含铝氧化镁烧结物粉末的制作方法

文档序号:2935636阅读:182来源:国知局

专利名称::含铝氧化镁烧结物粉末的制作方法
技术领域
:本发明涉及含有铝的氧化,,结物粉末。
背景技术
:交鹏等离子显示面板(以下也称为AC型PDP)—般包含作为图像显示面的前面板、和夹着充满放电气体的放电空间而相向配置的背面板。前面板包含玻璃基板、在该玻璃基板上形成的一对放电电极、以被覆放电电极的方式形成的电介质层、以及在该电介质层的表面上形成的电介质保护层。背面板包含玻璃基板、在该玻璃基板上形成的地址电极、以被覆该玻璃基板和地址电极的方式形成的划分放电空间的隔壁、以及在隔壁表面上形成的红、绿、蓝的荧光体层。放电气体一般使用Xe(氙)和Ne(氖)的混^H体。该混合气体中,Xe为放电气体、Ne为缓冲气体。电介质保护层的形i^才料中,为了斷氏AC型PDP的工作电压、并且保护电介质层不受在放电空间中形成的等离子体的损伤,广泛使用二次电子发射系数高、耐W性优异的氧化镁。以往,AC型PDP中,为了提高发划寺性,研究了在电介质保护层的放电空间侧表面上,设置被由放电气体产生的紫外光激发而发出可激发荧光体层的荧光体的波长的紫外光的紫外光发出层,通过由放电气体发出的紫外光和紫外光发出层发出的紫外光来,荧光体层的荧光体,提高荧光体层的发光效率。例如,专利文献l中公开了一禾中AC型PDP,雜电介质保护层的放电空间侧表面上形成紫外光发出层,该紫夕卜光发出层包含镁受热产生的蒸气被气相氧化形成的、ffl3lBET法测定的平均粒径为500埃以上、为2000埃以上的气相法氧化镁单晶体。并且,还公开了该紫外光发出层发出在230250nm范围具有峰值波长(t:。一夕波長)的紫外光,该波长的紫夕卜光驗荧光体而发光,3从而使PDP的M增加。另一方面,专利文献2中公开了^ffl将氧化f美和氧化铝混合、混炼制备的分散溶液制造的PDP的电介质层f^J户层(氧化f美膜)。该专利文献2中记载了氧化铝的添加效果旨在陶駄文魄始电压。但是,该专利文献2中没有记载氧化铝的结晶结构,并且也没有记载得到的氧化f美薄膜被由PDP的放电气体所产生的紫外光麟而发出紫外光。专利文献1日本特开2006—59786号公报专利文献2日本特开2006—173129号公报
发明内容本发明的目的在于提供一种氧化镁粉末,其作为在AC型PDP等气体放电发光装置的电介质保护层上形成的紫外光发出层的材禾将用,当被由Xe气的气体放电产生的紫外光激发时,高效率地发出在波长250nmP(t^具有峰值波长的紫外光。本发明人发现,以使烧结(焼成)后的铝含量为238质量%的方式将7型氧化铝粉^n氧化f美源粉末混合,iJtit在850。C以上的^^特别是烧结10射中以上所得到的含铝氧化f,结物粉末,被由Xe气的气体放电产生的紫外光、则高效率地发出在波长250nm附近(波长230260nm的范围)具有峰值波长的紫外光,从而完成了本发明。因此,本发明为将Y型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的、铝含量为2~38质5%的含铝氧化镁粉末。战本发明的含铝氧化f幾结物粉末的雌方案如下。(1)铝含量为535质fi0/。。(2)吸收由Xe气的气体放电产生的紫外光而发出在230260nm波长范围具有峰值波长的紫外光。(3)用于制造交流型等离子显示面板的电介质保护层的放电空间侧表面上形成的紫外光发出层。本发明还提供含铝氧化镁粉末的制造方法,其包括将Y型氧化铝粉恭口氧化,粉末的粉末混合物烧结,所述含铝氧化f美粉末吸收由Xe气的气体放电产生的紫外光而发出在230260nm波长范围内具有峰值波长的紫外光。战本发明的含铝氧化纖结物粉末的制造方法的雌方案如下。(1)鄉粉Mii金属镁蒸气的氧化来制造。(2)粉末混合物的烧结^为9001500。C。本发明的含铝氧化f,结物粉末,其被由Xe气的气体放电产生的紫外光激发,高效率的地发出在波长250nm附近(230260nm波长范围)具有峰值波长的紫外光。