专利名称：一种新型场发射阴极的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种新型场发射阴极。
背景技术：
随着科技的发展和进步，场发射显示技术得到了极大关注，尤其是场发射阴极的结构和性能成为研究的热点，虽然目前市场上的场发射阴极种类繁多，但是目前的场发射阴极还存在着各种缺点和不足。因此，寻找一种制备工艺简单、成本低廉、性能良好的场发射阴极成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种新型场发射阴极，该场发射阴极包括基板、设置在基板上的氧化锌纳米线阵列。有益效果本发明制备的氧化锌纳米线阵列经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施例方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1该基板为普通玻璃，在玻璃基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。实施例2 该基板为二氧化硅基板，在二氧化硅基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场 发射阴极。实施例3该基板为硅基板，在硅基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
权利要求
1.一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
2.如权利要求1所述的阴极，其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
全文摘要
本发明提供一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
文档编号H01J29/04GK103065915SQ201210583060
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月27日 优先权日2012年12月27日
发明者李岗, 国欣鑫, 张晓辉 申请人:青岛艾德森能源科技有限公司