专利名称：具有对其他室部件最小腐蚀的快速清洁等离子限制环的设备、系统和方法
具有对其他室部件最小腐蚀的快速清洁等离子限制
环的i史备、系统和方法
背景技术：
在集成电路、存储单元等半导体装置的制造过程中，执
行一系列的制造操作在半导体晶片("晶片")上形成特征。该晶片 包括以多层次结构的形式形成在硅基片上的集成电路装置。在基片 层形成具有扩散区域的晶体管器件。在接下来的层次里，相互连接 的金属线被图案化并且电连接至该晶体管器件以形成所需要的集 成电路装置。并且，图案化的导电层由介电材料与其他导电层绝缘。在等离子处理期间，限制环或一组平行的环围绕等离子 蚀刻室以防止等离子扩大超出该蚀刻室而到更大的真空室。通常， 这些环设计为允许气体流过到达真空室同时防止等离子扩散。该构 造经常与聚合等离子化学制剂共同使用，这对于选择性膜蚀刻或膜 沉积来说可能是需要的。这样的聚合物的成分可以是碳氢化合物、 碳氟化合物和/或碳氟氢化合物，而且可能也包含氮、氧、硅、铅、 钼、钛、钽、铜、钴或鵠。在有些情况下，聚合薄膜沉积在等离子 蚀刻室表面是需要的，而在其他状况则是有害的。无论如何，在每 个等离子蚀刻4喿作之后，往往需要从该蚀刻室表面去除聚合物膜以 在整个生产循环中维持反应器状况的稳定和不变。去除这些薄膜的传统方法包含当没有晶片的时候，在 该等离子蚀刻室中激发原地清洁等离子。然而，从限制环去除聚合 物往往是有问题的。众所周知，限制环上的大部分聚合物沉积形成
6在这些环的内径表面。通常，原地清洁所需要的时间长度耳又决于/人 限制环去除聚合物膜的相对低效率的速率。该反应器内其他聚合物 覆盖表面可能凭借明显短地暴露于原地清洁等离子而被完全清洁。 这些限制环相对4氐效率的清洁的结果是，清洁过程的时间会比预期 长而降低等离子蚀刻室的产量，最终增加集成电路装置的生产成本 以及循环时间。对于更复杂的物质，原地清洁经常会造成昂贵的等 离子蚀刻室部件(如静电卡盘和上电极板)过早腐蚀。由前所述，需要能从限制环高效去除聚合物膜而对其他
等离子蚀刻室的部件造成最,j、腐蚀的快速原地清洁的方法、设备或系统。
发明内容
—般而言，本发明通过提供改进的用于从等离子限制环 快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室元件的腐蚀最小的设备、 方法和系统来满足这些需求。应当理解，本发明可以许多方式实现， 包括i殳备、方法和系统。下面描述本发明多个创新性实施例。在一实施例中，公开用来从等离子限制环快速去除聚合
物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含
中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。该
电极板固定在中心组件的表面，该中心组件中具有沿外圆周形成的
通道。第 一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周， 其中第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面。远离
该第 一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执 4亍处理纟喿作。在另 一实施例中，7>开用以清洁等离子蚀刻室的限制环 栈的方法。基本上垂直等离子蚀刻室内的晶片支撑件移动限制环栈，从而环栈的内圓周表面设置为距第一等离子源一段距离。第一 等离子源设置为远离第二等离子源。将等离子气体提供到该室，以 及使用第 一等离子源将第 一等离子量提供到该限制环栈的内圓周表面。又一实施例中，7>开一种不同的{殳备，用以从等离子限 制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀。 该设备包括中心组件、电极板、多个限制环、加热元件、第一等离 子源和第二等离子源。电招j反固定在中心组件表面，该中心组件内 具有沿其外圆周形成的通道。第一等离子源i殳置在该通道内并沿着 该中心组件的外圆周，其中第 一等离子源用以引导等离子至多个环 的内圆周表面。加热元件位于邻近限制环的位置且用以4是供热量至 环的内圓周表面。第二等离子源位于远离该第一等离子源的位置， 且用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。
