表面处理装置的制作方法

专利名称：表面处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及表面处理装置，特别涉及形成均匀的气流分布、并且面内温度均匀性优越且具有能抑制处理过程中温度变化的气体放出构件的表面处理装置。
参照

图11说明目前的气体放出构件。
图11是在特开平7-335635号公报中公开的干蚀刻装置的构造模式剖面图。
如图所示，在处理室100内部配置了与基板105相向成为对向电极的气体放出构件101。该对向电极101由具有多个气体吹出孔104a的气体板104、固定该气体板104的加强板103以及内置冷却水路106的冷却套筒102构成，并通过绝缘体108被固定在处理室100内。在冷却套筒102和加强板103内为与气体吹出孔104a连通而形成气体通路102a和103a。气体板104通过钎焊等方式被固定在厚度为10mm左右的加强板103上，加强板再由螺栓109固定在冷却套筒102上。为了容易作到吹出孔104a和气体通路103a的位置对正，在加强板和气体板的相对面上，形成相互正交的多个气体分散槽103b和104b。通过气体导入管110被导入的气体，在气体流路107内分散，通过气体通路102a、103a、以及气体分散路103b、104b，从气体吹出孔104a向处理室100内放出。
在冷却套筒102内，形成冷却水路106，冷却水从冷却水供给管106a供给，经排除管106b排出。处于等离子中的气体板通过冷却套筒和加强板、加强板和气体板之间的热传导被间接冷却。这样，实现了能够抑制气体板温度上升的蚀刻处理的均匀性。
然而，本发明人在研究开发超微细图案的高速蚀刻处理方法的同时，对气体放出构件的结构和蚀刻图案精度之间的关系进行了各种研究，为了形成更加微细的图案，气流分布的更高程度的均匀化和气体板的更高精度的温度控制是不可缺少的，在图11所示的气体放出结构中，难以同时能够满足两者已是明显的事实。
即，由于在图11中是通过加强板间接冷却气体板的结构，因冷却条件而导致气体板的冷却能力不足时，随着图案的微细化，腐蚀均匀性显然会下降。有鉴于此，为了提高冷却能力，进行了扩大冷却水路的研究，虽然能得到所期望的冷却能力，但是为此不得不降低气体吹出孔的密度，从而就会降低气流分布的均匀性，显然不能得到完美的蚀刻均匀性。
而且，在连续反复进行处理的情况下，如果蚀刻特性从处理开始有一段期间不稳定，那么就存在不能得到所期望的特性的期间，就会出现该期间内的处理作废的问题。这一问题随着图案的微细化会更加严重，对于0.13μm的图案，从处理开始大约有15～20块的处理就会作废。
另外，图11的气体放出构件是将气体板通过钎焊等方式贴合在加强板上形成的，粘贴时气体板表面容易受到污染，除了是造成蚀刻特性下降的原因外，还容易变成堵塞气体吹出孔的粘贴，存在有要求作业熟练而且工艺复杂的问题。而且，为了回避这一问题，用螺栓把气体板固定的方法也公开过，但是不能得到完美的冷却效果，而且通过均等的压力进行固定也不容易，所以就会有温度分布变大的问题。此外，还有气体板因处理中的热而容易破损的问题。
此外，为了去除与抗蚀剂反应的活性种，优选使用清洁型材质制作气体板，但是Si和SiO2等材料如形成槽等复杂的形状时，就会出现由于处理中的热过程而容易坏损的问题。
以上的气体流分布和气体板温度分布的问题，不仅在蚀刻装置，还在其他表面处理装置中发生。比如，若热CVD装置的气体放出构件内存在温度分布时，热量高的部分分解进展过快，在气体板的其他部分膜堆积起来，这就是剥离后产生粒子的原因。而且，因为这样的情况，与气体板的温度分布相对应，就会有基板上的薄膜堆积速度发生变化的问题。
即，本发明的目的在于提供一种表面处理装置，该装置能够形成均匀的气流分布，同时，实现了在气体板的温度及其分布的控制性方面出色的气体放出构件，能够连续进行均匀的处理。
