专利名称：可与无铅的锡基焊料兼容使用的金-锡-铟焊料的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种用在密封半导体与特种装置的新无铅焊料。该密封焊料的熔解 温度在290°C与340°C之间，以300°C与340°C之间较佳。其优点是此密封装置可随后用 高熔点焊料焊接而不会影响密封的完整性。先前技术近年来，半导体的密封采用金-锡(Au-Sn)焊料，其黄金浓度在78%至81 %范围， 锡浓度在19%至22%范围。此种焊料用于半导体装置已有40年以上了，其熔解温度为 280°C。见Koopman的美国专利4492842号，半导体装置与众多其它电子装置使用熔解温度 在183°C至195°C的锡-铅焊料做后密封焊料，随后焊接到印刷电路板上。此后密封焊料的 处理温度通常比熔解温度高35°C至50°C以上(即218°C至245°C )。使焊料流到半导体装 置的导线及印刷电路板的铜电路上需要超热。由于金-锡密封焊料在^(TC之前不会再熔 解，因此在高达245°C温度处理半导体装置也不会造成问题。现有替换熔点在217°C的锡-铅焊料的无铅焊料，需要的处理温度近于270°C。此 处理温度接近用来密封装置的金-锡焊料的熔解温度280°C，有其危险。一种选择是舍弃锡 基焊料而采用含铅约85%的铅基焊料。此铅焊料熔点约300°C。但是电子工业通常避免使 用铅基焊料。随着铅持续被消费电子移除，针对半导体芯片粘接及此等半导体装置的密封发展 更高温度熔接的需求成长。有以无铅高温焊料取代传统金-锡及铅基焊料的需求存在。本 发明的无铅合金可符合此需求，其熔解温度及密封能力使其特别适用做半导体芯片粘接的 焊料及半导体装置的密封焊料。
发明内容
本发明包含的金焊料，与半导体芯片粘接及半导体装置封装的密封兼容，熔解温 度高于290°C，并以高于300°C较佳。在本发明的一个实施例内，该焊料为金-锡基焊料，掺 杂铟以提升金-锡焊料的熔解温度。在本发明的另一形态中，经铟修整过的金-锡基焊料以足够高的熔解温度兼容于 已知的半导体芯片粘接法及密封此等装置，可防止此焊料在随后超过270°C温度的无铅焊 接作业中再熔(reflow)。本发明还指向采用熔解温度在四01与340°C之间，较好的是在 300°C与340°C之间，更好的是在300°C与320°C之间的金基焊料来制造半导体装置及含有 这些焊料的半导体装置。
具体实施例方式在本说明书中描述的无铅焊料主要包含金、锡及铟的合金，其中该合金的该熔点 大于290°C，较好的是大于300°C，更好的是在300°C与340°C之间，更优选的是在300°C与 320°C之间。该合金的较佳纯度至少为99.95%。前述合金包含17. 5%至20. 5%锡，2.0%至6.0%铟，平衡质量(balance of the mass)为金及微量杂质。在一实施例内，焊接材料的 锡浓度约19. 3%，铟浓度约4. 5%，也可考虑其它适合的浓度。例如，在另一实施例内，锡浓 度的范围从18. 3%到20. 3%，铟在3. 5%到5. 5%范围内。这种焊接材料适用在各种领域， 且特别用于半导体领域。 半导体装置常采用熔点约为280°C的金-锡焊料密封。将金-锡焊料施加于尚未 密封的封装，形成的组件被加热到足以造成焊料再熔的温度，封装冷却时就被此焊料密封。 此密封步骤使用的焊料的熔点应低到不至损坏半导体装置本身。可用后密封作业将其它组 件附装于该已密封装置，此作业通常包含随后的焊接步骤。必须注意确保后密封焊料的熔 点与密封焊料兼容，故可用的熔点范围很严苛。密封焊料的熔点须(1)足够低到以不损坏 装置的条件下密封该装置，及( 足够高到容许后密封加热又不至破坏密封完整性。
此处所述的焊接材料的优点是满足这些参数。该金-锡-铟焊接材料容许温度大 于270°C的后密封作业，该焊接材料不会再熔及导致破坏密封完整性。该焊接材料的另一优 点是其熔点足够低(低于340°C，较好的是低于320°C )，故而可密封半导体装置又不损坏此