本发明通过下面结合附图的详细i兌明而更容易理解，并 且相同的参考标号代表相同的结构元件。图1 A为才艮据本发明 一实施例的等离子蚀刻室的不同功
能零件的俯碎见图。图lB为根据本发明一实施例的具有处于未升高位置的限 制环栈的等离子蚀刻室的剖面侧视图。图1C为根据本发明 一 实施例的具有专用的电感耦合等离 子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近处于 升高位置的限制环栈。
图1D为根据本发明一实施例的具有专用电感耦合等离 子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近处于 升高位置的限制环栈。图2是根据本发明 一 实施例的具有专用微型中空阴极阵 列等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该微型中空阴极这些等 离子源邻近处于升高位置的限制环栈。图3是根据本发明 一 实施例的具有专用电感耦合等离子 的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近处于升高
位置的限制环。图4A为根据本发明一实施例的具有加热元件的等离子 蚀刻室的侧-現图，该加热元件连4妻到邻近处于升高位置的限制环栈 的电感耦合等离子源。图4B为根据本发明 一 实施例的在同步蚀刻室清洁模式下 运4亍的等离子蚀刻室的侧一见图。图5示出根据本发明 一 实施例的等离子室的多个限制环
的清洁方法的流禾呈图。
具体实施例方式本发明说明从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他 等离子蚀刻室元件造成最小腐蚀的方法、设备与系统。然而，显而 易见的，对于本领域冲支术人员而言，本发明无需用到部分或全部的 这些特定细节也可以实现。在有的情况中，为了避免不必要i也混淆 本发明，公知的工艺操作不会详细描述。
如这里所^吏用的，半导体基片可以由任何石圭基材料制造。 在一个实施例中，基片是半导体晶片，其为半导体材料(如硅)薄 片。通过不同材料的扩散和沉积而在其上构造微电路。在这份文件 中，半导体基片与半导体晶片这两个词语可以互换使用。本实施例 在这里所公开的，本质上是原地直接清洁等离子蚀刻室内的限制环 的方法、i殳备与系统。如这里所定义的，原地直接清洁限制环表示 无须乂人室内移出限制环而直冲妄在等离子蚀刻室内清洁。图1 A为4艮据本发明 一 实施例的等离子蚀刻室的不同功 能零件的俯视图。在这个实施例中，等离子蚀刻室100为如包含室 壁层102、限制环层104以及清洁等离子源层108的连续同心层。清 洁等离子源层108设置于邻近限制环层104的内圆周表面，并且配置 为引导清洁等离子106朝向该限制环104的内表面以有效地从该限 制环的内表面去除聚合物污染物。在一实施例中，清洁等离子源为电感耦合电才及。在另一 实施例中，清洁等离子源为微型中空阴极阵列。在又一实施例中， 清洁等离子源为电容耦合电极。应当了解，清洁等离子106可由任 何类型的等离子源提供，只要该源可以设置为将该限制环层104的 全部内圓周表面暴露于该清洁等离子，并且可以传递足够量的清洁 等离子106以乂人限制环层104的内圓周表面去除聚合物膜。继续参照图1A,在一实施例中，限制环层104由单个等 离子环组成。在另一实施例中，限制环层104由多个环组成，该多 个环之间具有间隙而在4皮此顶部堆叠。图1B为根据本发明 一 实施例的具有位于非升高位置的限 制环栈的等离子蚀刻室的剖面侧视图。在这个说明中，示出从室中 心、轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室 的顶部为中心组件103,其连接到上电极板112的顶面。沿着面对室壁102的中心组件103的外表面形成通道。配置于通道里的是电感耦