本发明提供的第1表面处理装置，由在内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对向配置的处理室、排除该处理室内部气体的排气器件、以及用于向上述气体放出构件供给气体的气体供给器件构成，由经上述气体放出构件向处理室内部导入的气体对上述基板进行处理，其特征在于上述气体放出构件从上流侧开始，按照以下顺序配置构成与上述气体供给器件连通的气体分散构件；具有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或者加热器的气体板的冷却或加热构件；以及具有与上述多个气体通路相连通的多个气体吹出孔的气体板，通过静电吸附构件或者固定气体板周边部位的固定部件，将上述气体板固定在上述气体板的冷却或加热构件上。
这样，通过从气体上流侧开始按照顺序配置的气体分散构件、冷却或加热构件以及气体板，则在气体放出构件能够形成均匀气流分布的同时，气体板与加热或冷却构件直接接触而且通过静电构件和固定构件均匀压合，因此气体板的冷却和加热效率及其均匀性同时被大幅度地改善，可确保气体板整个表面均匀保持在给定的温度。
本发明提供的第2表面处理装置，由在内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对向配置的处理室、排除该处理室内部气体的排气器件、以及用于向上述气体放出构件供给气体的气体供给器件构成，由经上述气体放出构件向处理室内部导入的气体对上述基板进行处理，其特征在于上述气体放出构件从上流侧开始，按照以下顺序配置构成与上述气体供给器件连通的第1气体分散构件；具有多个气体通路且设有冷却介质流路通道或者加热器的气体板的冷却或加热构件；第2气体分散构件；以及具有比上述气体通路的数目更多的气体吹出孔的气体板，通过上述第2气体分散构件使上述气体通路和上述气体吹出孔连通，通过静电吸附构件或者固定气体板周边部位的固定部件，将上述气体板固定在上述气体板的冷却或加热构件上。
通过将第2气体分散构件设置在气体板和冷却或加热构件之间，使冷却或加热构件的气体通路分支，可以在冷却介质流路通道的紧下方设置气体吹出孔。即，即使在设置冷却能力大的冷却介质流动通道的情况下，也能够配置为了均匀的气流分布而不可缺少的高密度的气体吹出孔。其结果，与上述本发明的第1表面处理装置相同，维持均匀的气流分布的同时，可以抑制气体板温度上升和提高温度均匀性，并能够稳定反复地进行均匀处理。
在本发明中，上述第2气体分散构件的结构优选为厚度在0.1mm以下的空间，并且该空间的压力在100MPa以上。由此，在冷却或加热构件和气体板之间，气体的热传导率变大，冷却效率提高。另外，优选将上述气体吹出孔的直径制成0.01～1mm，更优选在0.2mm以下。由此能够控制气流分布更均匀，能够使气体在基板整个面上均匀流动。
而且，本发明的表面处理装置能够很好地适用于通过向气体放出构件供给高频电压而产生等离子体并进行处理的等离子体处理装置。
通过将上述气体板和上述冷却或加热构件或者第2气体分散构件的接触面设置成相互嵌合的凹凸部，可进一步提高气体板的冷却效率、加热效率以及气体板的温度的均匀性。
借助具有柔软性的传热薄板，上述气体板可以固定在上述冷却或加热构件或者上述第2气体分散构件上，通过传热薄板插入接触面微少的凹凸内，提高热传导性能。
作为上述气体板的材质，特别是蚀刻装置的场合，适合使用Si、SiO2、SiC或碳等非金属材料。
图2是表示本发明的气体板固定构件的一示例的模式3是表示气体放出构件的其他结构示例的模式剖面图。
图4是表示气体放出构件的其他结构示例的模式剖面图。
图5是表示气体放出构件的其他结构示例的模式剖面图。
图6是表示本发明的第2实施方式的模式剖面图。
图7是表示气体放出构件的其他结构示例的模式剖面图。
图8是表示气体放出构件的其他结构示例的模式剖面图。
图9是表示本发明的第3实施方式的模式剖面图。
图10是表示本发明的第4实施方式的模式剖面图。
图11是表示现有的蚀刻装置的气体放出构件的模式剖面图。
