专利名称：一种发光薄膜及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明属于发光物理材料和显示技术领域，尤其涉及一种发光薄膜及其制备方法和应用。
背景技术：
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。同传统的由发光粉制成的显示屏相比，发光薄膜在对比度、热传导、均匀性、与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性。因此制备性能良好的发光薄膜有着十分重大的意义。现有发光薄膜的制备方法包括激光诱导沉积等。这些方法除了其独特优点之外，都存在工艺比较复杂、设备比较昂贵，所制备的发光薄膜发光强度不高等局限性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术之缺陷，提供一种结构和发光性能稳定、发光强度和发光效率高的发光薄膜。以及，上述发光薄膜的制备方法和应用。为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下—种发光薄膜,所述发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4 = Eu3+,所述Eu3+的摩尔百分含量为0. 006 % 0. 028 %。以及，一种发光薄膜制备方法，包括如下步骤分别称取氧化锌、氧化钡、氧化铕及五氧化二磷混合成混合物，所述混合物按质量百分数各组份占混合物的百分数分别为=ZnO为10% 15%的ZnO、BaO为60% 65%、Eu2O3为1% 5%，余量为P2O5 ；将所述混合物烧结、形成溅射靶材；将所述溅射靶材利用磁控溅射形成薄膜，得到发光薄膜前体；将所述发光薄膜前体进行退火处理，得到所述发光薄膜。本发明进一步提供上述发光薄膜在阴极射线管或/和电致发光器件中的应用。本发明发光薄膜以BaZnPO4为基质，Eu3+掺杂在BaZnPO4基质中，并作为激活元素和构成本发明发光薄膜的发光中心，有效的提高了该发光薄膜发光强度和发光效率。本发明发光薄膜制备方法采用烧结的方法制备溅射靶材，并利用磁控溅射的方式制备而成，有效的提高了该发光薄膜的结构稳定性能，因而使得该发光薄膜的发光性能稳定，与此同时，该制备方法工序简单，提高了生产效率，降低了生产成本，适于工业化生产。
图I是本发明发光薄膜制备方法工艺流程图；图2是本发明实施例I制备的发光薄膜的X射线衍射图3是本发明实施例I制备的发光薄膜的光致发光的光谱图；图4是本发明发光薄膜中铕含量与发光强度关系图；图5是含有实施例I中制备的发光薄膜的电致发光器件结构示意图。
具体实施例方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。本发明实施例提供一种发光强度和发光效率高、结构稳定、发光性能也稳定的发光薄膜。该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，其中，Eu3+的摩尔百分含量为0. 006% 0. 028%。上述本发明实施例所提供的发光薄膜是以BaZnPO4为基质，Eu3+掺杂在BaZnPO4基 质中，并作激活元素和构成本发明发光薄膜的发光中心，有效的提高了该发光薄膜发光强度和发光效率。具体地，本发明实施例发光薄膜中所包含的Eu3+的摩尔百分含量优选为
0.014% 0. 020%，更优选为 0. 018%。通过实验发现Eu3+在发光薄膜中的含量对本发明实施例的发光强度有一定的影响，因此，通过实验对比分析发现，上述Eu3+优选的比例含量能够进一步提高该发光薄膜发光强度。具体的请参见实施例I和图4所示。与此同时，在实验时还发现，提高Eu3+源化合物如Eu2O3组分的纯度，如纯度99. 99%以上，能更进一步的该发光薄膜发光强度，研究其原由是提高该组分的纯度，从而减少了杂质的参入与干扰。由于减少的杂质的干扰，从而保证并提高了该发光薄膜的发光强度。上述发光薄膜的厚度可以根据实际生产需要而灵活调整，本发明实施例对该发光薄膜的厚度没有特别的限制。本发明实施例还提供了上述发光薄膜的制备方法，该方法工艺流程如图I所示SI :分别称取氧化锌、氧化钡、氧化铕及五氧化二磷混合成混合物，所述混合物按质量百分数各组份占混合物的百分数分别为=ZnO为10% 15%、Ba0S60% 65%、Eu203为I % 5%，余量为P2O5;S2 :将所述混合物烧结，形成溅射靶材；S3 :将所述溅射靶材利用磁控溅射形成薄膜，得到发光薄膜前体；S4 :将所述发光薄膜前体进行退火处理，得到所述发光薄膜。具体地，上述发光薄膜制备方法的SI步骤中，本发明实施例发光薄膜中所包含的ZnO的质量百分含量优选为更优选为12 % ;BaO的质量百分含量优选为62 % 64%，更优选为63% ;Eu203的含量如上述，在此不再赘述。同时，该ZnO、Ba0、Eu203、P2O5的纯度优选99. 99%以上，且为粉体。该各组分优选的比例含量能够进一步提高该发光薄膜结构稳定性能和增强其发光率。提高各组分的纯度，从而减少了杂质的参入与干扰，从而保证上述各组分的充分掺杂，并在烧结中结合牢固。上述发光薄膜制备方法的S2步骤中，烧结的温度优选为900 1300°C，更优选为1200°C，时间优选为3小时 4小时。该优选的烧结工艺条件能有效的使得Zn0、Ba0、Eu203和P2O5各组分之间充分的发生作用，进一步提高本发明实施例发光薄膜的发光效率和发光强度，同时能并使得制备的陶瓷溅射靶材大小达到050X2mm的规格，从而提高磁控溅射的效率。上述发光薄膜制备方法的S3步骤中，磁控溅射的工序为S31 :提供衬底；S32 :将衬底与溅射靶材的间距调整为50mm 90mm，在真空度为I. OX KT3Pa