合等离子源109 (即线圈加外壳)，其配置为在紧邻限制环栈的内圆 周表面区域内激发清洁等离子106。位于等离子室底部的是静电卡 盘(ESC) 110,其连4妻到下电拟j反lll的顶面。介于上电才及112和下 电极lll之间的空间为主蚀刻室101,且基片等离子蚀刻才喿作发生在 这里。上电极112以及下电极lll设置以在该主蚀刻室101内激发等离 子以蚀刻置于ESC IIO上的基片。如这里所述，显示限制环栈116通常在等离子蚀刻l乘作期 间处于未升高位置。在一实施例中，多个杆(未示)经过限制环基 本上呈直角插入下电极板lll。杆子用作指引导轨，其设置以操作连 接才几械传动装置(未示)来升高限制环栈116,使得栈116在等离子 蚀刻才喿作的最后会大体上邻近电感耦合等离子源109。该环传动装 置系统可为任何当前可得的系统。在一实施例中，电感耦合等离子源109的功率i殳定介于大 约100瓦特到大约2000瓦特。在另一实施例中，功率i殳定介于大约 400瓦特到大约1500瓦特。在又一实施例中，功率i殳定介于大约800 瓦特到1200瓦特。然而，应当理解，电感耦合等离子源109基本上 可设定为任何功率设定，只要最后清洁等离子106可从限制环116的 内圆周表面去除聚合物污染物，而不会导致环或其它蚀刻室元件 (例如，ESC100,电极111-112等)的损坏。图1C为根据本发明 一 实施例的具有专用电感耦合等离子 源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近该升高 位置的限制环栈。如这里所说明的，示出从室中心轴105延伸至室 壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室的顶侧为连接到 上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103 的外表面形成通道。i殳置在该通道内的是电感耦合等离子源109 (即，线圈加外壳)，配置为引导等离子106靠着环栈116的内圆周
ii表面。应当理解，虽然电感耦合等离子源109在此图中示为沿着通 道底部设置(即，图1C),这并不意p木着限制电感耦合等离子源109 在通道内的设置方式。电感耦合等离子源109可以任何排列、位置 或方向设置于通道内，只要电感耦合等离子源109可用于引导足够 量的等离子以基本上清洁限制环的内圓周表面。位于等离子室底部 的是静电卡盘(ESC) 110，其连接到下电极板lll的顶面。如上述， 基于上电极112与下电极lll之间的空间为主蚀刻室101 ，基片等离子 蚀刻发生于此。上电才及112和下电极lll配置为在主蚀刻室IOI内激发 等离子来蚀刻置于ESC IIO上的基片。在这个实施例中，示出在升高位置的限制环栈116,其中 专用的电感耦合等离子源109配置为引导等离子106靠着环栈116的 内圓周表面来基本上去除任何聚集在该表面上的污染物(如聚合物 等)。在一实施例中，环116的内圓周表面与电感井禺合等离子源109 (如线圈加外壳)的外表面之间的距离介于大约0.5毫米到大约 15mm。在另一实施例中，该3巨离介于大约lmm到大约10mm。又一 实施例中，该距离介于大约2mm到大约5mm。应该理解，限制环116 的内圆周表面与电感耦合等离子源109的外表面之间的距离与许多 因素有关，包括环116的温度；i殳有电感耦合等离子源109的通道 内保持的压力；以及电感耦合等离子源109的功率设定。电感耦合 等离子源109的外表面与限制环116的内圓周表面之间所保持的距 离基本上可以设定为任何凄t值，只要电感耦合等离子源109不造成 环116的损害而去除聚集在环116上的聚合物污染物。在一实施例中， 环116的温度维持在大约25 °C到大约500°C之间。