符号说明1处理室，1′处理室壁，2气体放出构件(对向电极)，3框体，4气体分散板，5冷却套筒，5a气体通路，5b冷却介质流动通道，6气体板，6a气体吹出孔，7基板载置电极(基板载置构件)，8冷却介质流动通道，9静电吸盘，10气体导入管，11第2分散构件，12a、12b绝缘体，13阀门，14、15高频电源，17直流电源，19凸头螺栓，21波纹管，22气体供给系统，24环状固定部件，25螺栓，26传热薄板，27静电吸盘，27a双极电极，29凹凸，31气体分支用槽(通路)，32加热构件，32b、33加热器，40基板，41、43O型圈，42通路，44连接部件，45压力计，46绝缘体。
作为本发明的第1实施方式，以下针对适用于1个表面处理装置即蚀刻装置的情况来说明本发明。
图1是表示本发明的蚀刻装置的一个构成示例的模式纵向剖面图，是从气体放出构件向基板吹处理气体、同时向气体放出构件供给高频电压而产生等离子、由此进行基板蚀刻处理的装置。即，在本实施方式中，气体放出构件起到相对基板载置电极配置的对向电极的作用。
如图1所示，在处理室1内，对向电极(气体放出构件)2和载置基板40的基板载置电极(基板载置构件)7相对向配置，分别通过的绝缘体12a、12b固定在处理室1内。处理室内部通过阀门13与排气器件(未图示)相连接。对向电极2与用于产生等离子体的第1高频电源14连接，并且通过气体导入管10与由气瓶、气体流量控制器和关闭阀门等构成的气体供给系统22连接。
对向电极2由气体分散构件、具有多个气体通路5a的冷却套筒(冷却构件)5以及具有与气体通路5a连通的气体吹出孔6a的气体板6构成，并配置固定在圆筒状的框体3内。在冷却套筒5的内部设有冷却介质流动通道5b，冷却介质从导入管5c开始，通过例如设置于框体3内的配管供给到冷却介质流动通道5b，再经排出管5d排出。而且，气体分散构件适合使用于内部配置了一个或者多个具有多个小孔4a的气体分散板4的结构中。
图2是表示气体板6的一种固定方法的放大图，通过由环状的固定部件24和螺丝25构成的固定构件，气体板6与冷却套筒5直接接触并被固定。由于使用这样的固定构件，沿全周固定气体板6，所以与使用螺丝固定气体板的一部分的固定情况不同，气体板6能够在更强的压力下均匀压合在冷却套筒5上面。其结果，不仅热传导率上升、冷却效果提高，而且也能避免因压合造成的气体板6的破损。另外，如使用钎焊、粘接剂等进行粘贴的那种情况，也可以解决因不纯物的污染和气体吹出孔的堵塞而导致蚀刻处理特性降低的问题。
经过气体导入管10供给对向电极内部的处理气体，经过气体分散板4的小孔4a，在气体分散构件的整体空间内均匀扩散开后，再通过冷却套筒5的气体通路5a，从气体板6的气体吹出孔6a向处理室1的内部均匀流出。
如上所述，从气体的上流侧开始按顺序配置气体分散板4、冷却套筒5、气体板6，形成使冷却套筒5和气体板6直接接触，而且在均匀压力的作用下压合固定的结构，因此，可以使处理气体均匀流向基板40，并且气体板6也可高效均匀地进行冷却。
即，由于处理气体从气体板的多个气体吹出孔均匀流向基板，所以蚀刻基板表面的活性种的浓度差均匀化，基板面内的蚀刻速度和接触孔形状能够均匀化。并且，即使在向对向电极2和基板载置电极7输入高频电压的处理条件下，也能够有效抑制气体板的温度上升，能够防止出现低熔点物质堆积于基板侧从而蚀刻效率降低、接触孔的蚀刻不良等问题。
另一方面，在基板载置电极7的上部安装静电吸附基板的静电吸盘9，在内部形成冷却介质流动通道8。冷却介质通过导入管8a供给，经排出管8b排出。利用该冷却介质通过静电吸盘将基板冷却到给定温度。该基板载置电极7与基板偏置控制用的第2高频电源15和基板静电吸附用的直流电源17相连接。此外，在第2高频电源15以及直流电源17和基板载置电极7之间，安装有隔直流电容器16和高频截止滤波器18，以防止相互间的干涉。
而且，在基板载置电极7上，形成用于在基板搬出入时能上下移动基板40的插入凸头螺栓19的贯通孔20，贯通孔通过波纹管21和底板21a与大气隔断。凸头螺栓19被固定在该底板21a上。
利用图1中的蚀刻装置进行的蚀刻处理，例如如下面那样进行。通过驱动构件向上押波纹管21的底板21a，使凸头螺栓19上升。在此状态下，通过阀门(未图示)插入保持基板的机械手，将基板放置在凸头螺栓19上。接着，降下凸头螺栓，基板40就放置于静电吸盘9上，由直流电源17施加给定电压，静电吸附住基板。