直ο在本发明的一个程序中，将金-铟焊料施加于半导体封装的表面，将形成的组件 加热至足使该焊料再熔的温度，如此则密封该封装。然后，对该密封装置进行包含加热(如 后密封焊接等)的后密封作业。由于密封焊料的熔点大于^KTC及较佳的大于300°C，高温 度(例如270°C)的后密封加热不会造成密封焊料再熔，故不会破坏该密封的完整性。虽然已参考较佳实施说明本发明，但本领域的技术人员应知道可以做各种的变 化，且可用相等的组件取代其组件以适应特定状况而不脱离本发明的范围。因此，发表的特 定实施例被视为实施本发明的最佳模式，本发明不限制于该特定实施例，但是本发明将包 含在申请专利范围内及其精神的全部实施例。
权利要求
1.一种主要包含一种金、锡及铟合金的无铅焊接材料，其中锡呈现浓度为17. 5%至 20. 5%，铟呈现浓度为2. 0%至6. 0%，平衡质量为金，该合金的熔点大于300°C。
2.如权利要求1所述的焊接材料，其中该合金的熔点范围是300°C至340°C。
3.如权利要求1所述的焊接材料，其中该合金的熔点范围是300°C至320°C。
4.如权利要求1所述的焊接材料，其中该合金的熔点范围是305°C至315°C。
5.如权利要求3所述的焊接材料，其中锡呈现浓度为18.3%至20. 3%，铟呈现浓度为3.5%至 5. 5%。
6.如权利要求3所述的焊接材料，其中锡呈现浓度约为19.3%，铟呈现浓度约为4.5%。
7.一种使用无铅焊接材料密封半导体封装的方法，包含下列步骤将焊接材料施加于半导体封装的表面，其中该焊接材料主要包含一种金、锡及铟合金， 其中锡呈现浓度为17. 5%至20. 5 %，铟呈现浓度为2. 0%至6. 0%，平衡质量为金，该合金 的熔点范围为300°C至320°C，将焊接材料加热至足以使焊接材料再熔以密封半导体封装。
8.如权利要求7所述的方法，还包含于后密封作业中，将已密封的半导体封装加热至 大于270°C温度而不使焊接材料再熔。
9.以无铅焊接材将半导体装置装设于一表面的方法，包含下列步骤将焊接材料施加于半导体装置，其中该焊接材料主要包含一种金、锡及铟合金；其中锡 呈现浓度为17. 5%至20. 5%，铟呈现浓度为2. 0%至6. 0%，平衡质量为金；该合金的熔点 范围为300°C至320°C ；将该半导体装置置于一表面而使该焊接材料同时接触半导体装置及该表面； 将该焊接材料加热到使该焊接材料再熔的温度； 冷却该焊接材料而将该半导体装置装设于该表面。
10.如权利要求9所述的方法，还包含于后装设作业中，将该半导体装置的一部分加热 至大于270°C的温度而不使焊接材料再熔的步骤。
11.一种包含用焊接材料密封的半导体装置的密封半导体组件，其中该焊接材料主要 包含一种金、锡及铟合金，其中锡浓度为17. 5%至20. 5%，铟浓度为2. 0%至6. 0%，平衡质 量为金；该合金的熔点范围为300°C至320°C。
12.一种无铅焊接材料，主要包含一种金、锡及铟合金，其中锡浓度为17.5%至 20. 5%，铟浓度为2. 0%至6. 0%，平衡质量为金，该合金的熔点范围为290°C至320°C。
13.如权利要求12所述的焊接材料，其中锡呈现浓度为18.3%至20. 3%，铟呈现浓度 为 3. 5%至 5. 5%。
14.如权利要求12所述的焊接材料，其中锡呈现浓度约为19.3%，铟呈现浓度约为 4. 5%。
全文摘要
本说明书公开了一种以金、锡及铟制成的无铅焊接合金。锡的呈现浓度为17.5％至20.5％，铟呈现浓度为2.0％至6.0％，平衡质量为金。该合金的熔点范围为290℃至340℃，优选的是在300℃至340℃之间。因该焊接合金的熔点足够高，以容许后密封加热；且足够低以容许密封半导体而不造成损害，特别适用于密封半导体装置。
文档编号B23K35/30GK102066045SQ200980123550
公开日2011年5月18日 申请日期2009年6月18日 优先权日2008年6月23日
发明者海娜·利奇腾博格 申请人:威廉姆斯高级材料有限公司