在另 一实施例中， 环116的温度i殳定在大约100 °C到大约400 °C之间。又一 实施例中， 环116的温度设定在大约270。C到大约33(TC之间。通常，,人限制环116去除聚合物污染物的去除速率耳又决于 环116的温度。环116的温度1呆持越高，乂人环116去除速率越高。应当理解，环116的温度可i殳定为任何值，只要该i殳定不损害等离子蚀 刻室的各种元件(如ESCIOO、电才及111和112等)，并且可以实现足 够的污染物去除速率。在一实施例中，电感耦合等离子源109的外表面与限制环 116的内圓周表面之间的空间的压力维持在大约1毫4乇到14乇之间。 在另一实施例中，该空间的压力i殳定介于大约5毫4乇到大约100毫 4乇。在又一实施例中，该空间的压力i殳定介于大约10毫4乇到大约50 毫托。应当理解，压力可设定为任何数值，只要利用电感耦合等离 子源109所激发的清洁等离子106的密度足以充分从限制环116表面 去除聚合物染污。图1D为才艮据本发明 一 实施例的具有专用电感耦合等离 子源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近升高 位置的限制环栈。在这个说明中，示出从室中心轴105延伸至室壁 102的等离子蚀刻室的径向剖面。在等离子室的顶侧上为连4妄到上 电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组件103的 外表面形成通道。i殳置在该通道内的是电感耦合等离子源109。气 体传送管线118穿过中心组件103的顶面进入形成于通道内的空间。 该气体传送管线118配置为在通过电感耦合等离子源109激发清洁 等离子106期间传送原料气(feed gas)到该空间。位于等离子室底 部的是4争电卡盘(ESC) 110,其连^妄到下电初^反111的顶面。在一 实施例中，在传送到形成于该通道内的空间之前， 原料气加热到100。C到500。C之间的温度。力口热的气体增加了限制环 116的内圆周表面温度以提高通过清洁等离子106完成的总的污染 物去除速率。通常，通道内的空间必须基本上气密以允许该限制环 116的内圆周表面被热的等离子气体充分加热。通过等离子气体传 送管线118传送的原并+气的示例包括02、 03、 H20、 H202、 C02、 CO、 N2、 NH3、 H2、 CF4、 C2F6、 NF3、 SF6、 F2、 XeF2、 He、 Ne、Ar、 Kr、 Xe及其组合。然而，应当理解，基本上任何类型的原料气 均可通过气体管线118传送，只要能产生可从限制环116的内圆周表 面充分去除聚合物污染物的清洁等离子106 。图2为根据本发明 一 实施例的具有专用微型中空阴极阵 列等离子源的等离子蚀刻室的剖面侧S见图，该樣i型中空阴才及阵列等 离子源位于邻近升高位置的限制环栈的位置。在此说明中，示出从 室中心轴105延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离 子室的顶侧为连接到上电极板112顶面的中心组件103。沿着面对室 壁102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是微型 中空阴极阵列等离子源202，其配置为对着限制环栈116的内圓周表 面激发清洁等离子106。位于等离子室底部的是静电卡盘(ESC)110， 其连4妄到下电扨j反lll的顶面。上电才及112与下电4及111之间的空间为 主蚀刻室IOI，且基片的等离子蚀刻操作发生于此。上电极112以及 下电杉U11配置为以在蚀刻室IOI内激发的等离子蚀刻置于ESC 110 上的基片。在该实施例中，激发清洁等离子106以基本上去除任何在 限制环栈116的内圓周表面上聚集的污染物(如聚合物等)。在一实 施例中，环116的内圆周表面与樣t型中空阴4及阵列等离子源202之间 的5巨离介于大约0.5毫米(mm )到大约10mm。