因此,通过在AC型PDP、荧光灯等气体放电发光装置的放电空间内配置由本发明的含铝氧化镁烧结物粉末制造的氧化镁膜,可以增加放电空间内发出的紫外光的光量,能够使得由气体放电发光装置发出的可见光的量增加。由本发明的含铝氧化f,结物粉末制造的氧化镁膜,作为AC型PDP的气体电介质傲户层的表面上形成的紫外光发出层特别有用。图1为实施例1和比较例1制造的烧结物粉末的铝含量和紫外光发光3贩的关系图。具体实施例方式本发明的含铝氧化f幾结物粉末含有铝238质量%,特别itit含有铝5~35质量%。本发明的含铝氧化f幾结物粉末的BET比表面积,为0.130m2/g,特别雌为0.212m2/g。本发明的含铝氧化f幾结物粉末可以M31将y型氧化铝粉瞎化镁源粉末混合,得到粉末混合物,接着烧结该粉末混合物而得到。粉末混合物的烧结^^雌为85(TC以上,更^it为9001500。C,进一步雌为10001500°C。烧结时间雌为10併中以上,更为10併中2小时,进一步雌为20分钟2小时。粉末混合物的烧结例如可如下进行在常压下、升^I度为10050(TC/小时的条件下,升温到上述烧结温度,接着在烧结上述烧结时间后,以10050(TC/小时的降^3t度^4卩到室温。烧结氛围气通常翻大气氛围。氧化镁源粉末可以f顿氧化镁粉末、以及M加热转化成氧化镁粉末的镁化合物粉末。作为3M:加热转化成氧化镁粉末的镁化合物粉末的例子,可以列举氢氧化镁粉末、碱式碳,粉末、硝勝美粉末和醋勝美粉末。氧化镁源粉末雌为氧化镁粉末,氧化镁粉末:气相合成氧化法制造的氧化镁粉末。气相合成氧化法为使金属镁蒸气和含氧气,气相中接触、将金属l美氧化而制造氧化镁粉末的方法。氧化f鎌粉末的纯度优选为99.95质量%以上。氧化《纖粉末的BET比表面积i^为5150m2/g,特别为750m2/g。氧化f纖粉末的粒径只要不损害本发明^媒则不特别限制。Y型氧化铝粉末的纯度im为99.0质量%以上。Y型氧化铝粉末的粒径只要不损害本发明效果贝怀特别限制。本发明的含铝氧化f,结物粉末被由Xe气的气体方文电产生的紫外光、,高效率地发出波长为250nm左右的紫外光(在230260nm范围具有峰值波长的紫外光)。另外,如上述专利文献l所述,己知AC型PDP、荧光灯等气体放电发光装置中使用的荧光体材料被波长为250nm左右的紫外光激发发出可见光。因此,当在AC型PDP、荧光灯等《顿Xe气作为放电气体的气体放电装置的放电空间内、特别是电介质保护层放电空间侧的表面上配置由本发明的含铝氧化,幾结物粉末制造的氧化纖时,可以增加放电空间内由Xe气的气体放电发出的紫外光的光量,结果會,使由气体放电发光装置发出的可见光的量增加。因此,本发明的含铝氧化!幾结物粉末特别适用于制造AC型PDP的电介质保护层的放电空间侧表面上形成的紫外光发出层。本发明的含铝氧化,结物粉末可以使用喷涂法、静电i^布法等公知方法形成氧化f纖,其粒径在不损害本发明媒的范围不作特别限制。实施例实施例1(烧结物No.lNo.8的制造)将ffi51气相合成氧化法制造的氧化镁粉末(2000A,宇部7亍U7A文(株)制,纯度99.98质量%,BET比表面积8.7m2/g)和Y型氧化铝粉末(纯度99.998质量%,BETl:该面积61.4m2/g)按照下表1所示的配合量混合,得到粉末混合物。将所得粉末混合物SA到容量为25mL的氧化铝柑锅中,在氧化铝坩锅上盖上盖子放入电炉中,以24(TC/小时的升温速度4吏炉内温度上升到1200°C,接着在该》驢下加热烧结30併中。然后,将炉内、鹏以24(TC/小时的降^I^賴口至室温。接着,从电炉中将氧化铝坩锅取出,得到具有下表1示出的铝含量、BETt该面积的烧结物粉末(烧结物No.lNa8)。要说明的是,将烧结物溶角祐盐酸中,根据ICP发光分析测定所调制的溶液中的铝量,从而求得铝含量。