置 传感器用于基于对所述磁体磁场强度随所述壳体移动变化进行感测的结果来输出第二输 出信号，其中，根据第一传递函数(first transfer function)的增益的频率响应特性的一 级谐振频率具有30化至200Hz的频率域，并且根据该第一传递函数的增益的频率响应特性 的二级谐振频率具有超过200Hz的频率域，并且所述第一传递函数是所述第二位置传感器 的输出信号与施加到所述第二线圈的输入信号之比。
[0020] 所述弹性构件可W包括:上弹性构件，所述上弹性构件与所述线筒的上端和所述 壳体的上端禪接，W及下弹性构件，所述下弹性构件与所述线筒的下端和所述壳体的下端 禪接。
[0021] 所述上弹性构件和所述下弹性构件的宽度可W是所述上弹性构件和所述下弹性 构件的厚度的预定倍或预定倍W上，并且所述预定倍可W是2倍至3倍。
[0022] 所述上弹性构件和所述下弹性构件中的每一个均可W包括与所述线筒禪接的内 框架、与所述壳体禪接的外框架W及用于连接所述内框架和所述外框架的框架连接部分， 并且所述上弹性构件和所述下弹性构件的宽度可W等于所述框架连接部分的宽度。
[0023] 所述上弹性构件和所述下弹性构件的厚度可W是30WI1至50μπι，所述上弹性构件和 所述下弹性构件的宽度可W等于或大于参考宽度，所述参考宽度可W是60WI1至100Μ1。
[0024] 根据第二传递函数（second化ansfer function)的增益的频率响应特性的一级 谐振频率可W具有30化至200Hz的频率域，根据第二传递函数的增益的频率响应特性的二 级谐振频率可W具有超过200Hz的频率域，并且，所述第二传递函数可W是所述第一位置传 感器的输出信号与施加到所述第一线圈的输入信号之比。
[0025] 所述第二位置传感器中的每一个可W包括驱动器W执行比例积分微分(PID)控 制。
[00%]根据第一传递函数的增益的频率响应特性的一级谐振频率可W是40化至120Hz， 并且根据第一传递函数的增益的频率响应特性的二级谐振频率可W等于或大于250Hz。 [0027]根据第一传递函数的增益的频率响应特性的一级谐振频率可W是50化至lOOHz， 并且，根据第一传递函数的增益的频率响应特性的二级谐振频率可W等于或大于250Hz。
【附图说明】
[0028] 可W参考W下附图来详细描述布置和实施例，其中，类似附图标记指代类似元件， 其中：
[0029] 图1是根据一个实施例所述的透镜移动装置的分解透视图；
[0030] 图2是图1中的透镜移动装置去除了盖部件之后的组装透视图；
[0031] 图3是图1中所示的线筒、第一线圈、第二磁体、第一位置传感器和传感器基板的分 解透视图；
[0032] 图4是图1所示壳体的透视图；
[0033] 图5是图1所示壳体和第二磁体的底部分解透视图；
[0034] 图6是沿图2中的线Ι-Γ截取的截面图；
[0035] 图7是示出图1中所示的线筒、壳体、上弹性构件、第一位置传感器、传感器基板和 多个支承构件的组装透视图；
[0036] 图8是示出图1中所示的线筒、壳体、下弹性构件和支承构件的底部组装透视图；
[0037] 图9是示出图1中所示的上弹性构件、下弹性构件、第一位置传感器、传感器基板、 基部(base)、支承构件和电路板的组装透视图；
[0038] 图10是示出图1中所示的基部、第二线圈、第二位置传感器和电路板的分解透视 图；
[0039] 图11是示出根据一个实施例所述的传递函数（transfer化nction)的增益（gain) 的频率响应特性的一级谐振频率和二级谐振频率的曲线图；
[0040] 图12是图9所示的第一上弹性构件的放大图；W及
[0041] 图13是示出根据一个实施例的透镜移动装置的AF反馈驱动控制中的根据传递函 数增益的频率响应特性和根据传递函数相位(phase)的频率响应特性。
【具体实施方式】
[0042] 下文中将参考附图详细描述实施例。在W下对实施例的描述中，应理解，当将每一 层(膜）、区域、图案或结构称为形成在基板、层(膜）、区域、焊盘或图案之"上"或"下"时，其 可W直接位于该另一元件的"上"或"下"，也可W在两者之间间接形成有一个或多个中间元 件。此外，应理解，会基于附图来描述在每一元件"上"或"下"的位置关系。
[0043] 本领域技术人员应理解，会出于描述简易和清楚的目的夸大或缩小元件的大小或 省略某些元件。另外，有关元件的大小并不意味其实际大小。此外，在附图中，相同或相似的 元件被标W相同的附图标记，即使运些元件是在不同的图中示出。
[0044] 下文中将参考附图描述根据实施例所述的透镜移动装置。出于描述的便利，尽管 会使用笛卡尔座标系(x，y，z)来描述根据实施例所述的透镜移动装置，但是本发明不限于 此，并且可W使用其他座标系。在有关图中，X轴和y轴指的是垂直于光轴(Z轴)的方向，出于 简便，可W将光轴(Z轴)方向称作"第一方向"，并且可W将X轴方向称作"第二方向"，并且可 W将y轴方向称作"第立方陆'。
[0045] 应用于诸如智能电话或平板电脑的移动装置的小型摄像头模块的"手抖补偿装 置"指的是被配置为当在拍摄静态图像时用于防止由于使用者手抖引发的振动而造成图像 模糊的装置。
[0046] 另外，"自动聚焦装置"指的是用于将物体的图像自动聚焦到图像传感器表面上的 装置。所述手抖补偿装置和所述自动聚焦装置可W W各种方式来实现，并且，根据一个实施 例所述的透镜移动装置可W执行：自动聚焦操作，其中，包含至少一个透镜的光学模块在与 光轴平行的第一方向上移动;和手抖补偿操作，其中，该光学模块在与该第一方向垂直的第 二和第Ξ方向上移动。
[0047] 图1是根据一个实施例所述的透镜移动装置100的分解透视图。
[004引参看图1，透镜移动装置100可W包括盖部件300、上弹性构件150、第一线圈120、线 筒110、壳体140、第二磁体130、下弹性构件160、多个支承构件220、第二线圈230、电路板 250、第二位置传感器240和基部210。透镜移动装置100可W进一步包括传感器基板180、第 一位置传感器170和第一磁体190。
[0049] 线筒110、第一线圈120、第二磁体130、壳体140、上弹性构件150和下弹性构件160 可W形成第一透镜移动单元。另外，第一透镜移动单元可W进一步包括第一位置传感器 170。第一透镜移动单元可W用于执行透镜聚焦操作。
[0化0]另外，第一透镜移动单元、第二线圈230、电路板250、基部210和支承构件220可W 形成第二透镜移动单元。另外，第二透镜移动单元可W进一步包括第二位置传感器240。第 二透镜移动单元可W用于执行手抖补偿操作。
[0051]首先，将描述盖部件300。
[0化2] 盖部件300将上弹性构件150、线筒110、第一线圈120、壳体140、第一磁体190、第二 磁体130、下弹性构件160、支承构件220、第二线圈230和电路板250收纳在由盖部件300和基 部210形成的收纳空间中。
[0化3] 盖部件300可W具有盒形状，该盒形状包括开口的下部、上端部(upper end part) 和侧壁，并且盖部件300的下部可W与基部210的上部禪接。盖部件300的上端部可W具有多 边形形状，例如矩形形状或八边形形状。
[0054] 盖部件300可W设置有形成在其上端部的中空部W将与线筒110禪接的透镜(未示 出）暴露给外部光。另外，由透光材料（li曲t-化ansimitting material)形成的窗口可W额 外地设置在盖部件300的中空部上W防止诸如尘±或潮气的异物进入摄像头模块。
[0055] 盖部件300可W由诸如SUS等非磁材料形成W防止对第二磁体130产生磁吸力，或 者由磁性材料形成W执行辆的功能。
[0056] 图2是图1中的透镜移动装置100去除了盖部件300之后的组装透视图，图3是图1中 所示的线筒110、第一线圈120、第二磁体130(130-1、130-2、130-3和130-4)、第一位置传感 器170和传感器基板180的分解透视图。
[0057] 接下来，将描述线筒110。
[0058] 参考图2和图3,线筒110设置在壳体140(下文将描述）内，并且可W通过在第一线 圈120与第二磁体130之间的电磁相互作用在光轴方向上或与光轴方向平行的第一方向（例 如Z轴方向）上移动。
[0059] 尽管图中未示出，线筒110可W包括安装有至少一个透镜的透镜镜筒(未示出），并 且，该透镜镜筒可W通过各种方法与线筒110的内部禪接。
[0060] 线筒110可w具有中空结构w在其中安装透镜或透镜镜筒，并且线筒110的中空部 可W具有圆形形状、楠圆形形状或多边形形状，但是本发明不限于此。
[0061] 线筒110可W包括第一突起111和第二突起112。
[0062] 线筒110的第一突起111中的每一个可W包括引导部Ilia和第一止挡器(stopper) 11化。线筒110的引导部Ilia可W在与第一方向垂直的第二方向和第Ξ方向上突出，并且用 W引导上弹性构件150的安装位置。线筒112的第二突起112可W在与第一方向垂直的第二 方向和第Ξ方向上突出。
[0063] 第一突起111的第一止挡器11化和线筒110的第二突起112可W用来防止线筒110 的主体的底表面与基部210和电路板250上表面直接相撞，即使在执行自动聚焦功能时线筒 110在与光轴平行的第一方向或与第一方向平行的方向上移动时线筒110移动超过规定的 范围的情况下也能防止相撞。
[0064] 线筒110可W包括支承沟槽114,支承沟槽114设置在线筒110的内周表面110a与外 周表面11化之间W使得传感器基板180可W通过支承沟槽114设置在线筒110上。另外，传感 器基板180可W沿第一方向（例如，Z轴方向）插入到线筒110中。