在另一实施例中，该 距离介于大约lmm到大约5mm。在又一实施例中，该距离介于大约 lmm到大约2mm。应当理解，樣i型中空阴才及阵列等离子源202与环 116的内圆周表之间所保持的距离基本上可设定为任何数值，只要 孩丈型中空阴极阵列等离子源202可在不造成环116损害情况下去除 沉积在环116上的聚合物污染物。仍然参考图2，在一实施例中，气体传送管线穿过中心总 成103的顶面并进入形成于通道内的空间。该气体传送管线配置为 在清洁等离子106操作期间通过微型中空阴极阵列等离子源202将气体传送至该空间。原料气可选择为在加热或室温状态下传输，f又
决于特定的限制环116清洁操作的要求。在一实施例中，微型中空阴极阵列等离子源202配置为包 含多个微型中空阴极腔，这种微型中空阴极腔基本上均匀地排列在 面向限制环栈116的内圓周表面的源表面上。在一实施例中，该腔 的内径介于100微米到5000微米之间。在另一实施例中，该腔的内 径介于50(M敬米到300(M敛米之间。又一 实施例中，该腔的内径介于 50(M鼓米到200(M鼓米之间。应当理解，该腔的内径选4奪与《效型中空 阴极阵列等离子源202与限制环116之间的空间内的等离子操作压 力有关。通常，腔的内径越小，对于樣i型中空阴极阵列等离子源202， 为了保持实现相同污染物去除速率的清洁等离子10 6所需的压力越 高。继续参考图2，在一实施例中，微型中空阴极阵列等离子 源202与限制环116之间的空间内的压力介于大约100毫托到约100 托。在另一实施例中，该空间内的压力介于大约400毫托到大约10 托。又一实施例中，该空间内的压力介于大约500毫托到大约3托。 在一实施例中，沿着微型中空阴极阵列等离子源202表面排列的多 个微型中空阴极腔的电位设定值介于大约-10伏特到大约-2000伏 特。在另一实施例中，电位设定值介于大约-50伏特到大约-500伏特。 又一实施例中，电位设定值介于大于-100伏特到大约J00伏特。图3为才艮据本发明 一 实施例的具有专用电感耦合等离子 源的等离子蚀刻室的剖面侧视图，该电感耦合等离子源邻近位于升 高位置的限制环栈。在这个说明中，示出从室中心轴105延伸至室 壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在等离子室的顶侧为连4妻到上 电招j反112顶面的中心组件103 。沿着面对室壁102的中心组件103的 外表面形成通道。i殳置在该通道内的是电感耦合等离子源109,其 配置为对着限制环栈116的内圓周表面引导清洁等离子106。气体传送管线118穿过中心组件103的顶面进入形成于通道内的空间。该气
体传送管线118配置为在通过电感耦合等离子源109激发清洁等离 子106期间传送气体至该空间。进一步，在该实施例中，挡板302连接到室壁102，其配 置为对限制环栈116的内圆周表面提供基本上的气密密封，这样可 避免原料气通过别的限制环之间的间隙泄漏。应当理解，挡一反302 基本上可由任何材料制成，只要该材料不会与清洁等离子106反应 而产生污染副产物。图4A为根据本发明 一 实施例的具有加热元件的等离子 蚀刻室的侧-現图，该加热元件连"^妄到邻近的升高位置的限制环栈的 专用电感耦合等离子源。在该实施例中，示出从室中心轴105延伸 至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子室的顶侧为连 接到上电4及板112顶面的中心组件103。沿着面对室壁102的中心组 件103的外表面形成通道。设置在通道内的是位于中心组件103与电 感津禺合等离子源109之间的力口^i元^f牛402。 ^口上述，力口^^元4牛402酉己 置为加热限制环栈116至介于大约2 5 。C到大约5 0 (TC之间的预定温 度范围。电感耦合等离子源109配置为引导清洁等离子106靠着限制 环才戋116的内圓周表面。在一实施例中，加热元件402为方文射性加热装置，如石英 加热灯。