I.0X10_5Pa、衬底温度为250°C 750°C、含氢气和惰性气体混合的工作气体流量为15 30sccm、压强0. 2 4. 5Pa条件下进行磁控派射。上述S31步骤中，衬底优选但不仅仅限于蓝宝石、石英玻璃或硅片等石硬质材质。在向该衬底溅射靶材之前，优选将该衬底进行前期处理，以除去衬底表面粘附的杂质，从而提高本发明实施例发光薄膜在衬底上的结合强度。前期处理可以是如下述实施例I中的处理方式。当然，也可以采用其他的前期处理方式，只要能达到清洁衬底的目的即可。 上述S32步骤中，衬底与溅射靶材的间距优选调整为70mm;真空度优选为5. 0X10_4Pa ;衬底温度优选为550°C ;该含氢气和惰性气体混合的工作气体流量优选为25sccm，惰性优选为氩气体，含氢气和惰性气体混合的工作气体中氢气的体积含量优选为1% 15%;压强优选为2. OPa0该磁控溅射的工艺条件能使得优选的溅射靶材均匀的溅射到衬底上，能进一步使得本发明实施例发光薄膜厚度均匀，和提高发光薄膜在底上的结合强度。上述发光薄膜制备方法的S4步骤中，退火处理是将该发光薄膜前体在真空度为0. I 0. OOlPa，温度为500°C 800°C条件下处理I 3小时。进一步地，退火处理的真空度优选为0. OlPa，温度优选600°C，时间优选2°C。经过该工艺条件的退火处理后，提高了该发光薄膜中的结晶度，增加氧空位，从而增加了该发光薄膜的发光效率。上述发光薄膜制备方法采用烧结的方法制备溅射靶材，并利用磁控溅射的方式制备而成，有效的提高了该发光薄膜的结构稳定性能，因而使得该发光薄膜的发光性能稳定，与此同时，该制备方法工序简单，提高了生产效率，降低了生产成本，适于工业化生产。正是由于本发明实施例发光薄膜具有上述的优点和性能，本发明实施例进一步提供上述发光薄膜在阴极射线管或/和电致发光器件中的应用。以下结合具体实施例对上述发光薄膜的特点、性能和制备方法进行详细阐述。实施例I陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为12%的Zn0、63%的BaOU %的Eu2O3,余量为P2O5,经过均匀混合后，在1200°C下烧结4小时，获得①50 X 2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为70mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到5. 0X10_4Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为25SCCm，氢气含量10%，压强调节为2. OPa，衬底温度为550°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. OlPa真空炉中退火2h，退火温度为650°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为o. 0056%，发光强度为35%。将本实施例制备的发光薄膜进行的X射线衍射分析以及其光致发光的光谱分析测试，其分析结果分别如图2、图3所示。在图2为实施例I制备的发光薄膜的X射线衍射图，由图可以看到出现了明显的晶体X射线衍射峰，从而说明了本实施例制备的发光薄膜各元素规则排布并形成了稳定的以硅酸锌钡为基质的晶体结构，同时该图2中没有出现分离的结晶相，进一步说明了铕元素均匀掺杂在 以硅酸锌钡为基质的晶体中，并与硅酸锌钡基质互相作用，一起形成了稳定的晶体。由图3可知，该发光薄膜在430nm有很强的紫光发光峰,在610nm也有较强的红光发光峰,其发光强度高。由光致突光光谱仪测试得到，该发光薄膜激发发光波长为325nm。实施例2陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为10%的2110、63%的Ba0、l. 2%的Eu2O3,余量为P2O5,经过均匀混合后，在1200°C下烧结3. 5小时，获得O50X2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为70mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到5. 0X10_4Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为25SCCm，氢气含量10%，压强调节为2. OPa，衬底温度为400°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. OlPa真空炉中退火2h，退火温度为700°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为0. 007%，发光强度为60%。