[0065] 例如，线筒110的支承沟槽114可W设置在线筒110的内周表面110a与第一突起111 和第二突起112之间使得传感器基板180可W沿第一方向（Z轴方向）插入到线筒110中。另 夕h支承沟槽114可W具有可W将传感器基板180设置在和/或固定到线筒110上的任何结 构。例如，支承沟槽114可W具有与传感器基板180相同的形状，例如环形，但是不限于此。
[0066] 另外，在省略传感器基板180的另一实施例中，线筒110的支承沟槽（S叩pod groove )114可W被省略。
[0067] 线筒110可W包括收纳凹槽(receiving recess) 116,收纳凹槽116适合用来收纳 设置在传感器基板180上、与传感器基板180禪接或安装在传感器基板180上的第一位置传 感器170。
[0068] 另外，线筒110的收纳凹槽116可W设置在线筒110的第一突起111与第二突起112 之间的空间（space)中使得在传感器基板180上安装的第一位置传感器170可W沿第一方向 插入到线筒110中。在第一位置传感器170固定到或坐落在壳体140上而不是线筒110的外周 表面上的另一实施例中，线筒110的收纳凹槽116可W省略。
[0069] 线筒110可W包括支承突出部，支承突出部与下弹性构件160禪接并固定到下弹性 构件160上，并且支承突出部设置在线筒110的下表面上。
[0070] 如果根据本实施例所述的透镜移动装置100具有能够执行单向控制 (unidirectionally con化oiled)的自动聚焦功能的结构，可W将线筒110的第一突起111 和第二突起112的下表面与壳体140的第一负载沟槽146的底表面之间的接触状态设置为初 始位置（initial position)。
[0071] 例如，在该初始位置处，当给第一线圈120供应电流时，线筒110升高(raised),当 切断电流供应时，线筒110降低，从而实现自动聚焦功能。
[0072] 此处，该初始位置可W是在没有给第一线圈120施加电力的状态下的移动单元的 最初位置，或者是当上弹性构件150和下弹性构件160仅由于移动单元的重量而弹性变形时 的移动单元的位置。此处，该移动单元可W包括线筒now及与线筒110直接附接的元件，例 如，传感器基板180和第一线圈120。
[0073] 另一方面，如果根据本实施例所述的透镜移动装置100具有能够执行双向控制的 自动聚焦功能的结构，可W将线筒110的第一突起111和第二突起112的下表面与壳体140的 第一负载沟槽146的底表面146aW指定的距离间隔开的位置设置为初始位置。在此情况下， 在该初始位置处，AF移动单元可W由上弹性构件150和下弹性构件160来支承。
[0074] 例如，在该初始位置处，当给第一线圈120施加正向电流时，线筒110可W从初始位 置向上移动，并且，当给第一线圈120施加反向电流时，线筒110可W从初始位置向下移动。 [00巧]接下来，将描述第一线圈120。
[0076] 第一线圈120设置在线筒110的外周表面上。第一线圈120可W设置为在与光轴垂 直的方向上不与第一位置传感器170重叠。
[0077] 例如，为了防止在与光轴垂直的方向上在第一线圈120与第一位置传感器170之间 发生干扰或重叠，第一位置传感器170可W设置在线筒110的外周表面11化的上部上，第一 线圈120可W设置在线筒110的外周表面11化的下部上。
[0078] 根据另一实施例，为了防止在与光轴垂直的方向上在第一线圈120与第一位置传 感器170之间发生干扰或重叠，第一位置传感器170可W坐落在壳体140上或者固定到壳体 140上，并且，第一线圈120可W设置在线筒110的外周表面11化上。
[0079] 如图3所示，第一线圈120可W在围绕光轴旋转的方向上缠绕在线筒110的外周表 面11化上。
[0080] 例如，第一线圈120可W直接缠绕在线筒110的外周表面110b上，或者缠绕在设置 在线筒110的外周表面11化上的线圈环(未示出）上。
[0081] 根据另一实施例，第一线圈120可W预先缠好然后插入到线筒110中，为此，供第一 线圈120插入的沟槽部分可W设置在线筒110的外周表面11化上。例如，第一线圈120可W设 置为有角度的环形线圈块。
[0082] 如图2所例示，第一线圈120可W具有近似八边形形状。第一线圈120的此类形状可 W对应于线筒110的外周表面11化的形状，但是，第一线圈120不限于此，并且可W形成为圆 形。
[0083] 另外，第一线圈120的至少四个表面可W设置为平坦表面，并且，连接运些表面的 拐角可W设置为具有平坦表面，但不限于此。也就是说，其可W形成为具有圆的表面。
[0084] 第一线圈120可W具有与第二磁体130对应或相反的表面。另外，与第一线圈120对 应的第二磁体130可W具有与第一线圈120的曲率相同的曲率。
[0085] 例如，如果第一线圈120的表面是平坦表面，第二磁体130的对应表面可W是平坦 表面，并且，如果第一线圈120的表面是弯曲表面，第二磁体130的对应表面可W是弯曲表 面。另外，即使第一线圈120的表面是弯曲表面，第二磁体130的对应表面也可W具有平坦表 面，反之亦然。
[0086] 当给第一线圈120供应电流时，第一线圈120可W通过与第二磁体130的相互作用 而形成电磁力，并且，所形成的电磁力可W在光轴方向上或与光轴平行的方向上移动线筒 110。
[0087] 第二磁体130可W形成为单个主体，因此，第二磁体130的与第一线圈120相对的整 个表面具有相同极性。
[0088] 如果第二磁体130被分成垂直于光轴的两个部分或四个部分进而与第一线圈120 相对的第二磁体130的表面被分成两个部分或四个部分，第一线圈120的表面可W分成与第 二磁体130所分成的部分的数目相同数目的部分。
[0089] 接下来，将描述第一位置传感器170和传感器基板180。
[0090] 第一位置传感器170可W设置在线筒110上，与线筒110禪接或安装在线筒110上， 并且可W与线筒110-起移动。当线筒110在与光轴平行的第一方向上移动时，第一位置传 感器170可W与线筒110-起移动。
[0091] 另一方面，在第一位置传感器170设置在或固定到壳体140上的另一实施例中，当 线筒110在与光轴平行的第一方向上移动时，第一位置传感器170没有与线筒110-起移动。 在此情况下，用W感测第一位置传感器170的第一磁体190可W设置在或固定到线筒110上 并且与线筒110-起移动。
[0092] 第一位置传感器170可W感测第一磁体190根据线筒110的移动的磁场强度，并输 出感测信号来作为感测结果或反馈信号。可W使用该感测信号来调整线筒110在光轴方向 的位移或与光轴平行的第一方向的位移。
[0093] 在第一磁体190被省略的另一实施例中，第一位置传感器170可W感测第二磁体 130根据线筒110的移动的磁场强度，并输出感测信号作为感测结果。
[0094] 第一位置传感器170可W与传感器基板180导电连接，并且实施为包含霍尔传感器 的驱动器类型，或者可W是单个传感器，诸如霍尔传感器。
[00M]第一位置传感器170可各种方式设置在线筒110上、与线筒110禪接或安装在 线筒110上，并且，第一位置传感器170可W根据第一位置传感器170的设置、组合或安装类 型W各种方式来接收电流。
[0096] 第一位置传感器170可W设置在传感器基板180上，与传感器基板180禪接或安装 在传感器基板180上，并且，传感器基板180可W与线筒110禪接。例如，第一位置传感器170 可W通过传感器基板180间接设置在线筒110上，与线筒110禪接或安装在线筒110上。
[0097] 第一位置传感器170可W与上弹性构件150或下弹性构件160中的至少一个导电连 接，下文将详细描述。例如，第一位置传感器170可W与上弹性构件150导电连接。
[0098] 传感器基板180可W插入到线筒110的支承沟槽114中，并进而与线筒110禪接。传 感器基板180足W安装在线筒110上，尽管图3示例性地将传感器基板180示出为环形，但是 本发明不限于此。
[0099] 另外，第一位置传感器170可W使用粘合部件，诸如环氧树脂或双面胶带安装在传 感器基板180上并由传感器基板180支承。
[0100] 传感器基板180可W包括主体182、弹性构件接触部184-1至184-4和电路图案L1至 L4。
[0101] 例如，传感器基板180的主体182可W具有能够插入到线筒110的支承沟槽114并且 固定到支承沟槽114的形状。
[0102] 传感器基板180的弹性构件接触部184-1至184-4可W从传感器基板180的主体182 突出并且可W连接到上弹性构件150的第一内框架151。
[0103] 传感器基板180的电路图案L1至L4可W形成在传感器基板180的主体182上，并且 可W将弹性构件接触部184-1至184-4与第一位置传感器170导电连接。
[0104] 在初始位置，第一位置传感器170可W与在壳体140上设置的第一磁体190相对或 对准。
[0105] 例如，在初始位置，第一位置传感器170的至少一部分可W在与光轴垂直的第二方 向上与第一磁体190重叠(overlap),并且，可W不与第二磁体130重叠。另外，如果第一磁体 190被省略，第一位置传感器170可W设置为在初始位置与第二磁体130部分地重叠。
[0106] 例如，第一位置传感器170可W设置为，使得穿过第一位置传感器170的中屯、且与 垂直于光轴的第二方向平行的虚拟水平线172(参见图6)在初始位置处与第一磁体190的中 屯、对准，但是本发明不限于此。
