衬底上的光具座及其制造方法
【专利摘要】一种光具座包括其中具有沟槽的衬底和在沟槽内的光发射器件。该光具座还包括光学连接至光发射器件的光接收器件。该光具座还包括电连接至光发射器件的至少一个有源电路。该光具座还包括沟槽中的波导，其中，波导光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光具座还包括位于光发射器件和波导之间的透光材料。本发明实施例涉及衬底上的光具座及其制造方法。
【专利说明】衬底上的光具座及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是2012年2月23日提交的美国专利申请第13/403，566号的部分继续申请，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
[0003]本发明大体上涉及一种集成电路。
【背景技术】
[0004]多芯片模块封装件(MCM)集成具有不同功能的芯片并且由不同工艺制成。一些MCM利用基于陶瓷或有机聚合物的衬底材料，在一定配置下，陶瓷和有机聚合物可能具有不足以与半导体芯片匹配的热膨胀系数和/或散热性能不足。这导致基于II1-V族半导体材料的光电芯片和/或高功率放大器的潜在的可靠性问题。
【发明内容】
[0005]根据本发明的一些实施例，提供了一种光具座，包括:衬底，所述衬底中具有沟槽；光发射器件，位于所述沟槽中；光接收器件，光学连接至所述光发射器件;至少一个有源电路，电连接至所述光发射器件;波导，位于所述沟槽中，其中，所述波导光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间；以及透光材料，位于所述光发射器件和所述波导之间。
[0006]根据本发明的另一些实施例，还提供了一种光具座，包括:衬底，所述衬底中具有沟槽;光发射器件，位于所述衬底上;光接收器件，位于所述衬底上，其中，所述光接收器件光学连接至所述光发射器件，并且所述光发射器件或所述光接收器件中的一个位于所述沟槽中；反射层，位于所述沟槽的倾斜侧上方，其中，所述反射层光学地位于所述光接收器件和所述光发射器件之间；波导，位于所述沟槽中，其中，所述波导光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间；以及透光材料，位于所述光发射器件和所述波导之间。
[0007]根据本发明的又一些实施例，还提供了一种制造光具座的方法，所述方法包括:在衬底中形成沟槽;将光发射器件或光接收器件安装在所述沟槽中，其中，所述光发射器件光学连接至所述光接收器件;将波导安装在所述沟槽中；以及在所述光发射器件和所述波导之间形成透光材料。
【附图说明】
[0008]现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中:
[0009]图1是根据一些实施例的衬底上的光具座的截面图；
[0010]图2A至图2E是根据一些实施例的图1中衬底上的光具座的制造工艺的各个步骤的截面图；
[0011]图3A至图3C是根据一些实施例的图1中衬底上的光具座的另一制造工艺的各个步骤的截面图；以及
[0012]图4是根据一些实施例的衬底上的光具座的截面图。
【具体实施方式】
[0013]下面，详细论述各个实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明构思。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用的具体方式，而不用于限制本发明的范围。
