专利名称：一种低熔点金属焊接球及电子零件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种低熔点金属焊接球及电子零件，特别是指一种锡球及电子零件。
本实用新型的另一目的是提供一种锡球及电子零件，该锡球在回回焊时不会使电子零件与PC板之间的熔接时不会发生锡球虹吸空焊和锡崩的缺陷。
实现本实用新型目的的低熔点金属焊接球由低熔点颗粒、外覆较高熔点金属薄层、低熔点金属熔接层等构成，低熔点颗粒的外层设有比低熔点颗粒熔点较高的金属薄层，在较高熔点金属薄层的外层设有与低熔点颗粒熔点相同或相接近的金属熔接层。较高金属薄层和金属熔接层可以是采用电镀或者任意其他的被覆方式覆盖在低熔点颗粒层外层。采用本实用新型的低熔点金属焊接球，由于外面的低熔点金属熔接层与低熔点颗粒层的熔点相同或者接近，而较高熔点的金属层的熔点是高于低熔点颗粒层和低熔点金属熔接层，在回焊时，低熔点颗粒层与低熔点金属熔接层发生熔化变形，而较高熔点金属层是不会发生熔化，只会因为所受的压力而变形，不会使低熔点颗粒发生破坏而发生锡崩现象。同样，由于较高金属薄层的熔点高于低熔点颗粒熔接层，回焊时只要回焊的温度高于低熔点金属熔接层的熔点而低于较高熔点金属的熔点就可以使低熔点金属球既不会出现虹吸空焊，也不出现锡崩现象。
作为改进，在低熔点颗粒外层可以设有多层的薄层。
作为本实用新型的改进，所述的低熔点颗粒可以是低熔点的金属颗粒。
作为本实用新型的进一步改进，所述的低熔点金属颗粒为锡球。所述的低熔点金属熔接层为锡球层。
本实用新型的电子零件的焊接金属球采用低熔点金属焊接球由低熔点颗粒、外覆较高熔点金属薄层、低熔点金属熔接层等构成，低熔点颗粒的外层设有比低熔点颗粒熔点较高的金属薄层，在较高熔点金属薄层的外层设有与低熔点颗粒熔点相同或相接近的金属熔接层。较高金属薄层和金属熔接层可以是采用电镀或者任意其他的被覆方式覆盖在低熔点颗粒层外层。采用本实用新型的电子零件，由于回焊的温度便于确定，在进行电子零件与PC板进行回焊连接时，不易产生虹吸空焊和锡崩现象，便于生产，提高产品质量。
作为本实用新型的改进，所述的电子零件的焊接金属球的低熔点颗粒可以是低熔点的金属颗粒。
作为本实用新型的进一步改进，所述的电子零件的焊接金属球的低熔点金属颗粒为锡球。所述的低熔点金属熔接层为锡球层。
采用本实用新型的焊接金属球与电子零件，在回焊时便于控制生产时回焊炉的温度，确保了电子零件与PC板之间的熔接时不会发生低熔点金属焊接球虹吸空焊和锡崩缺陷，便于提供产品品质。
如图5和图6所示，本实用新型的电子零件4的焊接金属球采用低熔点金属焊接球由锡球1、较高熔点金属薄层2、低熔点锡球熔接层3等构成，由于回焊的温度便于确定，在进行电子零件4与PC板5进行回焊连接时，锡球颗粒只会发生变形，不易产生虹吸空焊和锡崩现象，便于生产，提高产品质量。
权利要求1.一种低熔点金属焊接球其特征在于由低熔点颗粒、外覆较高熔点金属薄层、低熔点金属熔接层等构成，低熔点颗粒的外层设有比低熔点颗粒熔点较高的金属薄层，在较高熔点金属薄层的外层设有与低熔点颗粒熔点相同或相接近的金属熔接层。
2.如权利要求1所述的一种低熔点金属焊接球，其特征在于在低熔点颗粒外层可以设有多层的金属薄层。
3.如权利要求1所述的一种低熔点金属焊接球，其特征在于所述的低熔点颗粒可以是低熔点的金属颗粒。
4.如权利要求3所述的一种低熔点金属焊接球，其特征在于所述的低熔点金属颗粒为锡球。
5.如权利要求3所述的一种低熔点金属焊接球，其特征在于所述的低熔点金属熔接层为锡球层。
6.一种电子零件，其特征在于所述的电子零件的焊接金属球是一种低熔点金属焊接球，由低熔点颗粒、外覆较高熔点金属薄层、低熔点金属熔接层等构成，低熔点颗粒的外层设有比低熔点颗粒熔点较高的金属薄层，在较高熔点金属薄层的外层设有与低熔点颗粒熔点相同或相接近的金属熔接层。
7.如权利要求6所述的电子零件，其特征在于所述焊接金属球的低熔点颗粒可以是低熔点的金属颗粒。
8.如权利要求7所述的电子零件，其特征在于所述电子零件的焊接金属球的低熔点金属颗粒为锡球。
9.如权利要求7所述的电子零件，其特征在于所述所述的低熔点金属熔接层为锡球层。
专利摘要一种锡球及电子零件，连接锡球由锡球颗粒、外覆较高熔点金属薄层、锡球熔接层等构成，锡球的外层设有比锡球熔点较高的金属薄层，在较高熔点金属薄层的外层设有与锡球熔点相同的锡球熔接层。较高金属薄层和锡球熔接层可以是采用电镀或者任意其他的被覆方式覆盖在锡球层外层。在进行电子零件与PC板进行回焊连接时，锡球颗粒只会发生变形，不易产生虹吸空焊和锡崩现象，便于生产，提高产品质量。
文档编号B23K35/22GK2547456SQ0127155
公开日2003年4月30日 申请日期2001年12月31日 优先权日2001年12月31日
发明者朱德祥 申请人:番禺得意精密电子工业有限公司