[0107] 此处，线筒110可W在基于虚拟水平线172与磁体190中屯、相遇的点的第一方向上， 即光轴方向上升高或降低，但是本发明不限于此。
[0108] 也就是说，第一位置传感器170的中屯、可W在初始位置处在垂直于光轴的第二方 向上与第一磁体190的中屯、对准。
[0109] 另外，根据另一实施例，至少第一位置传感器170的中屯、可W在初始位置处在垂直 于光轴的方向上不与第二磁体130重叠，但是第一位置传感器170的除第一位置传感器170 的中屯、W外的其余部分可W与第二磁体130重叠。
[0110] 另外，根据另一实施例，第一位置传感器170的中屯、可W在初始位置在垂直于光轴 的第二方向上不与第二磁体130的中屯、重叠，但是，第二磁体130的除第二磁体130的中屯、W 外的其余部分可W与第一位置传感器170的中屯、重叠。
[0111] 接下来，将描述壳体140。
[0112] 壳体140支承用于感测的第一磁体190和用于驱动的第二磁体130,并且将线筒110 收纳于其中使得线筒110可W在与光轴平行的第一方向上移动。
[0113] 壳体140可W具有大体中空柱形状。例如，壳体140可W具有多边形棱柱形（例如， 矩形棱柱形或八边形棱柱形)或圆形中空部201。
[0114] 图4是图1所示壳体140的透视图，图5是图1所示壳体140和第二磁体130的分解透 视底部图，图6是沿图2中线Ι-Γ截取的截面图，图7是示出图1所示线筒110、壳体140、上弹 性构件150、第一位置传感器170、传感器基板180和支承构件220的组装透视图，图8是图1所 示线筒110、壳体140、下弹性构件160和支承构件220的组装透视底部图。
[0115] 壳体140可W具有在与线筒110的第一突起111和第二突起112对应的位置处形成 的第一负载沟槽146。
[0116] 壳体140可W具有与在线筒110的第一突起111与第二突起112之间的区域对应的 第Ξ突起148。
[0117] 壳体140的与线筒110相对的第Ξ突起148的表面可W具有与线筒110侧部分相同 或对应的形状。此处，在图3所示的线筒110的第一突起111与第二突起112之间的区域的第 一宽度W1和图4所示的壳体140的第Ξ突起148的第二宽度W2可W具有指定容限 (tolerance)。因而，在线筒110的第一突起111与第二突起112之间的壳体140的第Ξ突起 148的旋转可W得到管制。然后，当在给围绕光轴旋转的方向上而不是光轴方向上给线筒 110施加力时，壳体140的第Ξ突起148可W防止线筒110的旋转。
[0118] 例如，壳体140的外表面的上部部分可W具有规则形状，而壳体140的内表面的下 部部分可W具有八边形形状或与八边形形状类似的形状，如图4和图5所示例性地示出。壳 体140可W包括多个侧部分，例如，可W包括四个第一侧部分141和四个第二侧部分142。
[0119] 壳体140的第一侧部分141可W对应于安装了第二磁体130的部分。壳体140的第二 侧部分142可W位于两个邻近的第一侧部分141之间并且对应于可设置支承构件220的部 分。壳体140的第一侧部分141可W将壳体140的第二侧部分142相互连接，并且包括具有指 定深度的平表面。
[0120] 壳体140的第一侧部分141中的每一个可W具有等于或大于对应第二磁体130面积 的面积W及等于或大于对应第二磁体130长度的长度。
[0121] 该壳体可W具有在第一侧部分141的内表面上设置的磁体负载部分141aW收纳第 一磁体190和第二磁体130-1至130-4。
[0122] 第二磁体130-1、130-2、130-3和130-4中的各个可W固定到在壳体140的对应第一 侧部分141上设置的磁体负载部分141a。
[0123] 壳体140的磁体负载部分141a可W形成为与第二磁体130大小对应的沟槽，并且第 二磁体130可W设置在磁体负载部分141a中W使得第二磁体130的至少Ξ个表面即第二磁 体130的两个侧表面和上表面可W与磁体负载部分141a的相应表面相对。
[0124]可W将开口形成在壳体140的磁体负载部分141a的底表面上，即磁体负载部分 141a的与第二线圈230相对的表面上(下文将描述），固定到磁体负载部分141a的第二磁体 130的底表面可W与第二线圈230直接相对。
[0125]第一磁体190可W设置为在与光轴垂直的第二方向上与第一位置传感器170相对。 例如，第一磁体190可W设置在壳体140的第一侧部分141中的任一个上，第一位置传感器 170可W设置在线筒110的第一侧表面的任一个上且与设置了磁体190的壳体140的第一侧 部分141相对应。
[01 %] 例如，第一磁体190可W固定到壳体140的磁体负载部分141 a W便设置在第二磁体 130 上。
[0127] 例如，第一磁体190可W设置在第二磁体130-1至130-4中的任一个(例如，第二磁 体 130-1)上。
[01%] 第一磁体190可W接触任一个第二磁体(例如，第二磁体130-1)，但是本发明不限 于此。
[0129] 在另一实施例中，第一磁体190可W与第二磁体(例如，第二磁体130-1)间隔开，为 此，壳体140可W具有单独的磁体负载部分(图中未示）W收纳与第一磁体190间隔开的第二 磁体(例如，第二磁体130-1)。也就是说，壳体140的一部分可W设置在第一磁体190与第二 磁体(例如，第二磁体130-1)之间。另外，根据又另一实施例，第一磁体190可W被省略，第二 磁体130可W同时执行感测和驱动功能。
[0130] 壳体140的第一侧部分141可W设置为与盖部件300的侧表面平行。另外，壳体140 的第一侧部分141具有大于第二侧部分142的表面。壳体140的第二侧部分142可W形成供支 承构件220通过的路径。壳体140的第二侧部分142的上表面可W包括第一通孔147。支承构 件220可W通过第一通孔147并连接至上弹性构件150。
[0131] 另外，为了防止与图1所示的盖部件300的内表面直接相撞，第二止挡器144可W设 置在壳体140的上端。壳体140可W具有在其上表面上形成的至少一个第一上支承突出部 143W与上弹性构件150禪接。
[0132] 例如，第一上支承突出部143可W形成在壳体140的第二侧部分142的上表面上。壳 体140的第一上支承突出部143可W具有半球形，如图中所例示，或具有圆柱形或多边形棱 柱形，但本发明不限于此。
[0133] 壳体140可W具有在其下表面上形成的支承突出部145W与下弹性构件160禪接并 固定到下弹性构件160。
[0134] 为了确保供填充硅胶型娃树脂的空间W执行阻尼功能并形成供支承构件220通过 的路径，壳体140可W具有在第二侧部分142上形成的第一凹槽142a。也就是说，壳体140的 第一凹槽142a可W被填充W阻尼娃树脂。
[0135] 壳体140可W具有从其侧表面突出的多个第Ξ止挡器149。第Ξ止挡器149用W防 止当壳体140在第二和第Ξ方向上移动时壳体140与盖部件300相撞。
[0136] 为了防止壳体140的底表面与基部210和/或电路板250(下文描述)相撞，壳体140 可W具有从其下表面突出的第四止挡器(未示出）。通过此类配置，壳体140可W在向下的方 向上与基部210间隔开并且在向上的方向上与盖部件300间隔开，因此，能够维持在光轴方 向上的高度并且不会在向上或向下方向上造成干扰。因此，壳体140可W执行壳体140在向 前、向后、向左和向右方向上，即在与光轴垂直的平面上的第二和/或第Ξ方向上的移位操 作。
[0137] 接下来，将描述第一磁体190和第二磁体130。
[0138] 第二磁体130可W设置在壳体140中W对应于第一线圈120。第二磁体130可W被收 纳在壳体140的第一侧部分141内并由第一侧部分141来支承，如图5所例示。
[0139] 例如，参考图5,第二磁体130可W设置在壳体140的磁体负载部分141a中W在与光 轴垂直的方向上与第一线圈120重叠。
[0140] 第一磁体190和第二磁体130可W被收纳在壳体140的第一侧部分141中，但是本发 明不限于此。
[0141 ] 在另一实施例中，第一磁体190和第二磁体130可W设置在壳体140的第一侧部分 141之外或设置在壳体140的第二侧部分142之内或之外。
[0142] 另外，根据又另一实施例，第一磁体190可W被收纳在壳体140的第一侧部分141之 中，第二磁体190可W设置在壳体140的第一侧部分141之外，反之亦然。
[0143] 另外，根据另外一实施例，第一磁体190可W被收纳在壳体140的第一侧部分141之 内或设置在壳体140的第一侧部分141之外，第二磁体130可W被收纳在壳体140的第二侧部 分142之内或设置在壳体140的第二侧部分142之外，反之亦然。
[0144] 第二磁体130可W具有与壳体140的第一侧部分141形状对应的形状，即大体矩形 平行六面体，第二磁体130的与第一线圈120的表面可W具有与第一线圈120对应表面曲率 对应的曲率。
[0145] 第二磁体130可W形成为一个主体使得第二磁体130与第一线圈120相对的表面形 成討及132并且第二磁体130的外表面形成咐及134。但是，本发明不限于此，反之亦然。
[0146] 可W安装至少两个第二磁体130,并且在本实施例中，安装了四个第二磁体130。此 处，第二磁体130可W具有大体矩形截面，但是本发明不限于此。在另一实施例中，第二磁体 130可W具有Ξ角形或菱形截面。