[0014]而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，以下本发明中一个部件形成在另一个部件上、连接和/或联接至另一部件可以包括部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括形成插入在部件之间的额外的部件，从而使得部件可以不直接接触的实施例。而且，为了便于理解，使用例如“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“在...之上”、“在...下方”、“上”、“下”、“顶部”、“底部”等以及它们的派生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)空间相对术语以描述本发明的部件与另一部件的关系。空间相对术语旨在覆盖包括部件的器件的不同定位。
[0015]图1是根据一些实施例的衬底上的光具座100的示意图。光具座100包括安装在衬底3上的激光二极管I和光电二极管2。在一些实施例中，激光二极管I和光电二极管2包括II1-V族半导体材料并且在450nm至1700nm范围内的电磁波长处操作。衬底3包括诸如硅的任何合适的材料。在一些实施例中，蚀刻硬掩模4包括SiN或S12,并且能够获得至少30μπι的蚀刻深度。去除用于沟槽21和/或光波导19的区域上方的蚀刻硬掩模4。在一些实例中，蚀刻硬掩模4包括厚度为至少30nm的SiN。在又一些实例中，蚀刻硬掩模4包括厚度为至少10nm的Si02。反射层5包括Cu、Al、Ag、或Au、多层电介质、或在所期望的电磁波长下具有反射性的任何其他合适的材料的至少一种。在一些实施例中，在选定的波长下，反射层5具有至少90%的反射率。在一些实施例中，选择反射层5的材料以选择性地反射所期望的波段并且吸收或传输所期望的波段以外的波长。
[0016]在一些实施例中，介电层6包括S12或诸如多孔S12的其他低k介电材料、诸如聚酰亚胺或聚苯并二恶唑(PBO)的有机聚合物、或诸如聚硅氧烷的混合有机聚合物。在一些实施例中，为了获得在射频(RF)和微波频率下的高性能，介电层6的厚度为至少300nm，其中，衬底3是高电阻硅衬底(电阻率>3000ohm-Cm)。在一些实施例中，介电层6的厚度为至少Ιμπι，其中，衬底3是正常电阻晶圆(电阻率为从lohm-cm至lOohm-cm)的部分。
[0017]位于衬底3上方的再分布层(RDL)7是芯片上的导电层，其允许其在他位置中可获得集成电路的输入输出(1)焊盘。在一些实施例中，RDL7包括Al、Cu或任何其他合适的导电材料，并且具有大于Ιμπι的厚度以用于超过2Gbps的高速度应用。在一些实施例中，钝化层8包括Si02、Si0N、SiN、这些材料的多堆叠件或任何其他合适的材料。在一些实施例中，钝化层8的厚度为从约200nm至约800nm以用于焊盘保护。
[0018]在一些实施例中，底部覆盖层9包括Si02/Si0N。在一些实施例中，通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)形成底部覆盖层9。在一些实施例中，使用旋涂电介质或聚合物来形成底部覆盖层9。在一些实施例中，底部覆盖层9的厚度为至少500nm以防止光泄漏。在一些实施例中，核心层10包括S1N/SiN。在一些实施例中，通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)形成核心层10。在一些实施例中，使用旋涂电介质或聚合物来形成核心层10。在一些实施例中，核心层10的厚度为至少15μπι。在一些实施例中，顶部覆盖层11包括Si02/Si0N。在一些实施例中，通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)形成顶部覆盖层11。在一些实施例中，使用旋涂电介质或聚合物来形成顶部覆盖层11。在一些实施例中，顶部覆盖层11的厚度为至少500nm以防止光泄漏。在一些实施例中，光纤可以放置在沟槽21中作为波导19。
