专利名称：硅烷裂解法镀硅的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种裂解装置，尤其是一种化学领域中的裂解法装置。
背景技术：
众所周知太阳能的电池板都是硅板制作成的，其硅的纯度就决定了电池板的吸收效果。目前提炼纯硅大多采用对硅烷的分解来获得晶体硅，通过其它反应生成的硅烷可以利用精馏技术提纯，然后通入反应室，细小的多晶硅硅棒通电加热到850℃以上，硅烷分解，生成的多晶硅沉积在硅棒上， 化学反应为SiH 4→Si+2H 2同样，硅烷的最后分解也可以利用流化床技术，能够得到颗粒高纯多晶硅，然后将晶体硅切割成块应用到太阳能电池板上。也就是硅烷分解得到的硅晶体还需切割，工序有点烦琐。
发明内容
本发明针对硅烷分解，提供了一种裂解硅烷法镀硅装置。
为了实现上述目的，本发明采取以下措施来实现一种裂解硅烷法装置，包括硅烷、铜板、保护膜，其特征是铜板设置成太阳能硅板的模型，作为模板，铜板上涂一层保护膜带有负电荷，便于硅的吸附，使裂解后生成的硅附着在铜板表面上。
与目前技术相比本发明将化学生成的硅直接吸附到铜板上，从而省略了切割的工序。
具体实施例方式
本发明采用的是在高温环境下将硅烷裂解，生成的硅就吸附在涂有层保护膜的铜板上，形成了一块板，从而避免了人工切割晶体硅的麻烦。
实际案例，本发明可应用在太阳能电池板上，作为太阳能硅板，比目前传统方法的利用效率要提高到30％，而生产成本降低一半。
权利要求
1.一种裂解硅烷法装置，包括硅烷、铜板、保护膜，其特征是铜板设置成太阳能硅板的模型，作为模板，铜板上涂一层保护膜带有负电荷，便于硅的吸附，使裂解后生成的硅附着在铜板表面上。
全文摘要
本发明提供一种裂解硅烷法装置，包括硅烷、铜板、保护膜，在铜板设置成太阳能硅板的模型，作为模板，铜板上涂一层保护膜带有负电荷，便于硅的吸附，使裂解后生成的硅附着在铜板表面上，与目前技术相比本发明将化学生成的硅直接吸附到铜板上，从而省略了切割的工序。
文档编号C23C16/44GK101078108SQ20071006961
公开日2007年11月28日 申请日期2007年6月25日 优先权日2007年6月25日
发明者杨贻方 申请人:吴江市方霞企业信息咨询有限公司