[0147] 参看图3,如果第二磁体130具有矩形截面，第二磁体130-1至130-4中的一对第二 磁体130-1和130-3可W设置为在第二方向上平行，并且另一对第二磁体130-2和130-4可W 设置为在第Ξ方向上平行。通过此类结构设置，可W控制用于补偿手抖的壳体140的移动 (W下将要描述）。
[0148] 第一磁体190可W设置在壳体140中W在与光轴垂直的第二方向上与第一位置传 感器170的至少一部分重叠。例如，与第二磁体(例如第二磁体130-1) -起的第一磁体190可 W被收纳在壳体140的第一侧部分141中并由第一侧部分141支承。
[0149] 第二磁体130可W是单极磁化磁体(monopole ma即etized ma即et)，其中，不同的 磁极形成在磁体的内部和外部。第二磁体130可W设置为使得与第一线圈120相对的第二磁 体130的表面可W形成S极132而第二磁体130的其他表面可W形成咐及134。然而，本发明不 限于此，反之亦然。
[0150] 第一磁体190可W安装在壳体140中W位于第二磁体130上。第一磁体190可W是单 极磁化磁体，其中，不同的磁极分别形成在磁体的上部和下部。例如，在第一磁体190的S极 与N极之间的界面（interface)可W和第二磁体130的S极与N极之间的界面垂直，但是本发 明不限于此。第一磁体190的大小可W小于第二磁体130的大小，但是本发明不限于此。
[0151 ] 在另一实施例中，第一磁体190可W是双极磁化磁体（dipole magnetized magnet),其中，不同的磁极形成在磁体的上部和下部。第一磁体190可W是铁氧体、磁钢或 稀±元素磁体，并且可W根据磁路的类型分为P型或F型。在本实施例中，双极磁化元件的种 类不受限制。
[0152] 被实施为双极磁化磁体的第一磁体190可W包含第一感测磁体、第二感测磁体和 #石兹月莫(non-magnetic diaphragm)。
[0153] 第一感测磁体和第二感测磁体可W彼此间隔开W在与光轴平行的方向上彼此相 对，并且该非磁膜可W设置在第一感测磁体与第二感测磁体之间。
[0154] 在另一实施例中，第一感测磁体和第二感测磁体可W在与光轴垂直的方向上彼此 间隔开W彼此相对，该非磁膜可W设置在第一感测磁体与第二感测磁体之间。
[0155] 该非磁膜是一个基本不含磁力的部分并且可W包含几乎没有极性的区段。该非磁 膜可W被填充W空气或包含非磁材料。
[0156] 透镜移动装置100的移动单元可W从初始位置朝+Z轴方向或-Z轴方向移动。在初 始位置处，该移动单元可W通过上弹性构件150和下弹性构件160与固定单元(S化t ionary uni t)分离。例如，该固定单元可W包含壳体140和直接附接到壳体140的元件(例如，第一磁 体190和第二磁体130)。
[0157] 在初始位置的第一位置传感器170的中屯、可W被对准为在与光轴垂直的方向上与 第一磁体190的非磁膜相对，但是本发明不限于此。因此，当该移动单元沿与光轴平行的方 向移动时，第一位置传感器170可W感测第一磁体190的磁场强度被线性改变的区段。
[0158] 根据第一磁体190的种类，第一位置传感器170的中屯、可W被对准为在与光轴垂直 的方向上与第一感测磁体、第二感测磁体和非磁膜中的任何一个相对。
[0159] 接下来，将描述上弹性构件150、下弹性构件160和支承构件220。
[0160] 上弹性构件150和下弹性构件160可W通过弹性来支承线筒110。例如，上弹性构件 150可W与线筒110上端和壳体140上端禪接，下弹性构件160可W与线筒110下端和壳体140 下端禪接。
[0161] 支承构件220可W支承壳体140W使之可W在与光轴垂直的方向上相对于基部210 移动，并且可W将上弹性构件150和下弹性构件160中的至少一个与电路板250导电连接。
[0162] 图9是图1所示的上弹性构件150、下弹性构件160、第一位置传感器170、传感器基 板180、基部210、支承构件220和电路板250的组装透视图。
[0163] 上弹性构件150可^包含多个相互电分离(。〇]1山1(31:;[￥617 3邱6^16(1)的上弹性构 件150-1至150-4。
[0164] 弹性构件接触部184-1至184-4可W导电连接至上弹性构件150和下弹性构件160 中的至少一个。
[01化]尽管图9示例性示出将传感器基板180的弹性构件接触部184-1至184-4与上弹性 构件部分150-1至150-4电接触，但是本发明不限于此。
[0166] 在另一实施例中，传感器基板180的弹性构件接触部184-1至184-4可W导电接触 下弹性构件160或导电接触上弹性构件150和下弹性构件160。
[0167] 与第一位置传感器170电连接的弹性构件接触部184-1至184-4中的每一个可W导 电连接至上弹性构件部分150-1至150-4中的相对应的一个。另外，上弹性构件部分150-1至 150-4中的每一个可W导电连接至支承构件220中的对应支承构件。
[0168] 第一至第四上弹性构件部分150-1至150-4中的每一个150a或150b可W包含与线 筒110禪接的第一内框架151、与壳体140禪接的第1-1外框架152a或15化，W及将第一内框 架151与第1-1外框架152a或15化连接的第一框架连接部分153。
[0169] 第一至第四上弹性构件部分150-1至150-4中的每一个的第一框架151可W与线筒 110 W及弹性构件接触部184-1至184-4中的对应接触部禪接。
[0170] 如图3所示例性示出，如果线筒110的第二突起112的上表面112a为平坦，第一内框 架151可W位于线筒110的第二突起112的上表面112a上，然后使用粘合部件固定。
[0171] 在另一实施例中，与图3不同，如果支承突出部（未示出）形成在上表面112a上，支 承突出部可W插入到在第一内框架151上形成的通孔151a中，并且然后通过热烙合或使用 诸如环氧树脂的粘合部件来固定。
[0172] 第1-1外框架152a或15化可W与壳体140禪接并连接至支承构件220。
[0173] 第一框架连接部分153可W将第一内框架151和第1-1外框架152a或152b连接。尽 管第1-1外框架152b具有与将第1-1外框架152a分割所获两个部分中的任一部分相同的形 状，但是本发明不限于此。在另一实施例中，第1-1外框架152a可W分成两个部分，并且该两 个部分可W具有与第1-1外框架15化相同的形状并且在两横侧对称设置。
[0174] 第一框架连接部分153可W弯折至少一次并且可W形成具有指定形状的图案。通 过第一框架连接部分153的位置改变和精细变形，线筒110在与光轴平行的第一方向上的提 高和/或降低操作可W被弹性的支承。
[0175] 壳体140的第一上支承突出部143可W将上弹性构件150的第1-1外框架152a和 152b (如图9中所示例性示出）与壳体140禪接并固定至壳体140。
[0176] 根据本实施例，与壳体140的第一上支承突出部143禪接的通孔157可W形成在第 1-1外框架152a和15化上。壳体140的第一上支承突出部143和通孔157可W通过热烙合固定 或使用诸如环氧树脂的粘合部件来固定。
[0177] 在第一内框架151与线筒110禪接且第1-1外框架152a和15化与壳体140禪接之后， 可W将电力例如不同极性的电力施加给第一位置传感器170的四个销(pins)中的两个销， 并且，如图7所例示，可W通过在传感器基板180的弹性构件接触部184-1至184-4与第一内 框架151之间进行诸如焊接的导电连接CP11、CP12、CP13和CP14来输出来自其余两个销的感 测信号。例如，为了接收不同极性的电力并输出不同极性的感测信号，上弹性构件150包括 四个上弹性件，即第一至第四上弹性件部分150-1至150-4。
[0178] 第一至第四上弹性件部分150-1至150-4可W通过支承构件220连接至电路板250。
[0179] 例如，第一上弹性构件部分150-1可W通过第1-1支承构件220-la和第1-2支承构 件220-化中的至少一个连接至电路板250,第二上弹性构件部分150-2可W通过第二支承构 件220-2连接至电路板250,第Ξ上弹性构件部分150-3可W通过第3-1支承构件220-3a和第 3-2支承构件220-3b中的至少一个连接至电路板250,第四上弹性构件部分150-4可W通过 第四支承构件220-4连接至电路板250。因此，第一位置传感器170可W通过支承构件220和 上弹性构件150从电路板250接收电力或者将从第一位置传感器170输出的感测信号提供给 电路板250。
[0180] 下弹性构件160可W包括彼此电分离的第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性 构件部分160-2。第一线圈120可W通过第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分 160-2连接至支承构件220。
[0181] 第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2中的每一个可W包含一 个或多个第二内框架161-1和161-2、一个或多个第二外框架162-1和162-2 W及一个或多个 第二框架连接部分163-1、163-2和163-3。
[0182] 第二内框架161-1和161-2可W与线筒110禪接，并且，第二外框架162-1和162-2可 W与壳体140禪接。