[0019]底部覆盖层9、核心层10和顶部覆盖层11在沟槽21的内部形成波导19作为用于由激光二极管I和/或光电二极管2使用的电磁波长的光链路介质。在一些实施例中，核心层10的折射率高于底部覆盖层9和顶部覆盖层11的折射率，并且折射率差为至少0.02以防止光泄露。在至少一个实例中，通过旋涂工艺沉积用于底部覆盖层9、核心层10和顶部覆盖层11的三个聚合物层，并且然后使用光刻工艺以限定光波导19的尺寸。光学路径20是从激光二极管I放射的光(电磁波)通过反射层5的第一倾斜侧反射，穿过光波导19，通过反射层5的第二倾斜侧反射，然后至光电二极管2的示例性光学路径。
[0020]在一些实施例中，凸块下金属化(UBM)层12包括例如Cu/Ni的任何合适的凸块下金属。在一些实施例中，凸块层13包括无铅焊料或金凸块。在一些实施例中，凸块层13包括铜支柱。在一些实施例中，凸块层13包括用于将倒装芯片与基于半导体的光学芯片和电学芯片接合的微凸块。在一些实施例中，UBM层12和凸块层13的整个厚度为从约Ιμπι至约15μπι。在一些实施例中，穿过衬底3形成的衬底通孔(TSV)H包括Cu或任何其他合适的导电材料。使用TSV14以提供背面电连接件，并且使用本领域已知的任何合适的方法和材料制造TSV14。
[0021]在一些实施例中，另一介电层15包括S12或诸如多孔S12的其他低k介电材料、诸如聚酰亚胺或聚苯并二恶唑(PBO)的有机聚合物、或诸如聚硅氧烷的混合有机聚合物。在一些实施例中，为了获得在射频(RF)和微波频率下的高性能，介电层15的厚度为至少300nm，其中，衬底3是高电阻硅衬底(电阻率>3000ohm-Cm)。在一些实施例中，介电层15的厚度为至少lym，其中，衬底3是正常电阻晶圆(电阻率为从lohm-cm至lOohm-cm)的部分。在一些实施例中，背面再分布层(RDL)16包括Al、Cu或任何其他合适的导电材料，并且具有大于Ιμπι的厚度以用于超过2Gbps的高速度应用。
[0022]在一些实施例中，沟槽21具有倾斜侧，倾斜侧相对于衬底3的顶面具有倾斜角Θ，倾斜角Θ在从约42°至约48°的范围内，并且沟槽21具有大于30μπι的深度以容纳来自激光二极管I (例如，垂直腔面发射激光器(VCSEL))的光束。在一些实施例中，激光二极管I具有约20°至30°的光束转向角(beam divers1n angle)，光束尺寸为约ΙΟμπι至约15μηι。
[0023]衬底上的集成光具座100有助于将来自激光二极管I的光藕接至反射层5以及至波导19中。集成光具座100还将出自波导19的光引导至反射层5以由检测器二极管2吸收。在一些实施例中，衬底上的光具座100实施为具有位于线22的任意侧上的一部分。例如，在一个或多个实施例中，光具座100包括位于线22的左侧上的传输部分并且传输部分具有作为发射器的激光二极管I。在一个或多个实施例中，光具座100包括位于线22的右侧上的接收部分并且接收部分具有作为接收器的光电二极管2。较大的波导19尺寸(在一些实施例中大于15μπι)还允许光藕接至光纤中和光纤外以用于与半导体器件的分隔开的芯片进行芯片外通
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[0024]与诸如陶瓷或有机聚合物的其他衬底材料或插入件材料相比，当衬底3包括诸如硅的半导体材料时，衬底上的光具座100能够为诸如安装在衬底3上的激光二极管I和光电二极管2的光学部件提供相匹配的更好的热膨胀系数(CTE)匹配和/或更好地散热。与使用离散的光学部件的一些其他组件相比，通过衬底上的光具座100获得使用硅微制造技术的更坚固以及成本更低的光学器件的集成。例外，通过使用光学波导19，光学通道之间的串扰更少以有助于确保数据传送。
[0025]此外，通过将光具座100配置为传输部分(例如，该部分位于线22的左侧上且具有作为发射器的激光二极管I)或接收部分(例如，该部分位于线22的右侧上且具有作为接收器的光电二极管2)，包括封装件的光学输入或者从封装件的输出是有可能的。在封装件的内部，衬底平台上的光具座100提供的封装件内部的数据传送速率高于通过集成用于信号输入和输出的光学部件和光学选项的典型的电连接件。