然后，由气体供给系统22通过气体导入管10和对向电极2，向处理室1供给处理气体，并设定为给定的压力。随后，分别向对向电极2施加来自于第1高频电源14的VHF波段(比如60MHz)的高频电压，向基板载置电极7施加来自于第2高频电源15的HF波段(比如1.6MHz)的高频电压。在VHF波段的高频电压作用下，产生高密度的等离子体，生成赋予刻蚀的活性种。另一方面，在HF波段的高频电压作用下，能够与等离子体密度区分开来控制离子能量。即，通过适当选择两个高频电压，能够获得满足一定目的的蚀刻特性。
如果反复进行这样的蚀刻处理，如上所述，气体板的温度在达到平衡的过程中，缓慢地上升，图案形状也要变化。但是，本实施方式的气体放出构件因冷却效率被改善，所以能够减少气体板温度达到平衡时的处理次数。比如，对于0.13μm图案的场合，从开始进行蚀刻处理到能够得到稳定的蚀刻特性为止的处理次数在10次左右。另外，气体板的温度分布变得更加均匀，并提高基板面内的蚀刻速率和接触孔形状等的均匀性。
即，通过图1所示的装置结构，可以同时满足均匀的气流分布和气体板的有效冷却这两个方面，还能够稳定而且生产性能良好地进行更微细图案的蚀刻处理。
而且，在本发明中，优选气体板的气体吹出孔6a的直径在0.01～1mm之间，更优选在0.2mm以下。在此范围内，来自气体吹出孔的气流分布的控制变得容易，能够形成均匀的气流分布。另外，气体板的厚度通常为1.0～15.0mm。
此外，可以使冷却套筒的气体通路5a和气体板的气体吹出孔6a的孔位置相互适当地错开，减小流导(conductance)，由此流量受到限制，并且等离子体难以进入电极内部。这适合用于在气体板上形成小孔困难的场合。因此，气体通路的直径通常优选使用1.0～3.0mm。
此外，气体分散板4的小孔4a的直径用0.1～3.0mm。小孔的直径及数目优选为在气体分散板面内减小压力梯度、且与此压力梯度相称的直径和数目，由此，能够实现更均匀的气体吹出。
其次，图3～图5表示本实施方式的其他实施例。
虽然在图1中形成了使气体板6和冷却套筒5直接接触的结构，但也可以如图3所示那样，在两者之间夹入热传导性较高、且有柔软性的传热薄板26。通过插入这样的传热薄板，传热薄板进入微小的凹凸内，增大实质接触面积，从而提高热传导率。作为传热薄板，可以使用厚度在10～500μm的铟等金属薄板、硅树脂或导电性橡胶等高分子薄板。
在图4中，为了取代图1的气体板固定构件，设置有静电吸附构件。方法就是，在冷却套筒5内安装在绝缘介质内部配置有双极电极27a的静电吸盘27，由电源28向双极电极27施加给定的电压、从而通过静电吸附固定气体板。通过使用静电吸盘，气体板整体能够由更均匀的力压住，因此冷却效率和均匀性进一步提高。并且，气体板的更换也变容易。当然，静电吸盘不局限于使用双极电极的器件。
图5所示的气体放出构件，是一种在气体板6和冷却套筒5的相对面内形成互相嵌合的凹凸部29、增加两者之间的接触面积、改善热传导的结构。就这样的结构来说，即使气体板因部分地受到加热的热量而弯曲，凹凸嵌合的部分也会抑制弯曲。同时，弯曲应力在增加嵌合部分的接触面积和压力的方向上发挥作用，增加了热传导率，因此，现有的问题难点、即由于气体板弯曲而在其部分位置间产生空隙，结果温度进一步上升从而温度梯度增加的问题能够得以防止。
以上实施方式的气体分散构件，虽然是冷却套筒的上部空间内配置1个或者多个气体分散板的结构，但在本发明中，气体分散板并不一定必须要有。即，在气体导入管和冷却套筒之间仅设有空间也可以。
图6表示本发明的第2实施方式。
本实施方式的气体放出构件，从气体的上流侧开始，形成按如下顺序配置的结构由1个或多个气体分散板4构成的第1气体分散结构、冷却套筒5、第2气体分散构件11以及气体板6，配置第2分散构件的这点与上述第1实施方式不同。通过在冷却套筒5和气体板6之间设置第2气体分散构件，既可以实现冷却介质流动通道的大型化即增大冷却能力，又可以形成为了气流分布的均匀化而在冷却介质流动通道5b的正下方配置气体吹出孔的结构。