然而，应当理解加热元件402可以是任何类型加热装置， 只要该元件402能够在清洁等离子操作期间对该限制环116提供充 分的加热以从限制环栈116的内圆周表面去除聚合物污染物。在另 一实施例中，该加热元件402是具有耦合至该限制环116的辐射热的 电阻力。热器。继续参考图4A,在一实施例中，加热元件402位于介于 限制环栈116与等离子蚀刻室壁层102之间的位置。加热元件402连接到等离子蚀刻室壁层102,并且配置为当电感耦合等离子源109引 导清洁等离子106靠着限制环栈116的内圓周表面以执行聚合物污 染物去除时对限制环一戋116l是供辐射加热。应当理角罕，力口热元4牛402 可以:没置在等离子蚀刻室内实际上4壬4可位置，只要加热元件402可 运行以加热环栈116至介于大约25。C到大约500。C之间的温度。图4B为根据本发明 一实施例的在同步蚀刻室清洁模式下 运行的等离子蚀刻室的侧视图。在该实施例中，示出从室中心轴105 延伸至室壁102的等离子蚀刻室的径向剖面。在该等离子蚀刻室的 顶侧上为连接到上电才及板112顶面的中心组件103 。沿着面对室壁 102的中心组件103的外表面形成通道。设置在该通道内的是位于中 心组件与电感耦合等离子源109之间的加热元件402。如上所述，等离子蚀刻室^^丸行同步蚀刻净喿作以从主蚀刻 室101以及限制环116去除聚合物污染物。用来清洁蚀刻室的清洁等 离子106使用位于ESC 110之上的电极112和之下的电极111来激发， 相反，用于清洁限制环116的清洁等离子106由电感耦合等离子源 109生成。图5为示出本发明 一 实施例的等离子蚀刻室的多个限制 环的清洁方法的流程图。在本方法中所使用的设备的图示都出现在 图1A到1D中。方法500开始于才乘作502，其中，限制环移动4吏得环 的内圆周表面设置在距第一等离子源一定距离的位置。该第一等离 子源设置为当限制环在距该第二等离子源升高或降低的位置时，该 源引导等离子朝向限制环内圆周表面。在一实施例中，第一等离子 源为电感耦合等离子源，其中等离子源与限制环栈之间的距离介于 大约0.5mm到大约15mm。在另一实施例中，第一等离子源为微型中 空阴极阵列等离子源，其中等离子源与限制环栈之间的距离介于大 约0.5mm到大约10mm之间。
有关于上述第一等离子源和第二等离子源的位置中，第 一等离子源位于沿着面对室壁的中心组件的外表面形成的通道内， 而第二等离子源连^妄到主蚀刻室内的电拟^反。*接着，该方法进4亍到 操作504，其中将原料气提供至等离子蚀刻室，等离子蚀刻气体的 示例包4舌02、 03、 H20、 H202、 C02、 CO、 N2、 NH3、 H2、 CF4、 C2F6、 NF3、 SF6、 F2、 XeF2、 He、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe及其组合。然后该方法进行到操作506 ，其中使用该第 一 等离子源将 一定量的等离子提供到限制环的内圆周表面。在一实施例中，第一 等离子源为电感耦合等离子源，用以传送等离子密度介于大约5e9 cm^到大约5el2cm^之间的清洁等离子。在另一实施例中，该等离 子源是微型中空阴极阵列等离子源，用以传送等离子密度为5e9 cm-3到大约5e 12cm—3之间的清洁等离子。尽管这里详细描述了本发明的若干实施例，^f旦是本领域 技术人员应当理解，本发明可实现为许多其他具体形式而不背离本 发明的主旨和范围。所以，当前的示例和实施例应当认为是说明性 的而非限制，并且本发明并不限于这里所冲是供的细节，而是可以在 所附—又利要求范围内4奮改和实施。
权利要求
1. 一种蚀刻室，包含中心组件；电极板，固定于该中心组件的表面，其中通道沿着该中心组件的外圆周而形成；第一等离子源，设置于该通道内并且沿着该中心组件的外圆周，其中该第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面；以及第二等离子源，用以在该蚀刻室内的基片上执行处理操作，该第二等离子源设置为远离该第一等离子源。