[0026]图2A至图2E是根据一些实施例的图1中衬底上的光具座的制造工艺的各个步骤的示意图。在图2A中，例如，通过物理汽相沉积(PVD)在介电层6上方形成RDL7来用于高速电信号传播的金属布线和金属迹线。之后，例如，通过化学汽相沉积(CVD)沉积钝化层8(例如，碳化硅或氧化硅)以用于金属保护。从将要形成沟槽21的区域去除钝化层8、介电层6以及诸如氮化硅或氧化硅的蚀刻硬掩模4。
[0027]在图2B中，通过使用K0H(aq)/IPA或TMAH溶液的湿蚀刻制造沟槽21(在一些实施例中，至少深30μπι)，沟槽21包括具有倾斜角Θ的倾斜侧。通过使用具有IPA量不少于5wt %的1(0!1(25的％至35被％)获得一种用于控制各向异性湿蚀刻的方法。在湿蚀刻期间，温度保持在约60°C至70°C以在湿蚀刻期间获得每分钟0.2至0.6微米的合理的蚀刻速率并且以防止形成过多的凸起。
[0028]在沟槽21上形成反射层5，反射层5具有倾斜角θ(例如，42°至48°)的倾斜侧。在一些实施例中，该步骤可以包括沉积粘合介电层，然后沉积诸如Ti或Cr的阻挡/粘合金属层，以及最后沉积厚度大于50nm的诸如Al、Cu、Ag或Au的高度反射金属以获得大于90%的反射率。在至少一个实例中，通过物理汽相沉积(PVD)或电镀实施沉积工艺。任何其他合适的反射材料或工艺也是可以使用的。
[0029]在图2C中，形成波导19(例如聚合物)来用于沟槽21内部的光学路径。在一些实施例中，该步骤包括通过化学汽相沉积(CVD)或涂布机(用于电介质或聚合物)形成底部覆盖层9(例如，电介质或聚合物)，然后形成核心层10(例如，聚合物)以及顶部覆盖层11 (例如，电介质或聚合物)。在一些实施例中，可以通过蚀刻限定波导19并且去除反射层5的不必要的部分。在一些实施例中，光纤的部分可以放置在沟槽21中作为波导19。
[0030]在图2D中，例如，通过蒸发或溅射或通过化学镀来形成诸如Cu/Ni的UBM层12。以包括蒸发、电镀、印刷、喷射、柱形凸块以及直接放置的多种方式，在UBM12上形成或放置凸块层13。
[0031]在图2Ε中，在衬底3上方倒装芯片安装(和/或必要时引线接合)激光二极管I和光电二极管2，以及其他驱动器或互阻抗放大器(TIA)芯片。在图2Ε中，线22的左侧上的部分是图2Α至图2D中所示的光具座的传输部分，并且线22的右侧上的部分是可以以关于图2Α至图2D所述的相同或相似的工艺制造的接收部分。
[0032]图3Α至图3C是根据一些实施例的图1中衬底上的光具座的另一制造工艺的各个步骤的示意图。在图3Α中，在衬底3上方形成蚀刻硬掩模4和介电层6。从将要形成沟槽21的区域去除例如氮化硅或氧化硅的蚀刻硬掩模4和介电层6。
[0033]在图3Β中，通过，例如使用KOH (aq) /1 PA或TMAH溶液的蚀刻形成具有倾斜角Θ (如图I所示)的沟槽21。通过使用具有IPA量不少于5?丨％的1(0!1(25￥丨％至35￥丨％)获得一种控制各向异性湿蚀刻的方法。在湿蚀刻期间，温度保持在约60°C至70°C以在湿蚀刻期间获得每分钟0.2至0.6微米的合理的蚀刻速率并且以防止形成过多的凸起。
[0034]在沟槽21的倾斜侧上形成反射层5，反射层5具有倾斜角Θ(例如，42°至48°)。在一些实施例中，该步骤可以包括沉积粘合介电层，然后沉积诸如Ti或Cr的阻挡/粘合金属层，以及最后沉积厚度大于50nm的诸如Al、Cu、Ag或Au的高度反射金属以获得大于90%的反射率。在至少一个实例中，通过物理汽相沉积(PVD)或电镀实施沉积工艺。任何其他合适的反射材料或工艺是可以使用的。在一些实施例中，通过光刻工艺在不必要反射层5的区域中去除反射层5。
[0035]在图3C中，形成并且限定RDL7以用于高速电信号传播的金属布线和金属迹线。必要时，可以形成用于电隔离和微波限制的额外的介电层。在图3C中的步骤之后，工艺流程可以继续至如关于图2A所述的形成钝化层8(例如氮化硅或氧化硅)的操作以用于金属保护，并且然后继续之后图2C至图2E所述的步骤。