实施例3陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为11%的Zn0、65%的BaOU. 6%的Eu2O3,余量为P2O5，经过均匀混合后，在1300°C下烧结3小时，获得①50X2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为50mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到I. 0X10_3Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为30sCCm，氢气含量1%，压强调节为4. 5Pa，衬底温度为300°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. OOlPa真空炉中退火3h，退火温度为500°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为0. 009%，发光强度为75%。实施例4陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为13%的Zn0、63%的BaO,2. 5%的Eu2O3,余量为P2O5,经过均匀混合后，在1200°C下烧结3小时，获得①50X 2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；
发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为70mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到5. 0X10_4Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为25SCCm，氢气含量10%，压强调节为2. OPa，衬底温度为350°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. 007Pa真空炉中退火2h，退火温度为550°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为0.014%，发光强度为78%。实施例5陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为14%的Zn0、60%的Ba0、3%的Eu2O3，余量为P2O5,经过均匀混合后，在900°C下烧结4小时，获得①50 X 2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用 去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为90mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到I. 0X10_5Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为15sCCm，氢气含量15%，压强调节为3. OPa，衬底温度为800°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. 003Pa真空炉中退火lh，退火温度为800°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为0. 018%，发光强度为80%。实施例6陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为15%的Zn0、63%的Ba0、5%的Eu2O3,余量为P2O5,经过均匀混合后，在1200°C下烧结3. 5小时，获得①50 X 2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为70mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到5. 0X10_4Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为25SCCm，氢气含量10%，压强调节为2. OPa，衬底温度为400°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. OlPa真空炉中退火2h，退火温度为650°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为0. 028%，发光强度为70%。实施例I陶瓷溅射靶材的制备选用纯度为99. 99%的质量百分比为15%的Zn0、63%的Ba0、4%的Eu2O3，余量为P2O5,经过均匀混合后，在1200°C下烧结3小时，获得O 50 X 2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内；衬底的获取将蓝宝石衬底先后用丙酮和无水乙醇清洗,然后用浓磷酸腐蚀,再用去离子水冲洗，最后用高纯氮气吹干，放入真空腔体；发光薄膜的制备先将陶瓷溅射靶材和衬底放置真空腔体中，并使得陶瓷溅射靶材和衬底的间距为70mm，再用机械泵和分子泵把真空腔体的真空度抽到5. 