[0183] 第2-1框架连接部分163-1可W将第二内框架161-1与第二外框架162-1连接，第2- 2框架连接部分163-2可W将该两个第二外框架162-1和162-2连接，第2-3框架连接部分 163-3可W将第二内框架161-2和第二外框架162-2连接。
[0184] 另外，第一下弹性构件部分160-1可W另外包含第一线圈框架164-1，第二下弹性 构件部分160-2可W另外包含第二线圈框架164-2。
[0185] 参看图9,第一线圈120的两端可W通过诸如焊料的导电连接部件导电连接至第一 线圈框架164-1和第二线圈框架164-2。
[0186] 第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2可W接收电力例如不同 极性的电力，并将所接收的电力传输给第一线圈120。例如，为了接收不同极性的电力并将 所接收的电力传输给第一线圈120,下弹性构件160可W包括两个下弹性构件，即第一下弹 性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2。
[0187] 另外，第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2中的每一个可W另 外包含第2-4框架连接部分163-4。第2-4框架连接部分163-4可W将线圈框架164与第二内 框架161-2连接。
[0188] 第2-1至第2-4框架连接部分163-1、163-2、163-3和163-4中的至少一个可W弯折 至少一次并且形成具有指定形状的图案。具体地，通过第2-1框架连接部分163-1和第2-3框 架连接部分163-3的位置变化和精细变形，线筒110在与光轴平行的第一方向上的升高和/ 或降低操作可W被弹性的支承。
[0189] 根据一个实施例，第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2中的每 一个可W另外包含弯折部165。
[0190] 第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2中的弯折部165可W从第 2-2框架连接部分163-2在第一方向上朝上弹性构件150弯折。
[0191] 上弹性构件150可W另外包含分别彼此电分离的第五上弹性构件部分150-5和第 六上弹性构件部分150-6。第一至第六上弹性构件部分150-1至150-6可W彼此电分离。
[0192] 第五上弹性构件部分150-5和第六上弹性构件部分150-6中的每一个可W包含连 接框架154和第1-2外框架155。第五上弹性构件部分150-5和第六上弹性构件部分150-6的 连接框架154可W在第一方向上延伸并且可W连接至下弹性构件部分160-1和160-2的弯折 部165。
[0193] 第1-2外框架155可W在与第一方向垂直的方向上从连接框架154弯折，与壳体140 禪接并连接至支承构件220。
[0194] 例如，第五上弹性构件150-5可W连接至第五支承构件220-5,第六上弹性构件 150-6可W连接至第六支承构件220-6。此处，第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件 部分160-2的弯折部165W及第五上弹性构件部分150-5和第六上弹性构件部分150-6的连 接框架154和第1-2外框架155可W-体形成。如上所述，第一下弹性构件部分160-1和第二 下弹性构件部分160-2中的每一个和第五上弹性构件部分150-5和第六上弹性构件部分 150-6中的每一个可W具有朝第一方向弯折的部分165或154。
[01M] W与第1-1外框架152b相同的方式，第1-2外框架155可W包含通孔。
[0196] 根据一个实施例，第一至第六上弹性构件部分150-1至150-6的第1-1外框架15化 可W设置为在对角方向彼此相对，第1-2外框架155可W设置为在对角方向彼此相对。
[0197] 应理解，第一下弹性构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2通过与支承构件 220连接的第五上弹性构件部分150-5和第六上弹性构件部分150-6从电路板250接收电力， 并将所接收的电力提供给第一线圈120。也就是说，第一下弹性构件部分160-1可W通过第 六上弹性构件部分160-6和第六支承构件220-6连接至电路板250,第二下弹性构件部分 160-2可W通过第五上弹性构件部分160-5和第五支承构件220-5连接至电路板250。
[0198] 尽管实施例描述可上弹性构件150和下弹性构件160被分成多个上弹性构件和下 弹性构件，但是在另一实施例中上弹性构件150和下弹性构件160可W不被分割。
[0199] 线筒110的第一下支承突出部可W将下弹性构件160的第二内框架161-1和161-2 与线筒110禪接并固定到线筒110。壳体140的第二支承突出部145可W将下弹性构件160的 第二外框架162-1和162-2与壳体140禪接并固定到壳体140。
[0200] 参考图9,与线筒110的第一下支承突出部禪接的通孔161a可W形成在第一下弹性 构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2的第二内框架161-1和161-2上。此处，线筒110 的第一下支承突出部和通孔161a可W通过热烙合或使用诸如环氧树脂的粘合部件来固定。
[0201] 另外，与壳体140的第二下支承突出部145禪接的通孔162a可W形成在第一下弹性 构件部分160-1和第二下弹性构件部分160-2的第二外框架162-1和121-2上。此处，壳体140 的第二下支承突出部145和通孔162a可W通过热烙合或使用诸如环氧树脂的粘合部件来固 定。
[0202] 上述上弹性构件150和下弹性构件160可W设置为片黃（leaf spring),但是对于 上弹性构件150和下弹性构件160的材料本发明不做限制。
[0203] 可W使用两个相互电分离的上弹性构件150给第一位置传感器170供应电力，可W 使用另外两个相互电分离的上弹性构件150将从第一位置传感器170输出的感测信号传输 给电路板250,并且，可W使用两个相互电分离的下弹性构件160给第一线圈120供应电力。 但是，本发明不限于此。
[0204] 在另一实施例中，上弹性构件150的功能和下弹性构件160的功能可W互换。也就 是说，可W使用两个相互电分离的上弹性构件来给第一线圈120供应电力，可W使用两个相 互电分离(conductively separated)的下弹性构件来给第一位置传感器170供应电力，并 且，可W使用另外两个相互电分离的下弹性构件来将从第一位置传感器170输出的感测信 号传输给电路板250。尽管此类结构图中未示出，可W通过图示内容易于想到。
[0205] 支承构件220可W分别设置在壳体140的第二侧部分142上。例如，两个支承构件 220可W设置在四个第二侧部分142中的每一个上。
[0206] 或者，在壳体140的四个第二侧部分142中，可W将一个支承构件220设置在两个第 二侧部分142中的每一个上，并且，可W将两个支承构件220设置在其余两个第二侧部分142 的每一个上。
[0207] 另外，在另一实施例中，支承构件220可W是在壳体140的第一侧部分141上设置的 片黄。
[0208] 支承构件220可W形成路径来传输第一位置传感器170和第一线圈120所需的电力 并且形成路径来将从第一位置传感器170输出的感测信号提供给电路板250,如上所述。
[0209] 支承构件220可W实施为弹性支承构件，例如，片黃、螺旋弹黃、金属丝弹黃或悬挂 线（suspension wire)。另外，在另一实施例中，支承构件220可W与上弹性构件150-体形 成。
[0210] 接下来，将描述基部210、电路板250、第二线圈230和第二位置传感器240。
[0211] 基部210可W具有与线筒110中空部和/或壳体140中空部对应的中空部，并且具有 与盖部件300相符或对应的形状，例如矩形。
[0212] 图10是图1所示的基部210、第二线圈230、第二位置传感器240和电路板250的分解 透视图。
[0213] 基部210可W包含阶梯(staircase)211，在将盖部件300附接到基部210时可W将 阶梯211涂覆W粘合剂。此处，阶梯211可W引导与其上部禪接的盖部件300,并且盖部件300 的末端(dis化1 end)可W与阶梯211表面接触。
[0214] 基部210的阶梯211和盖部件300的末端可W通过粘合剂等来固定和密封。
[0215] 基部210可W与第一透镜驱动单元间隔开指定距离。具有与电路板250的具有端子 251的区域对应大小的支承部分255可W形成在基部210的与电路板250端子251相对的表面 上。支承部分255可W形成在基部210的外表面上而不设阶梯211，并且支承部分255可W支 承形成有端子251的端子表面（terminal surface)253。
[0216] 基部210的拐角可W具有第二凹槽212。如果盖部件300的拐角具有突出形状，盖部 件300的此类突起可W与基部210的第二凹陷212禪接。
[0217] 另外，可供设置第二位置传感器240的第二负载凹槽215-1和215-2可W设置在基 部210的上表面上。