该第2分散构件11，例如可以通过如下方法制作与冷却套筒5的气体通路5a相对应而形成多个小孔11a的第1圆板，形成与气体板6的气体吹出孔6a相对应的小孔11c和用于将通过气体通路5a供给的气体送入小孔11c的分支用凹位11b的第2圆板，通过银钎焊或铟等的焊接(bonding)将第1圆板和第2圆板贴合在一起。该第2分散构件，例如，利用多个螺栓在均匀压力的作用下被整体安装在冷却套筒上。
通过这样的构造，能够在冷却套筒内形成大的冷却介质流动通道5b，而且能够高密度地形成气体吹出孔(优选1cm2为1个以上)，因此能够一边维持气流分布的均匀性一边获得高的冷却效率。
此外，作为第2分散构件，只使用上述第2圆板的结构也可以。并且，固定方法即使采用没有螺栓的钎焊、焊接也可以。
第2实施方式，成为在冷却套筒之外另设置第2气体分散构件的结构，但也可以在冷却套筒自身内形成气体分散构件。这样的结构如图7、8所示。
图7(a)和图7(b)分别是气体放出结构的模式剖面图和A-A向剖视图。
在图7的构成示例中，为了连通冷却介质流动通道5b的正下方形成的气体吹出孔6a1和气体通路5a，在冷却套筒内形成分支用槽31，从而形成在冷却介质流动通道5b紧下方能够配置气体吹出孔的结构。
通过借助分支用槽31将气体通路5a与多个气体吹出孔6a1连接的结构，即，通过以自某一气体通路5a开始将气体导入至气体板上的多个气体吹出孔6a、6a1内的方式在气体板和冷却套筒的接触面上设置分支用槽31，可以在冷却介质流动通道正下方设置气体吹出孔6a1。这样，气流分布的均匀化和冷却效果两者同时得到改善。
在此，在气体通路5a下方的吹出孔6a以及与分支用槽31连接的吹出孔(即冷却介质流动通道正下方的气体吹出孔)6a1，有时产生流导差和气体吹出量差。此时，通过气体通路5a紧下方的孔径变小甚至关闭，能够确保整体的气流均匀。
从形成均匀气流分布和冷却效率的观点来看，气体分支用槽31的宽度优选在0.1～2mm左右。
图8的结构示例是，在冷却套筒内部形成气体通路的分支通道31，将此通路与气体吹出孔6a1连接。通过这样的结构，冷却效率比图7进一步提高。
具有如此结构的冷却套筒，比如，可以通过以下方法制作使用银钎焊等钎焊或铟等具有柔软性的低熔点金属或锡等，将形成冷却介质流动通道5b和气体通路5a的部分、形成气体吹出孔6a、6a1以及气体分支通路31的部分焊接成为一体。并且，虽然热传导变小，但可以夹持含有具备热传导性的高分子橡胶或纤维状金属的橡胶等，由它们来连接。
利用图9说明本发明的第3实施方式。
在本实施方式中，将冷却套筒5的气体板侧切削成圆板状，将此空间作为第2气体分散构件，成为除了通过气体板和冷却套筒之间的热传导进行气体板的冷却之外、利用借助于处理所使用的气体的热传导的结构。
为此，优选第2分散构件(圆板状空间)11的厚度为0.1mm以下，内部压力达到100Pa以上。通过这样的结构，可以大幅度增加借助处理所用的气体的冷却套筒5和气体板6之间的热传导，进一步提高气体板的冷却效率。而且，如果在机械强度方面没有问题，压力的上限也没有特别的限制，通常使用10kPa左右以下的压力，优选为2kPa以下。
这样，由于第2分散构件11内部的压力与处理室1内部相比变高，为了抑制冷却套筒5和气体板6之间的气体泄漏，优选配置O型圈41等密封件。并且，为了测量第2分散构件11内部的压力，比如，上述空间11通过贯通水冷套筒5、框体3、绝缘体46、处理室壁1和连接部件44的通路42与压力计45连接，在各个部件间配置O型圈43。但是，也可以根据实验或者计算预先调查好供给压力和第2分散构件内部压力之间的相互关系，通过测定供给压力求出第2分散构件内部的压力。
此外，第2分散构件，如上所述，虽然能够经切削冷却套筒面来形成，但是也可以在外周部配置环状圆板形成空间。并且，该空间并不局限于圆板状，部分地与气体板和冷却套筒接触的形状也可以。