[0036]图4是根据一些实施例的衬底上的光具座400的截面图。光具座400包括类似于光具座100的元件。相同的元件具有相同的参考标号。与光具座100相比，光具座400包括位于沟槽21内的激光二极管I。在一些实施例中，激光二极管I称为光发射器件。RDL7将激光二极管I电连接至有源电路410。有源电路410配置为产生信号以向激光二极管I提供信息，激光二极管I用于发射由光电检测器2吸收的光。在一些实施例中，光电检测器2称为光接收器件。与不包括底部填充材料420的结构相比，光具座400还包括有源电路410和钝化层8之间的底部填充材料420以帮助增加光具座400的机械强度。透光材料430位于激光二极管I和波导19之间。
[0037]通过减少光散射以及减少在激光二极管I和周围环境的界面处的反射，透光材料430帮助增加激光二极管I和光电检测器2之间传播的光数量。由于折射率匹配，透光材料430增加激光二极管I和光电检测器2之间传播的光数量。换言之，激光二极管I和透光材料430的输出处的折射率的差异小于激光二极管和周围环境的输出处的折射率的差异。在一些实施例中，透光材料430包括旋涂玻璃、有机材料、聚合物材料或另一合适的材料。
[0038]沟槽21包括两个倾斜侧。在一些实施例中，有源电路410和激光二极管I之间的侧边基本垂直于衬底3的顶面。在一些实施例中，反射层5在波导19的底面和衬底3之间延伸。在一些实施例中，反射层5仅位于沟槽21的倾斜侧上。
[0039]光具座400包括连接至激光二极管I的单一有源电路410。在一些实施例中，光具座400包括连接至激光二极管I的多个有源电路410。在具有多个有源电路410的一些实施例中，激光二极管选择性地连接至有源电路410的每一个。在一些实施例中，控制系统配置为在任何特定时间处控制多个有源电路410的哪些连接至激光二极管I ο在一些实施例中，至少一个有源电路410通过诸如TSV14的TSV选择性地连接至激光二极管I。
[0040]光具座400包括位于沟槽21中的激光二极管I。在一些实施例中，光电检测器2位于沟槽21中，并且激光二极管I位于沟槽之外。在一些实施例中，光电检测器2电连接至与有源电路410相似的一个或多个有源电路。光电检测器2配置为将来自激光二极管I的接收的光信号转化为电信号。然后，将电信号提供至连接至光电检测器2的至少一个有源电路。在多个有源电路连接至光电检测器2的一些实施例中，控制系统配置为选择性地确定在任何一个时间处有源电路的哪些连接至光电检测器。在一些实施例中，用于控制有源电路410和激光二极管I之间的连接件的控制系统是与用于控制有源电路和光电检测器2之间的连接件的控制系统相同的控制系统。在一些实施例中，用于控制有源电路410和激光二极管I之间的连接件的控制系统是与用于控制有源电路和光电检测器2之间的连接件的控制系统不同的控制系统。
[0041]在一些实施例中，激光二极管I和光电检测器2均位于沟槽21内。在激光二极管I和光电检测器2位于沟槽21内的一些实施例中，波导19和透光材料430位于激光二极管和光电检测器之间。在激光二极管I和光电检测器2同时位于沟槽21内的一些实施例中，沟槽不具有倾斜侧或省略反射层5。
[0042]一些实施例中，以与图2A至图2E或图3A至图3C所述的方式相似的方式形成光具座400。与图2A至图2E或图3A至图3C所述的制作方法相比，光具座400包括按顺序地将激光二极管I接合在沟槽21中，形成波导19。在一些实施例中，将激光二极管I接合在沟槽21中之前在沟槽21中形成波导19。在一些实施例中，将激光二极管I接合在沟槽中之后在沟槽中形成波导19。在一些实施例中，将激光二极管I接合在沟槽21中的同时，在沟槽21中形成波导19的至少部分。在沟槽21中接合激光二极管I和波导19之后，围绕波导19沉积透光材料430。在一些实施例中，使用旋涂工艺、PVD工艺或CVD工艺沉积透光材料430。在一些实施例中，在沉积步骤之后，使用诸如蚀刻的材料去除步骤来从不期望的位置去除透光材料430。在光电检测器2位于沟槽21中的一些实施例中，循序地将光电检测器接合在沟槽中，在沟槽中形成波导19。在光电检测器2位于沟槽21中的一些实施例中，将光电检测器接合在沟槽中的同时，在沟槽中形成波导19的至少部分。在光电检测器2和激光二极管I同时位于沟槽21中的一些实施例中，光电检测器和激光二极管按顺序地接合在沟槽中。在光电检测器2和激光二极管I同时位于沟槽21中的一些实施例中，光电检测器和激光二极管同时地接合在沟槽中。