[0218] 根据本实施例，第二位置传感器240的数量可W是两个，因此，可W提供两个第二 负载凹槽215-1和215-2。两个第二位置传感器240-1和240-2中的每一个可W设置在第二负 载凹槽215-1和215-2中的对应负载凹槽中，并且，第二位置传感器240-1和240-2可W感测 壳体140在第二方向和第Ξ方向上的移动程度。由将各个第二负载凹槽215-1和215-2与基 部210中屯、连接的虚拟线所形成的角度可W形成为直角，但是本发明不限于此。
[0219] 另外，用于安装滤光器的负载部分(未示出）可W形成在基部210的下表面上。此类 滤光器可W是IR截止滤光器。但是，本发明不限于此，并且该滤光器可W设置在基部210下 方单独设置的传感器固持器上。另外，如下文将要描述，安装有图像传感器的电路板250可 W设置在基部210的下表面上，并且该摄像头模块可W包含根据本实施例所述的透镜移动 装置100W及安装有所述图像传感器的电路板250。
[0220] 第二线圈230可W设置在电路板250上，第二位置传感器240可W设置在电路板250 下方。第二位置传感器240可W感测壳体140在与光轴垂直的方向上相对于基部210的位移。
[0221] 第二位置传感器240可W包括两个传感器240-1和240-2,该两个传感器240-1和 240-2可W设置为彼此垂直W感测在与光轴垂直的方向（X轴方向和/或y轴方向）上的壳体 140的位移。
[0222] 第二位置传感器240、第二线圈230和第二磁体130可W设置成沿同一轴线对齐，但 是本发明不限于此。
[0223] 电路板250可W设置在基部210的上表面上，并且具有与线筒110中空部、壳体140 中空部和/或基部210中空部对应的中空部。电路板250可W具有与基部210上表面形状相符 或对应形状的形状，例如矩形形状。
[0224] 电路板250可W具有从电路板250上表面弯折的至少一个端子表面253,使得用于 从外部接收电信号的多个端子251或销形成在端子表面253上。
[0225] 第二线圈230可W包括穿过电路部件231拐角部分的通孔230a。支承构件220可W 穿过电路部件231的通孔230a并连接至电路板250。
[0。6] 第二线圈230可W设置在电路板250上W与固定到壳体140的第二磁体130相对。
[0227] 尽管图10中例示了将第二线圈230形成在独立于电路板250设置的电路部件231 上，但是本发明不限于此，并且，根据另一实施例，可W使用在电路板250上形成的电路图案 来实施第二线圈230。
[0228] 可W将四个第二线圈230安装在电路部件231上，但是本发明不限于此。也就是说， 可W只安装两个第二线圈，包含用于第二方向的一个第二线圈和用于第Ξ方向的一个第二 线圈，或者，可W安装四个或四个W上的第二线圈。
[0229] 或者，第二线圈230可W通过将导线缠绕成圆环状线圈形状或形成为精细图案 (fine pattern,FP)线圈形状来形成第二线圈230,并且然后第二线圈230可W导电连接至 电路板250。
[0230] 如上所述，可W通过设置为彼此相对的第二磁体130与第二线圈230之间的相互作 用来在第二方向和/或第Ξ方向上移动壳体140,来执行手抖补偿。
[0231] 第二位置传感器240可W包括:第一传感器240-1，用于感测第一透镜移动单元在 与光轴(Z轴)垂直的X轴方向上的位移；W及第二传感器240-2,用于感测第一透镜移动单元 在y轴方向上的位移。
[0232] 第二位置传感器240可W设置为穿过电路板250与第二线圈230中屯、对齐，但是本 发明不限于此。
[0233] 尽管第二位置传感器240可W是霍尔传感器化all sensor),但是可W使用能够感 测磁场强度的任何传感器来作为第二位置传感器240。
[0234] 电路板250可W包括能够与支承构件220禪接的连接器区域250al和250曰2。支承构 件220可W通过焊接与电路板250的连接器区域250al和250a2禪接，并且因此与在电路板 250上形成的电路图案导电连接。例如，连接器区域250al和250a2形成为穿过电路板250的 通孔，但不限于此。在另一实施例中，连接器区域250al和250a2形成为没有穿过电路板250 的连接焊盘。
[0235] 电路板250可W另外包含与基部210的第二上支承突出部217禪接的通孔25化。电 路板250可W另外包含端子251。端子表面253可W通过弯折形成在电路板250上。一个或多 个端子251可W安装在电路板250的端子表面253上。
[0236] 根据本实施例，通过在端子表面253上安装的端子251，电路板250可W接收外部电 力，并将所接收的电力供应给第一线圈120和第二线圈230W及第一传感器170和第二传感 器240,并将从第一位置传感器170和第二位置传感器240输出的感测信号输出到外部。在端 子表面253上形成的端子251的数量可W根据所需控制的元件的种类和运些元件的数量来 增加或减少。
[0237] 根据本实施例所述，电路板250可W是FPCB，但是本发明不限于此。在电路板250上 形成的端子251可W直接形成在基部210的表面上。
[0238] 如上所述，电路板250可W给第一线圈120和第二线圈230W及第一位置传感器170 供应所需电力，并且将来自第一位置传感器170的感测信号和从第二位置传感器240输出的 感测信号传输给摄像头模块的控制器。
[0239] 根据上述实施例所述的透镜移动装置可W用在例如摄像头模块等各个领域中。例 如，摄像头模块可W应用于移动装置诸如便携型终端中。
[0240] 根据本实施例所述的摄像头模块可W包括:与线筒110禪接的透镜镜筒；图像传感 器(未示出）；图像传感器，该图像传感器可W连接至电路板250并具有图像传感器；W及光 学系统。根据本实施例所述的摄像头模块可W另外包括IR截止滤光器(未示出），用于截止 入射到图像传感器上的红外波长范围的光。
[0241] 另外，该光学系统可W包含至少一个透镜W用于将图像传输给该图像传感器。可 W将执行自动聚焦功能和手抖补偿功能两种功能的致动器模块安装在该光学系统中。根据 本实施例所述的透镜移动装置可W用作执行自动聚焦功能和手抖补偿功能两种功能的致 动器模块。
[0242] 基部210可W执行传感器固持器的功能W保护该图像传感器，但是本发明不限于 此。也就是说，可W将独立的传感器固持器设置在基部210下方因此执行图像传感器保护功 能。
[0243] 下文将描述透镜驱动装置100的稳定的反馈控制。此处，该稳定的反馈控制称作用 于防止振动的AF驱动控制和/或0IS驱动控制。
[0244] 为了执行稳定的反馈控制，需要二级谐振频率（seconda巧resonant frequent) 或较高阶谐振频率化igher-order resonant frequency)与A巧区动控制段和/或OIS驱动控 制段相偏离的设计。另外，需要一级谐振频率(primary resonant frequency)位于AF驱动 控制段和/或Ois驱动控制段内的设计。
[0245] 例如，在用于移动终端的摄像头模块中，用于AF反馈控制和/或0IS反馈控制的频 率响应特性的控制段可W是200Hz或200HzW下的区段，并且，为了执行稳定的AF反馈控制 和/或0IS反馈控制，将频率响应特性的二级谐振频率设计为超过200Hz。
[0246] 首先，将描述关于AF反馈驱动控制的传递函数、谐振频率与上弹性构件和下弹性 构件的厚度和宽度之间的关系。
[0247] 用于AF反馈驱动控制的传递函数Η可W定义为W下方程式1。
[024引[方程式。 Γ ΑΓ? 0249] 好' AFI
[0250] 此处，AF0可W是第一位置传感器170的感测信号或反馈信号，AFI可W是供应给第 一线圈120的输入信号例如供应电流。
[0251] 移动单元的位移可W根据供应给第一线圈120的输入信号AFI来确定，第一位置传 感器170的输出AF0可W根据该移动单元的位移来确定。
[0252] 传递函数Η可W是第一位置传感器170的输出信号AF0与供应给第一线圈120的输 入信号AFI之比。
[0253] 运里，比例积分微分(PID)控制可W在传递函数Η中得到反映。例如，该传递函数Η 可W包含用于PID控制的极点和零点。
[0254] 通过PID控制，在低频范围内的增益可W得到调整或随着产品不同而具有不同频 率特性的透镜移动装置可W被校正W在相同位置具有相同增益值。能够使得随产品不同而 具有不同频率特性的透镜移动装置在相同位置具有相同增益值的校正被称作环路增益 (loop gain)。通过环路增益，可W减少透镜移动装置因为产品不同而产生的色散 (dispersion)。
[02W] PID控制可W由第一位置传感器170执行。运里，第一位置传感器170可W包含能够 执行PID控制的驱动器。
[0256] 或者，在传递函数Η中不会反映 PID控制。在运种情况下，可W通过在该摄像头模块 上安装的驱动器来执行PID控制，并且，第一位置传感器170可W是单个霍尔传感器。
[0257] 根据传递函数Η的增益的频率响应特性的谐振频率与移动单元的重量的根值 (root value)成反比，并且与上弹性构件和下弹性构件的弹性模量的根值成正比。
[0258] 根据传递函数Η增益的频率响应特性的一级谐振频率可W指在第一方向（例如，Z 轴方向）上的谐振频率，二级谐振频率和Ξ级谐振频率可W指示在第二方向和第Ξ方向（例 如，X轴方向和y轴方向）上移动(shif t)或倾斜(t i 11)的谐振频率。
[0259] 为了执行稳定的AF反馈控制，根据透镜移动装置100的AF反馈驱动控制的传递函 数Η的增益的频率响应特性的一级谐振频率可W是30化至200Hz的范围中。Hz指的是频率单 位赫兹。
[0260] 图11是示出根据一个实施例所述的传递函数Η的增益的频率响应特性的一级谐振 频率η和二级谐振频率f2的曲线图。上述PID控制可W在图11中所示的传递函数Η得到反 映。
