专利名称：偏电压赋能装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于金属化薄膜的有机薄膜高压极化赋能装置。
背景技术：
目前在进行金属化镀膜时是靠金属分子在高真空下自然蒸发沉积形成的一层极薄的金属层，其附着力差，金属层易脱落，进而造成电容器极板面积偏差，导致容量失控。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种可使金属层与有机薄膜结合牢固不易脱落的偏电压赋能装置。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为一种偏电压赋能装置，它由偏压发生器、高压载体主鼓和金属蒸发器组成，偏压发生器的高压输出端通过导线与高压载体主鼓连接，金属蒸发器位于高压载体主鼓的下方。
本实用新型可使有机薄膜极化，材料分子顺序排列，当金属分子沉积时形成分子结合键，因此附着力强，金属层不脱落，因此在本实用新型作用下生产出的金属化有机薄膜生产出的电容器性能稳定可靠。
附图所示为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
偏电压赋能装置由偏压发生器3、高压载体主鼓5和金属蒸发器1组成，偏压发生器3的高压输出端通过导线4与高压载体主鼓5连接，金属蒸发器1位于高压载体主鼓5的下方。
其工作原理是偏压发生器3产生的高电压通过导线4传送到绝缘隔离的高压载体主鼓5，此时与主鼓同速运行的有机薄膜6被高压极化顺序排列，同时由金属蒸发器1产生的金属蒸汽分子2与材料分子乘机形成金属结合键附着于薄膜表面，形成牢固的金属镀层。
权利要求一种偏电压赋能装置，其特征在于，它由偏压发生器、高压载体主鼓和金属蒸发器组成，偏压发生器的高压输出端通过导线与高压载体主鼓连接，金属蒸发器位于高压载体主鼓的下方。
专利摘要本实用新型涉及一种应用于金属化薄膜生产的偏电压赋能装置，它由偏压发生器、高压载体主鼓和金属蒸发器组成，偏压发生器的高压输出端通过导线与高压载体主鼓连接，金属蒸发器位于高压载体主鼓的下方。本实用新型可使有机薄膜极化，材料分子顺序排列，当金属分子沉积时形成分子结合键，因此附着力强，金属层不脱落，因此在本实用新型作用下生产出的金属化有机薄膜生产出的电容器性能稳定可靠。
文档编号C23C14/24GK2693787SQ20042001014
公开日2005年4月20日 申请日期2004年2月6日 优先权日2004年2月6日
发明者宣俊杰, 刘宝灵 申请人:郑州华翔电子有限公司