在以上实施方式中，作为气体板6的材质，优选使用Si、SiO2、碳等非金属。虽然这些是加工困难且容易破碎的材料，但通过上述实施方式中所示的结构，不需要在气体板6自身上形成气体分散槽等，这样就能够避免因为安装时或者处理中的热过程而引起的气体板的破损。但是，如果在加工可能的范围内，当然也可以在气体板自身上设置。
比如，在硅氧化膜的蚀刻中，气体板优选使用硅等清洁型材质，这样可以抑制由于耗费处理过程中产生的氟基而导致抗蚀剂的变细等，进行更加微细图案的蚀刻处理。
而且，对冷却介质没有特别的限制，比如，能够使用水、フロリナ-ト(商品名)等。
而且，在蚀刻处理中，同时使用依靠冷却介质的冷却和依靠He气等传热气体的冷却的结构适合用于基板的冷却。
以上所述的本发明的气体放出构件，不只适用于蚀刻装置，还能够适用于等离子体CVD装置、压花滚筒(アツシング)装置、热CVD装置等使用气体的各种表面处理装置，作为该示例，图10表示适用于热CVD装置的结构示例，作为本发明的第4实施方式。
图10是热CVD装置的模式剖面图，无论是在气体放出构件还是在基板载置构件都设置有加热构件。在此，省略与第1实施方式相同构件的说明。
气体放出构件2由气体分散构件4、内部组装了加热器32b的加热构件32和气体板6构成，气体板被图2所示的固定构件(未图示)固定。另外，在基板载置构件7，上部安装静电吸盘9，内部安装电阻等加热器33。通过由电源34向加热器33通电，将基板40加热到给定温度。
导入与第1实施方式同样的处理气体，同时由加热器用电源35给加热构件32的加热器32b通电，有效均匀地加热气体板6，已适度加热分解的处理气体从气体孔6a均匀流出，能够在基板上涂上均匀良好的膜。
此外，虽然在图1～9中说明的气体板、气体通路、第1和第2气体分散构件的形状、材质等也能适用于热CVD装置，但此时选择针对加热温度具有充分耐热性的材质。
以上说明了平行平板型的表面处理装置，但是也可以将气体放出构件变为圆顶型、圆柱型、矩形、圆筒型、多角柱型、多角锥型、圆锥型、圆锥台型、多角锥台型或圆形等各种形状。
根据以上叙述，通过利用本发明的气体放出构件，可以使来自气体板的气体吹出孔的气体吹出量均匀化，且能有效均匀地加热或者冷却气体板。因此，能够防止因气体板的热而引起的弯曲或者破碎，同时，在蚀刻处理时，在基板整个面内能够作到蚀刻速度、抗蚀剂选择比、空洞内选择比、接触孔形状均匀。并且，即使在热CVD、等离子体CVD以及压花滚筒处理时，可以实现均匀的处理速度。
权利要求
1.一种表面处理装置，由在内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对向配置的处理室、排除该处理室内部气体的排气器件、以及用于向所述气体放出构件供给气体的气体供给器件构成，由经所述气体放出构件向处理室内部导入的气体对所述基板进行处理，其特征在于所述气体放出构件从上流侧开始，按照以下顺序配置构成与所述气体供给器件连通的气体分散构件；具有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或者加热器的气体板的冷却或加热构件；以及具有与所述多个气体通路相连通的多个气体吹出孔的气体板，通过静电吸附构件或者固定气体板周边部位的固定部件，将所述气体板固定在所述气体板的冷却或加热构件上。
2.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于所述气体放出构件与高频电源连接，通过向该气体放出构件供给高频电压，产生等离子体，然后进行处理。
3.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于所述气体吹出孔的直径为0.01～1mm。
4.根据权利要求2所述的表面处理装置，其特征在于所述气体吹出孔的直径为0.01～1mm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理装置，其特征在于在所述气体板和所述冷却或加热构件的接触面设置相互嵌合的凹凸部。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理装置，其特征在于借助于具有柔软性的传热薄板将所述气体板固定在所述冷却或加热构件上。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理装置，其特征在于所述气体板由Si、SiO2、SiC或碳构成。