[0261] 参考图11，根据传递函数Η的增益的频率响应特性的一级谐振频率η可W具有第 一频率域SI，第一频率域SI可w是处于30化至200Hz范围的区域。
[0262] 另外，为了执行更稳定的AF反馈驱动控制，一级谐振频率η可W具有第二频率域 Q1，第二频率域Q1可W是处于40化至120Hz范围的区域。
[0263] 为了确保通过PID控制能够在低频域内获得足够增益，该一级谐振频率可W具有 第S频率域Q2,并且该第Ξ频率域Q2可W是50Hz至lOOHz范围的区域。
[0264] 另外，为了执行稳定的AF反馈驱动控制，根据传递函数Η的增益的频率响应特性的 二级谐振频率f2可W具有第四频率域(frequency domain)S2,并且该第四频率域S2可W具 有超过200Hz的区域。
[0265] 也就是说，根据第一位置传感器170输出信号与施加给第一线圈120的输入信号之 比的增益的频率响应特性的二级谐振频率f 2可W超过200Hz。
[0266] 例如，为了执行更稳定的AF反馈驱动控制，根据传递函数Η的增益的频率响应特性 的二级谐振频率f2可W具有第五频率域Q3,并且该第五频率域Q3可W是等于或大于250Hz 的区域。
[0267] 在AF反馈控制期间根据传递函数Η的增益的频率响应特性的增益裕度（gain margin)和相位裕度(phase margin)可W用作关于反馈稳定性的指标。相位裕度指的是增 益为0地时的位置处的相位，增益裕度指的是相位为0°时位置的增益值。
[026引为了执行PID控制，在根据传递函数Η的增益的频率响应特性中，与0地增益对应的 频率可W是60Ηζ至200Hz。
[0269] 根据传递函数Η的增益的频率响应特性的一级谐振频率可W通过上弹性构件150 和下弹性构件160在第一方向（例如Ζ轴方向）上的弹性模量(the moduli of elasticity) 和AF移动单元的重量来确定。该AF移动单元的重量可W包含透镜镜筒的重量的透镜的重 量。
[0270] 根据传递函数Η的增益的频率响应特性的二级谐振频率可W通过上弹性构件150 和下弹性构件160在第二方向和第Ξ方向（例如X轴方向和y轴方向）中的弹性模量来确定。
[0271] 例如，该AF移动单元可W包含线筒now及在线筒110上安装的能与线筒110-起 移动的元件。例如，该AF移动单元可W包含至少该线筒110和在该线筒110上安装的透镜(未 示出），并且根据实施例可W另外包含第一线圈120、感测基板180、第一位置传感器170和第 一磁体190中的至少一个。
[0272] 上弹性构件150和下弹性构件160在第一方向上的弹性模量可W与上弹性构件150 和下弹性构件160的厚度的立方成正比，与上弹性构件150和下弹性构件160的宽度成正比， 与上弹性构件150和下弹性构件160的长度成反比。
[0273] 根据本实施例所述的上弹性构件150和下弹性构件160可W是片黃，并且，即使上 弹性构件150和下弹性构件160是金属丝弹黃或线圈弹黃，在上弹性构件150和下弹性构件 160的弹性模量与上弹性构件150和下弹性构件160的宽度和厚度之间的关系也可W与本实 施例所述相同。
[0274] 另一方面，上弹性构件150和下弹性构件160在第二方向和第Ξ方向上的弹性模量 可W与上弹性构件150和下弹性构件160的宽度的立方成正比（directly proportional)， 与上弹性构件150和下弹性构件160的厚度成正比，与上弹性构件150和下弹性构件160的长 度成反比。
[02巧]图12是图9所示第一上弹性构件150-1的放大图。
[0276] 参见图12,第一上弹性构件150-1在Z轴方向上的弹性模量可W与第一上弹性构件 150-1的厚度t的立方成正比，与第一上弹性构件150-1的宽度W成正比，与第一上弹性构件 150-1的长度L成反比。
[0277] 第一上弹性构件150-1的宽度、长度和厚度可W是第一上弹性构件150-1的除了与 线筒110和壳体140固定的两端之外的弹性变形部分的宽度、长度和厚度。
[0278] 例如，第一上弹性构件150-1的宽度W可W是第一框架连接部分153的宽度，第一上 弹性构件150-1的长度L可W是第一框架连接部分153的长度。
[0279] 另一方面，第一上弹性构件150-1在X轴和y轴方向上的弹性模量可W与第一上弹 性构件150-1的宽度W的立方成正比，与第一上弹性构件150-1的厚度成正比，与第一上弹性 构件150-1的长度成反比。
[0280] 例如，当根据透镜移动装置100的传递函数Η的频率响应特性的一级谐振频率是 60化时，该AF移动单元的重量是0.3g，上弹性构件150和下弹性构件160的弹性模量Κ是44Ν/ m，为了形成200Hz的二级谐振频率，上弹性构件150和下弹性构件160在第二方向和第Ξ方 向上的弹性模量K需要为约500N/m。此处，上弹性构件150和下弹性构件160在第二方向和第 Ξ方向上的弹性模量K可W是上弹性构件150和下弹性构件160在第一方向上的弹性模量K 的约11倍。
[0%1]另外，为了在相同条件下形成二级谐振频率300Hz，上弹性构件150和下弹性构件 160在第二方向和第Ξ方向上的弹性模量K需要为约llOON/m。此处，上弹性构件150和下弹 性构件160在第二方向和第Ξ方向上的弹性模量K可W是上弹性构件150和下弹性构件160 在第一方向上的弹性模量K的约25倍。
[0282] 另外，例如，为了在根据透镜移动装置100的传递函数Η的增益的频率响应特性中 形成30化至200Hz的一级谐振频率和超过200Hz的二级谐振频率，透镜移动装置100的上弹 性构件150和下弹性构件160的宽度可W是上弹性构件150和下弹性构件160的厚度t的预定 倍或预定倍W上。此处，该预定倍可W是2倍至3倍。
[0283] 例如，上弹性构件150和下弹性构件160的宽度可W是上弹性构件150和下弹性构 件160的厚度t的2倍至3倍。
[0284] 例如，当上弹性构件150和下弹性构件160的厚度是40皿并且根据透镜移动装置 100的传递函数Η的增益的频率响应特性的一级谐振频率为60化时，为了形成超过200Hz的 二级谐振频率，上弹性构件150和下弹性构件160可W具有至少90WI1的宽度。
[0285] 另外，当上弹性构件150和下弹性构件160的厚度是40皿并且根据透镜移动装置 100的传递函数Η的增益的频率响应特性的一级谐振频率为60化时，为了形成超过300Hz的 二级谐振频率，上弹性构件150和下弹性构件160可W具有至少116WI1的宽度。
[0286] 根据本实施例所述的上弹性构件150和下弹性构件160的厚度可W是30WI1至50WI1。
[0287] 为了在根据透镜移动装置100的传递函数Η的增益的频率响应特性中形成30化至 200化的一级谐振频率并形成超过200Hz的二级谐振频率，根据本实施例所述的上弹性构件 150和下弹性构件160的宽度可W等于或大于参考宽度。此处，该参考宽度可W是60WI1至100 μηι。
[0288] 图13是示出根据一个实施例所述的透镜移动装置的AF反馈驱动控制的传递函数Η 的基于增益的频率响应特性和基于相位的频率响应特性的曲线图。
[0289] 参看图13,应理解，在根据AF反馈驱动控制的传递函数Η的增益的频率响应特性 中，一级谐振频率η为lOOHz，二级谐振频率f 2为420Hz。
[0290] 为了执行稳定的AF反馈驱动控制，在基于增益的频率响应特性中，增益裕度需要 为约12地或12地W上，相位裕度需要为45°或45° W上。
[0291] 从图13可W看出，增益裕度GM为18dB，相位裕度PM为约66°，由此本实施例可W确 保AF驱动控制的稳定性。
[0292] 另外，通过在上弹性构件150和下弹性构件160、AF移动单元或固定单元上执行消 振过程(damping process)，可W降低谐振频率的增益的峰值。
[0293] 接下来，将描述用于0IS反馈驱动控制的传递函数、谐振频率和上弹性构件和下弹 性构件的厚度和宽度相互间的关系。
[0294] 用于0IS反馈驱动控制的传递函数册IS可W定义为W下方程式2。
[02M][方程式2]
[0296]
[0297] 此处，AF00IS可W是来自第二位置传感器240的输出信号，并且，AFI0IS可W是供 应给第二线圈230的输入信号。
[0298] 例如，AF00IS可W是来自第二位置传感器240-1的输出信号，并且，AFI0IS可W是 供应给与第二位置传感器240-1对应的第二线圈230的输入信号。
[0299] 另外，例如，AF00IS可W是来自第二位置传感器240-2的输出信号，并且，AFI0IS可 W是供应给与第二位置传感器240-2对应的第二线圈230的输入信号。
[0300] 用于在低频域的快速0IS反馈控制的PID控制可W在传递函数册IS中得到反映，或 者也可W不反映。例如，传递函数册IS可W包含关于PID控制的极点和零点。
[0301] PID控制可W由在该摄像头模块上安装的第二位置传感器240或驱动器来执行。例 如，第二位置传感器240、240-1和240-2可W包含用于执行比例积分微分(PID)控制的驱动 器。
[0302] 0IS移动单元的位移可W基于供应给第二线圈230的输入信号AFI0IS来确定，第二 位置传感器240的输出AF00IS可W根据该0IS移动单元的位移来确定。传递函数册IS可W是 第二位置传感器240的输出信号AF00IS与供应给第二线圈230的输入信号AFI0IS之比。