表l配合i烧结物氧化镁Y型氧化铝粉铝含量BET比表面粉末(g)末(g)(质量%)积(m2/g)烧结物No.l5.00.1261303.64烧结物No.25.00.3173.153.14烧结物No.35.00.6335.953.31烧结物No.45.01.58212.73,34烧结物No.54.02.53120.54.16烧结物No.62.53.16429.65.59烧结物No,72.05.06237.9未测定烧结物No.81.54.74640.26.99比较例1(烧结物No.9No.13的制备)除了用a型氧化铝粉末(纯度99.99质量%,BET比表面积14.5m2/g)代替Y型氧化铝粉末,按照下表2所示的配合量与氧化镁粉末混合以外,其它与实施例1相同,得到具有下表2所示铝含量的烧结物粉末(烧结物No.9No.13)。表2___配合量烧结物中的氧化镁a型氧化铝铝含量粉末(g)粉末(g)_(质量%)5.00.1271.305.00.6005.944.02.53120.51.54.74640.20.15.06251.9烧结物No.9烧结物No.10烧结物No.ll烧结物No.12烧结物No.137按照以下方法测定实施例1和比较例1制造的烧结物粉末(烧结物No.1No.13)的紫外光发光强度。[紫外光发光鹏对烧结物粉末照射由Xe气的气体放电产生的紫外光,测定綠结物粉末发出的紫外光光谱,求出波长250nm附近(波长230260nm的范围)的最大峰值作为紫外光发光鹏。图1和下表3示出了烧结物NalNo.12的铝含量和紫外光发光纟贩的关系。另外,图1禾口表3中示出的紫外光发光3贩为以烧结物No.13的紫外光发光强度为100的相对值。从图1和表3中所示的紫外光发光强度的结果可知,使用Y型氧化铝粉末作为铝源制造的烧结物粉末中的铝含量在238质*%范围的烧结物粉末与{顿a型氧化铝粉末作为铝源帝隨的烧结物粉末相比,紫外光的发光纟艘高。<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>[比较例2]将实施例1使用的氧化镁粉末在不添加Y型氧化铝粉末的条件下与实施例1同样iikit行烧结。当对得到的烧结物照射由Xe气的气体放电产生的紫外光时,没有观察到发出紫外光。权利要求1.含铝氧化镁粉末,其是将γ型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的,铝含量为2~38质量%。2.如权利要求1所述的含铝氧化镁粉末,其中,铝含量为535质量%。3.如权利要求1所述的含铝氧化^^末,其吸收由Xe气的气体放电产生的紫外光,发出在230260nm波长范围具有峰值波长的紫外光。4.如^l利要求13中任一项所述的含铝氧化镁粉末,其用于制造交流型等离子显示面板的电介质傲户层的放电空间侧表面上形成的紫外光发出层。5.含铝氧化镁粉末的制造方法,其包含将y型氧化铝粉斜口氧化镁源粉末的粉末混^tJ烧结,该含铝氧化镁粉末吸收由Xe气的气体放电产生的紫外光,发出在230260nm波长范围具有峰值波长的紫外光。6.如权利要求5所述的制造方法,其中,镁源粉末^M:金属镁蒸气的氧化制造的。7.如权利要求5所述的制造方法,其中,粉末混合物的烧结》鹏为9001500。C。全文摘要本发明的目的在于提供被由Xe气的气体放电产生的紫外光激发则高效率地发出在波长250nm左右具有峰值波长的紫外光的氧化镁粉末。该目的通过将γ型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的、铝含量为2~38质量%的含铝氧化镁粉末达成。文档编号H01J9/02GK101544474SQ200810096338公开日2009年9月30日申请日期2008年3月28日优先权日2007年3月28日发明者加藤裕三,植木明申请人:宇部材料工业株式会社
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