0X10_4Pa，然后在氩氢混合气的工作气体流量为25SCCm，氢气含量10%，压强调节为2. OPa，衬底温度为400°C下进行磁控溅射处理，最后将磁控溅射处理得到的样品在0. OlPa真空炉中退火2h，退火温度为650°C，从而得到发光薄膜，该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+，Eu3+的摩尔百分含量为0. 022%，发光强度为72%。将上述实施例制备的发光薄膜进行光致发光的光谱分析的结果见图4。由图4可知，本发明实施例发光薄膜的发光强度受到Eu元素含量的影响，稀土铕离子称为激活剂，是该发光薄膜的发光中心，发光薄膜的发光强度是随着发光中心元素的增加而增加的，当浓度超过某一值时发光强度反而会下降，称为该荧光体的发光淬灭浓度，由图4可知，当Eu3+的摩尔百分含量小于3%时，该发光薄膜的发光强度随着Eu元素含量的升高而增强；当Eu3+的摩尔百分含量大于3%时，该发光薄膜的发光强度随着Eu元素含量的升高反而减弱。因此，进一步证实了本发明实施例相应组分的发光薄膜具有发光强度和发光效率高的优点。应用实施例
含有本发明实施例发光薄膜的电致发光器件及其制备请参阅图5，图5显示利用本发明实施例发光薄膜的电致发光器件结构图，该电致发光器件包括依次叠加设置的玻璃衬底I、阳极层2、发光层3和阴极层4。其中，该阳极层2的材质为ITO导电膜，发光层3的材质为本发明实施例的发光薄膜，阴极层4的材质为银。该电致发光器件的制备方法如下I.提供玻璃衬底1，该玻璃衬底I需前期清洗处理；2.在玻璃衬底I 一表面镀阳极层2 ；3.将镀有阳极层2的玻璃衬底I用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗，并对其进行氧等离子处理；4.将步骤3处理后的玻璃衬底I放进磁控溅射设备中，然后按照上述本发明实施例发光薄膜的制备方法在阳极层2外表面溅射上述实施例I制备的发光薄膜，从而形成发光层3 ；5.在发光层3与阳极层2结合面的相对的表面上蒸镀银层，该银层即为阴极层4，从而得到电致发光器件。以上该仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种发光薄膜，所述发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+。
2.如权利要求I所述的发光薄膜，其特征在于所述Eu3+的摩尔百分含量为O.006% O.028%。
3.如权利要求I所述的发光薄膜，其特征在于所述Eu3+的摩尔百分含量为O.014% 0.020%。
4.一种发光薄膜制备方法，包括如下步骤 分别取氧化锌、氧化钡、氧化铕及五氧化二磷混合成混合物，所述混合物按质量百分数各组份占混合物的百分数分别为=ZnO为10% 15%、BaO为60% 65%、Eu2O3为1% 5%，余量为P2O5 ； 将所述混合物，烧结、形成溅射靶材； 将所述溅射靶材利用磁控溅射形成薄膜，得到发光薄膜前体； 将所述发光薄膜前体进行退火处理，得到所述发光薄膜。
5.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于所述磁控溅射的工序为 提供衬底； 将所述衬底与所述派射祀材的间距调整为50mm 90mm,在真空度为L0X10_3Pa 1.O X 10_5Pa、衬底温度为2 50°C 7 50°C、含氢气和惰性气体混合的工作气体流量为15sccm 30sccm、压强O. 2Pa 4. 5Pa条件下进行磁控派射。
6.如权利要求5所述的发光薄膜制备方法，其特征在于所述衬底与所述溅射靶材的间距为70mm ;所述真空度为5. OX 10_4Pa ;所述衬底温度为550°C;所述含氢气和惰性气体混合的工作气体流量为25SCCm ;所述压强为2. OPa0
7.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于所述烧结的温度为900 1300°C，时间为2 5小时。
8.如权利要求4或7所述的发光薄膜制备方法，其特征在于所述烧结的温度为1200℃。
9.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于所述退火处理是将发光薄膜前体在真空度为O. IPa O. OOlPa，温度为500°C 800°C条件下处理I 3小时。
10.如权利要求I 3任一项所述的发光薄膜在阴极射线管或/和电致发光器件中的应用。
全文摘要
本发明提供了一种发光薄膜以及其制备方法和应用。该发光薄膜的分子表达式为BaZnPO4:Eu3+。本发明发光薄膜以BaZnPO4为基质，Eu2O3所提供的Eu3+掺杂在BaZnPO4基质中，并作为激活元素和构成本发明发光薄膜的发光中心，有效的提高了该发光薄膜发光强度和发光效率。该发光薄膜制备方法工序简单，提高了生产效率，降低了生产成本，适于工业化生产。
文档编号H01J29/18GK102796520SQ201110133660
公开日2012年11月28日 申请日期2011年5月23日 优先权日2011年5月23日
发明者周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司