[0303] 该0IS移动单元可W包含上述AF移动单元和在壳体140中安装的元件。例如，根据 实施例，该0IS移动单元可W包含至少该AF移动单元和壳体140,并且可W另外包含第一磁 体190和第二磁体130-1至130-4。
[0304] 根据传递函数册IS的增益的频率响应特性的一级谐振频率指的是在第二方向和 第Ξ方向（例如，X轴方向和y轴方向）中的谐振频率，并且，二级谐振频率和Ξ级谐振频率指 的是在第一方向（例如，Z轴方向）中移动或倾斜的谐振频率。
[0305] 为了执行在第二方向和第Ξ方向上的稳定的0IS反馈控制，根据透镜移动装置100 的0IS反馈驱动控制的传递函数HOIS的增益的频率响应特性的一级谐振频率可W是处于 30Hz至200Hz的范围。
[0306] 也就是说，根据第二位置传感器240的输出信号与供应给第二线圈230的输入信号 之比的增益的频率响应特性的一级谐振频率可W是30化至200Hz的范围。
[0307] 例如，为了执行稳定的0IS反馈驱动控制，根据传递函数册IS的增益的频率响应特 性的一级谐振频率可W是40化至120Hz的范围。
[0308] 例如，为了执行更为稳定的0IS反馈驱动控制，根据传递函数册IS的增益的频率响 应特性的一级谐振频率可W是50化至1 OOHz的范围。
[0309] 另外，为了执行稳定的0IS反馈驱动控制，根据传递函数册IS的增益的频率响应特 性的二级谐振频率可W超过200Hz。
[0310] 也就是说，根据第二位置传感器240的输出信号与施加给第二线圈230的输入信号 之比的增益的频率响应特性的二级谐振频率可W超过200Hz。
[0311] 例如，为了执行更为稳定的0IS反馈驱动控制，根据传递函数册IS的增益的频率响 应特性的二级谐振频率可W等于或大于250Hz。
[0312] 为了确保在低频处的增益，在根据传递函数册IS的增益的频率响应特性中，0地增 益处的频率可W是60Hz至200Hz。
[0313] 总体上，在0IS反馈驱动期间所用的频率可W是20化或20化W下。通过将与根据传 递函数HOIS增益的频率响应特性中的0地增益处对应的频率设计为在0IS反馈驱动期间所 用的频率的两倍或两倍W上，0IS特性可W被满足并且可W确保稳定的0IS反馈驱动。
[0314] 因为如上所述透镜移动装置100的上弹性构件150和下弹性构件160的宽度是上弹 性构件150和下弹性构件160的厚度t的预定倍或预定倍W上，所W根据传递函数HOIS增益 的频率响应特性的一级谐振频率可W是30化至200Hz，二级谐振频率可W超过200Hz。
[0315] 从W上描述可W看出，根据一个实施例所述的透镜移动装置100将上弹性构件150 和下弹性构件160的宽度设计为上弹性构件150和下弹性构件160的厚度的预定倍或预定倍 W上，并且因此可W执行稳定准确的AF反馈控制和0IS反馈控制。
[0316] 尽管参考本发明多个说明性实施例描述了本发明，但是应理解，本领域技术人员 可W构思在本发明原理精神范围内的众多其他修改和实施例。更具体地，可W在说明书、附 图和权利要求书范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置做出各种变化和修改。除了 在组成部分和/或布置中做出各种变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员也是一 目了然的。
【主权项】
1. 一种透镜移动装置，包括： 移动单元，在所述移动单元中至少安装有一个透镜，并且所述移动单元通过在磁体与 线圈之间的电磁相互作用来移动； 弹性构件，所述弹性构件被配置为支承所述移动单元；以及 位置传感器，所述位置传感器被配置为感测从所述磁体发出的电磁力随所述移动单元 移动的变化并基于感测结果来输出输出信号， 其中，根据所述位置传感器的所述输出信号与施加给所述线圈的输入信号的比值的增 益的频率响应特性的一级谐振频率是30Hz至200Hz。2. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，根据所述位置传感器的所述输出信号与 施加给所述线圈的输入信号的比值的增益的频率响应特性的二级谐振频率超过200Hz。3. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述弹性构件的宽度是所述弹性构件的 厚度的预定倍或预定倍以上，并且，所述预定倍是2倍至3倍。4. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述弹性构件的厚度是30μπι至50μπι，所 述弹性构件的宽度等于或大于参考宽度，所述参考宽度为60μι至100μπι。5. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，根据所述位置传感器的所述输出信号与 施加给所述线圈的输入信号的比值的增益的频率响应特性中的OdB增益处的频率为60Hz至 200Hz〇6. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述一级谐振频率是40Hz至120Hz。7. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述一级谐振频率是50Hz至100Hz。8. 根据权利要求2所述的透镜移动装置，其中，所述二级谐振频率等于或大于250Hz。9. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述弹性构件包含： 上弹性构件，所述上弹性构件与线筒的上端和壳体的上端耦接；以及 下弹性构件，所述下弹性构件与所述线筒的下端和所述壳体的下端耦接。10. 根据权利要求9所述的透镜移动装置，其中，所述上弹性构件和所述下弹性构件中 的每一个包含： 与所述线筒耦接的内框架； 与所述壳体耦接的外框架；以及 框架连接部分，所述框架连接部分被配置为将所述内框架和所述外框架连接， 其中，所述框架连接部分的宽度是所述上弹性构件和所述下弹性构件的厚度的预定倍 或预定倍以上，所述预定倍是2倍至3倍。11. 根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述位置传感器中的每一个包括用于 执行比例积分微分(PID)控制的驱动器。12. -种透镜移动装置，包括： 线筒，所述线筒包含透镜镜筒； 壳体，所述壳体被配置为收纳所述线筒； 弹性构件，所述弹性构件与所述线筒和所述壳体耦接； 在所述线筒上设置的第一线圈； 在所述壳体上设置的磁体； 在所述壳体下设置的电路板； 在所述电路板上设置的第二线圈； 第一位置传感器，所述第一位置传感器被配置为基于根据所述线筒的移动对所述磁体 的磁场强度进行感测的感测结果来输出第一输出信号；以及 第二位置传感器，所述第二位置传感器被配置为基于根据所述线筒的移动对所述磁体 的磁场强度进行感测的感测结果来输出第二输出信号， 其中，根据第一传递函数的增益的频率响应特性的一级谐振频率具有30Hz至200Hz的 频率域，根据所述第一传递函数的增益的频率响应特性的二级谐振频率具有超过200Hz的 频率域，并且，所述第一传递函数为所述第二位置传感器的输出信号与施加给所述第二线 圈的输入信号之比。13. 根据权利要求12所述的透镜移动装置，其中，所述弹性部件包含： 上弹性构件，所述上弹性构件与所述线筒的上端和所述壳体的上端耦接；以及 下弹性构件，所述下弹性构件与所述线筒的下端和所述壳体的下端耦接。14. 根据权利要求13所述的透镜移动装置，其中，所述上弹性构件和所述下弹性构件的 宽度是所述上弹性构件和所述下弹性构件的厚度的预定倍或预定倍以上，所述预定倍是2 倍至3倍。15. 根据权利要求14所述的透镜移动装置，其中，所述上弹性构件和所述下弹性构件中 的每一个包括： 与所述线筒耦接的内框架； 与所述壳体耦接的外框架；以及 框架连接部分，所述框架连接部分被配置为将所述内框架和所述外框架连接， 其中，所述上弹性构件和所述下弹性构件的宽度等于所述框架连接部分的宽度。16. 根据权利要求14所述的透镜移动装置，其中，所述上弹性构件和所述下弹性构件的 厚度是30μπι至50μπι，所述上弹性构件和所述下弹性构件的宽度等于或大于参考宽度，所述 参考宽度是60μηι至100μπι。17. 根据权利要求12所述的透镜移动装置，其中，根据第二传递函数的增益的频率响应 特性的一级谐振频率具有30Hz至200Hz的频率域，根据所述第二传递函数的增益的频率响 应特性的二级谐振频率具有超过200Hz的频率域，所述第二传递函数是所述第一位置传感 器的输出信号与施加给所述第一线圈的输入信号之比。18. 根据权利要求17所述的透镜移动装置，其中，所述第二位置传感器中的每一个包括 用于执行比例积分微分(PID)控制的驱动器。19. 根据权利要求17所述的透镜移动装置，其中，根据所述第一传递函数的增益的频率 响应特性的一级谐振频率是40Hz至120Hz，根据所述第一传递函数的增益的频率响应特性 的二级谐振频率等于或大于250Hz。20. 根据权利要求17所述的透镜移动装置，其中，根据所述第一传递函数的增益的频率 响应特性的一级谐振频率是50Hz至100Hz，根据所述第一传递函数的增益的频率响应特性 的二级谐振频率等于或大于250Hz。
【文档编号】G02B7/28GK105824168SQ201610049681
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年1月25日
【发明人】朴相沃, 孙秉旭, 刘庚皓, 李准泽
【申请人】Lg伊诺特有限公司