[0043]本发明的一个方面涉及一种光具座。该光具座包括其中具有沟槽的衬底和在沟槽内的光发射器件。该光具座还包括光学连接至光发射器件的光接收器件。该光具座还包括电连接至光发射器件的至少一个有源电路。该光具座还包括沟槽中的波导，其中，波导光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光具座还包括光发射器件和波导之间的透光材料。
[0044]该说明书的另一方面涉及一种光具座。该光具座包括其中具有沟槽的衬底和位于衬底上的光发射器件。该光具座还包括位于衬底上的光接收器件，其中，光接收器件光学连接至光发射器件，并且光发射器件或光接收器件中的一个位于沟槽中。该光具座还包括沟槽的倾斜侧上方的反射层，其中，反射层光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光具座还包括沟槽中的波导，其中，波导光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光具座还包括光发射器件和波导之间的透光材料。
[0045]本发明的又一个方面涉及一种制造光具座的方法。该方法包括在衬底中形成沟槽。该方法还包括将光发射器件或光接收器件安装在沟槽中，其中，光发射器件光学连接至光接收器件。该方法还包括将波导安装在沟槽中，并且在光发射器件和波导之间形成透光材料。
[0046]根据本发明的一些实施例，提供了一种光具座，包括:衬底，所述衬底中具有沟槽；光发射器件，位于所述沟槽中；光接收器件，光学连接至所述光发射器件;至少一个有源电路，电连接至所述光发射器件;波导，位于所述沟槽中，其中，所述波导光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间；以及透光材料，位于所述光发射器件和所述波导之间。
[0047]在上述光具座中，所述光接收器件位于所述沟槽中。
[0048]在上述光具座中，所述至少一个有源电路位于所述沟槽以外。
[0049]在上述光具座中，所述透光材料包括旋涂玻璃、有机材料或聚合物材料。
[0050]在上述光具座中，所述至少一个有源电路通过再分布层(RDL)电连接至所述光发射器件。
[0051 ]在上述光具座中，所述至少一个有源电路是多个有源电路。
[0052]在上述光具座中，还包括控制系统，所述控制系统配置为选择性地将所述多个有源电路的每个有源电路连接至所述光发射器件。
[0053]在上述光具座中，还包括位于所述沟槽的倾斜侧上的反射层，其中，所述光吸收器件设置为通过所述反射层吸收光。
[0054]在上述光具座中，所述透光材料与所述反射层形成界面。
[0055]在上述光具座中，所述光发射器件和所述至少一个有源电路之间的所述沟槽的侧边基本垂直于所述衬底的顶面。
[0056]根据本发明的另一些实施例，还提供了一种光具座，包括:衬底，所述衬底中具有沟槽;光发射器件，位于所述衬底上;光接收器件，位于所述衬底上，其中，所述光接收器件光学连接至所述光发射器件，并且所述光发射器件或所述光接收器件中的一个位于所述沟槽中；反射层，位于所述沟槽的倾斜侧上方，其中，所述反射层光学地位于所述光接收器件和所述光发射器件之间；波导，位于所述沟槽中，其中，所述波导光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间；以及透光材料，位于所述光发射器件和所述波导之间。
[0057]在上述光具座中，所述光接收器件位于所述沟槽中。
[0058]在上述光具座中，所述透光材料包括旋涂玻璃、有机材料或聚合物材料。
[0059]在上述光具座中，还包括通过再分布层(RDL)电连接至所述光发射器件的有源电路。
[0000]在上述光具座中，所述透光材料与所述反射层直接接触。