2. 根据权利要求1所述的蚀刻室，其中该第一等离子源为电感耦 合等离子装置，包含多个配置为提供电压以传送等离子的螺旋 感应线圏。
3. 根据权利要求1所述的蚀刻室，其中该第一等离子源为中空阴 才及阵列，包含多个中空阴才及单元。
4. 根据权利要求3所述的蚀刻室，其中该多个中空阴极单元具有 直径在大约0.01厘米(cm)到大约0.5cm的开口。
5. 根据权利要求1所述的用以清洁等离子室中多个等离子环的 设备，其中，该第一等离子源是电容性源。
6. 根据权利要求1所述的蚀刻室，进一步包含气体源管线，其穿过该中心组件至该通道，该气体源管 线配置为供应气体至该通道。
7. 根据权利要求6所述的蚀刻室，其中该气体在导入该通道之前 力口热。
8. 根据权利要求1所述的蚀刻室，其中，该限制环栈设置为该限 制环栈的内圆周表面距该第一等离子源大约0.5毫米至大约 15mm。
9. 一种蚀刻室，包含中心组件；电招j反，固定于该中心组件的表面，其中通道沿着该中 心组4牛的外圆周而形成；第 一等离子源，设置于该通道内并且沿着该中心组件的 外圓周，其中该第 一等离子源用以引导等离子至多个限制环栈 的内圓周表面；加热元件，配置为向该多个限制环的内圓周表面才是供热 量；以及第二等离子源，用以在该蚀刻室内的基片上执行处理操 作，该第二等离子源位于远离该第一等离子源的位置。
10. 根据权利要求9所述的蚀刻室，进一步包含挡板元件，-没置为邻近该多个环的外圆周表面并且配置 为提供基本上气密密封。
11. 根据权利要求9所述的蚀刻室，其中，该加热元件为对流加热 it/f牛或辐射力口热it/f牛之一。
12. 才艮据—又利要求9所述的蚀刻室，其中该加热元件设置于该通道 内并且沿着该中心组件的外圓周。
13. 根据权利要求9所述的蚀刻室，进一步包含气体源管线，其穿过该中心组件至该通道，该气体源管 线配置为供应气体至该通道。
14. 一种在等离子室内清洁限制环栈的方法，包含移动该限制环栈以-使该限制环栈的内圓周表面位于距第 一等离子源一定距离，该第一等离子源设置为远离第二等离子 源；提供原料气；以及使用该第 一等离子源提供第 一等离子量至该限制环栈的内圓周表面。
15. 根据权利要求14所述的方法，进一步包含将该限制环栈的内圆周表面加热至大约20摄氏度(°C ) 至大约50(TC之间的温度。
16. 根据权利要求14所述的方法，其中，该距离介于大约0.5毫 米(mm)至大约15mm。
17. 根据权利要求14所述的方法，进一步包括使用该第二等离子源提供第二等离子量至该等离子室， 该第二等离子量配置为从该等离子室去除污染物。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中，该第一等离子量和该第 二等离子量介于大约100瓦特至大约2000瓦特之间。
19. 根据权利要求14所述的方法，进一步包含将该限制环栈的内圆周表面与该第 一等离子源之间的空间的压力增加至大约1毫4乇至大约5-托。
20.根据权利要求14所述的方法，其中该第一等离子源从电感耦 合等离子装置、中空阴极阵列和电容耦合电极组成的组中选取。
全文摘要
公开一种用来从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。该电极板固定在中心组件的表面，该中心组件中具有沿外圆周形成的通道。第一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周，其中第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面。远离该第一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。
文档编号C23C16/00GK101473061SQ200780023237
公开日2009年7月1日 申请日期2007年6月1日 优先权日2006年6月20日
发明者埃里克·赫德森, 安德烈亚斯·菲舍尔 申请人:朗姆研究公司