8.一种表面处理装置，由在内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对向配置的处理室、排除该处理室内部气体的排气器件、以及用于向所述气体放出构件供给气体的气体供给器件构成，由经所述气体放出构件向处理室内部导入的气体对所述基板进行处理，其特征在于所述气体放出构件从上流侧开始，按照以下顺序配置构成与所述气体供给器件连通的第1气体分散构件；具有多个气体通路且设有冷却介质流路通道或者加热器的气体板的冷却或加热构件；第2气体分散构件；以及具有比所述气体通路的数目更多的气体吹出孔的气体板，通过所述第2气体分散构件使所述气体通路和所述气体吹出孔连通，通过静电吸附构件或者固定气体板周边部位的固定部件，将所述气体板固定在所述气体板的冷却或加热构件上。
9.根据权利要求8所述的表面处理装置，其特征在于在所述气体板的所述冷却介质流动通道或者加热器的正下方部分，形成所述气体吹出孔。
10.根据权利要求8所述的表面处理装置，其特征在于所述第2气体分散构件的结构是厚度为0.1mm以下的空间，该空间的压力为100Pa以上。
11.根据权利要求9所述的表面处理装置，其特征在于所述第2气体分散构件的结构是厚度为0.1mm以下的空间，该空间的压力为100Pa以上。
12.根据权利要求8～9中任一项所述的表面处理装置，其特征在于所述气体放出构件与高频电源相连接，通过向该气体放出构件供给高频电压，产生等离子体，然后进行处理。
13.根据权利要求8～11中任一项所述的表面处理装置，其特征在于所述气体吹出孔的直径为0.01～1mm。
14.根据权利要求12所述的表面处理装置，其特征在于所述气体吹出孔的直径为0.01～1mm。
15.根据权利要求8～11中任一项所述的表面处理装置，其特征在于在所述气体板和所述第2气体分散构件的接触面设置互相嵌合的凹凸部。
16.根据权利要求12所述的表面处理装置，其特征在于在所述气体板和所述第2气体分散构件的接触面设置互相嵌合的凹凸部。
17.根据权利要求8～11中任一项所述的表面处理装置，其特征在于借助于具有柔软性的传热薄板将所述气体板固定在所述第2气体分散构件上。
18.根据权利要求12所述的表面处理装置，其特征在于借助于具有柔软性的传热薄板将所述气体板固定在所述第2气体分散构件上。
19.根据权利要求8～11中任一项所述的表面处理装置，其特征在于所述气体板由Si、SiO2、SiC或碳构成。
20.根据权利要求12所述的表面处理装置，其特征在于所述气体板由Si、SiO2、SiC或碳构成。
全文摘要
本发明提供一种表面处理装置，由内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对配置的处理室、处理室的排气器件和气体供给器件构成，其特征是气体放出构件，从上流侧开始按如下顺序配置气体分散构件、有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或加热器的气体板的冷却或加热构件，以及具有与气体通路连通的多个气体吹出孔的气体板，通过固定静电吸附构件或气体板周边部的固定部件，将气体板固定在冷却或加热构件上。可在气体板和冷却或加热构件之间设置第2气体分散构件，在冷却介质流动通道的正下方设置气体吹出孔。由此可形成均匀的气流分布，并且实现气体板的温度及其分布的控制性能优越的气体放出构件，可连续进行均匀的处理。
文档编号C23C16/455GK1407135SQ02132070
公开日2003年4月2日 申请日期2002年9月10日 优先权日2001年9月10日
发明者佐护康实, 池田真义, 金子一秋, 近藤大辅, 森田修 申请人:安内华株式会社