[0061]在上述光具座中，所述反射层介于所述波导的底面和所述衬底之间。
[0062]在上述光具座中，还包括电连接至所述光接收器件的有源电路。
[0063]根据本发明的又一些实施例，还提供了一种制造光具座的方法，所述方法包括:在衬底中形成沟槽;将光发射器件或光接收器件安装在所述沟槽中，其中，所述光发射器件光学连接至所述光接收器件;将波导安装在所述沟槽中；以及在所述光发射器件和所述波导之间形成透光材料。
[0064]在上述方法中，将所述光发射器件或所述光接收器件安装在所述沟槽中包括将所述光发射器件和所述光接收器件均安装在所述沟槽中。
[0065]在上述方法中，形成所述沟槽包括形成具有倾斜侧的所述沟槽，并且所述方法还包括:在所述倾斜侧上方形成反射层，其中，所述反射层光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间。
[0066]上述方法实施例示出了步骤，但是没有必要按照所示顺序执行这些步骤。根据本发明的实施例的精神和范围，可以适当地对这些步骤进行添加、替换、改变顺序和/或删除。结合了不同权利要求和/或不同实施例的实施例都在本发明的范围内并且在审阅本发明之后，本领域的技术人员更容易理解。
【主权项】
1.一种光具座，包括: 衬底，所述衬底中具有沟槽； 光发射器件，位于所述沟槽中； 光接收器件，光学连接至所述光发射器件； 至少一个有源电路，电连接至所述光发射器件； 波导，位于所述沟槽中，其中，所述波导光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间；以及 透光材料，位于所述光发射器件和所述波导之间。2.根据权利要求1所述的光具座，其中，所述光接收器件位于所述沟槽中。3.根据权利要求1所述的光具座，其中，所述至少一个有源电路位于所述沟槽以外。4.根据权利要求1所述的光具座，其中，所述透光材料包括旋涂玻璃、有机材料或聚合物材料。5.根据权利要求1所述的光具座，其中，所述至少一个有源电路通过再分布层(RDL)电连接至所述光发射器件。6.根据权利要求1所述的光具座，其中，所述至少一个有源电路是多个有源电路。7.根据权利要求6所述的光具座，还包括控制系统，所述控制系统配置为选择性地将所述多个有源电路的每个有源电路连接至所述光发射器件。8.根据权利要求1所述的光具座，还包括位于所述沟槽的倾斜侧上的反射层，其中，所述光吸收器件设置为通过所述反射层吸收光。9.一种光具座，包括: 衬底，所述衬底中具有沟槽； 光发射器件，位于所述衬底上； 光接收器件，位于所述衬底上，其中，所述光接收器件光学连接至所述光发射器件，并且所述光发射器件或所述光接收器件中的一个位于所述沟槽中； 反射层，位于所述沟槽的倾斜侧上方，其中，所述反射层光学地位于所述光接收器件和所述光发射器件之间； 波导，位于所述沟槽中，其中，所述波导光学地位于所述光发射器件和所述光接收器件之间；以及 透光材料，位于所述光发射器件和所述波导之间。10.—种制造光具座的方法，所述方法包括: 在衬底中形成沟槽； 将光发射器件或光接收器件安装在所述沟槽中，其中，所述光发射器件光学连接至所述光接收器件； 将波导安装在所述沟槽中；以及 在所述光发射器件和所述波导之间形成透光材料。
【文档编号】G02B6/42GK106094125SQ201610239811
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年4月18日 公开号201610239811.6, CN 106094125 A, CN 106094125A, CN 201610239811, CN-A-106094125, CN106094125 A, CN106094125A, CN201610239811, CN201610239811.6
【发明人】郭英颢, 侯上勇, 李宛谕
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司