专利名称：一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法
技术领域：
本发明涉及一种提高TiNi合金在X-光下显影性的方法。
技术背景TiNi合金因具有优异的形状记忆和超弹性性能，良好的耐蚀性和生物相容 性在生物医学领域获得广泛的应用。TiNi合金最有发展潜力的医学应用之一是 心血管支架，TiNi合金支架易实现自膨胀和恒弹力支撑，具有手术简单、易固 定，与血管壁贴合好、作用力均匀等优点。为满足介入治疗轻型化和小型化的 需求，在保证支架支撑力的前提下，TiNi合金支架丝应尽量细或壁尽量薄，这 将导致在X-光下显影性的降低。另外TiNi合金支架长期植入人体后，因Ni 离子溶出而存在发炎、致畸和致癌的潜在危险。钽作为可见性较高的医用生物材料，辐射不透明性，生物相容性，机械性 能和无磁性方面都优于不锈钢材料。目前，有将钽作为第三组元加入TiNi合 金以提高在X-光下的显影性，但钽的加入降低了TiNi合金的相变温度。还有 将钽丝填充入TiNi合金细管中，再进行拉拔，得到以这种金属为芯的细丝， 从而增强了TiNi合金在X-光下的显影性，但该种工艺复杂，成本高，而且结 构的改变降低了 TiNi合金的机械性能。发明内容本发明目的是为了解决现有技术中提高TiNi合金支架在X-光下显影性的 方法存在工艺复杂、成本高、降低了TiNi合金的机械性能或是降低TiNi合金 的相变温度的问题，而提供一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法。一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法按以下步骤实现 一、将 TiNi合金支架化学抛光，再放入丙酮中超声波清洗，然后吹干；二、吹干后的 TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中，抽真空至10-4 l(T5Pa，再通入氩气至0.2 0.3Pa，在TiNi合金支架加上800 1100V的负偏压，进行溅射清洗，持续时 间为20 40min;三、溅射清洗后，在弧流为70 80A、负偏压为100 500V的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉积，轰击时间为30 160min，然后 冷却至室温取出，得镀钽层的TiNi合金支架。本发明采用多弧离子镀技术在TiNi合金表面制备了均匀致密、结合牢固 的钽层，增加了 TiNi合金支架的抗腐蚀性能，提高了 TiNi合金支架在X-光下 的显影性，且在镀层与TiNi合金支架之间存在过渡层，过渡层的存在有利于 提高TiNi合金支架与镀层之间的结合力，同时提高了 TiNi合金支架植入位置 的准确性和有利于术后跟踪检查；本发明一种提高TiNi合金支架在X-光下显 影性的方法，工艺简单、成本低，且未在TiNi合金中添加第三元素，所以不 影响TiNi合金的相变温度，也未改变TiNi合金支架的构造，所以不影响TiNi 合金的机械性能。
图1为具体实施方式
七中所得镀钽层的TiNi合金支架的小掠角X射线衍 射谱图；图2为具体实施方式
七中所得镀钽层的TiNi合金支架截面的扫描电 镜图；图3为具体实施方式
七中所得镀钽层的TiNi合金支架与普通TiNi合金 支架的X-光照对比图，图3中1为普通TiNi合金支架，2为镀钽层的TiNi合 金支架。
具体实施方式
具体实施方式
一本实施方式一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的 方法按以下步骤实现 一、将TiNi合金支架化学抛光，再放入丙酮中超声波 清洗，然后吹干；二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中，抽真空 至l(r4 l(T5Pa，再通入氩气至0.2 03Pa，在TiNi合金支架加上800 1100V 的负偏压，进行溅射清洗，持续时间为20 40min;三、溅射清洗后，在弧流 为70 80A、负偏压为100 500V的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉 积，轰击时间为30 160min，然后冷却至室温取出，得镀钽层的TiNi合金支 架。
具体实施方式
二本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中所用多 弧离子镀炉为HHB-6.6多弧离子镀炉。其它步骤及参数与具体实施方式
一相 同。
具体实施方式
三本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中抽真空 至10.spa，再通入氩气至0.25 Pa。其它步骤及参数与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中TiNi 合金支架加上1000V的负偏压，进行溅射清洗，持续时间为30min。其它步骤 及参数与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤三中弧流为 75A、负偏压为300V。其它步骤及参数与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤三中轰击时 间为lOOmin。其它步骤及参数与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
七本实施方式一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的 方法按以下步骤实现 一、将TiNi合金支架化学抛光，再放入丙酮中超声波 清洗，然后吹干；二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中，抽真空 至10一Pa，再通入氩气至0.3Pa，在TiNi合金支架上加1100V的负偏压，进行 溅射清洗，持续时间为30min;三、溅射清洗后，在弧流为75A、负偏压为300V 的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉积，轰击时间为100min，然后冷却 至室温取出，得镀钽层的TiNi合金支架。本实施方式所得镀钽层的TiNi合金支架，图1中表明，出现对应于p-Ta 的(212)、 (111)和(510)衍射峰，证明采用多弧离子镀在TiNi合金支架上得到的 是(3-Ta;图2中看出，在TiNi合金支架表面形成了一层均匀的钽镀层，镀层 厚度3 4pm，在镀层与TiNi合金支架之间存在过渡层，过渡层的存在有利于 提高TiNi合金支架与镀层之间的结合力；图3中看出，普通TiNi合金支架在 X-光片下显影最暗，而镀钽层的TiNi合金支架的X-光片下显影变得明亮，有 效提高了 TiNi合金在X-光下的显影性。
权利要求
1、一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法，其特征在于提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法按以下步骤实现一、将TiNi合金支架化学抛光，再放入丙酮中超声波清洗，然后吹干；二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中，抽真空至10-4～10-5Pa，再通入氩气至0.2～0.3Pa，在TiNi合金支架加上800～1100V的负偏压，进行溅射清洗，持续时间为20～40min；三、溅射清洗后，在弧流为70～80A、负偏压为100～500V的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉积，轰击时间为30～160min，然后冷却至室温取出，得镀钽层的TiNi合金支架。
2、 根据权利要求1所述的一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方 法，其特征在于步骤二中所用多弧离子镀炉为HHB-6.6多弧离子镀炉。
3、 根据权利要求1所述的一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方 法，其特征在于步骤二中抽真空至l(T5Pa，再通入氩气至0.25 Pa。
4、 根据权利要求1所述的一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方 法，其特征在于步骤二中TiNi合金支架加上1000V的负偏压，进行溅射清洗， 持续时间为30min。
5、 根据权利要求1所述的一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方 法，其特征在于步骤三中弧流为75A、负偏压为300V。
6、 根据权利要求1所述的一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方 法，其特征在于步骤三中轰击时间为lOOmin。
全文摘要
一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法，它涉及一种提高TiNi合金在X-光下显影性的方法。它解决了现有技术中提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法存在工艺复杂、成本高、降低了TiNi合金的机械性能或是降低TiNi合金的相变温度的问题。其方法将TiNi合金支架化学抛光后清洗、吹干，然后放入多弧离子镀炉中，先进行溅射清洗，再用钽离子轰击溅射清洗后的TiNi合金支架并沉积，然后冷却至室温取出。本发明一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法，不影响TiNi合金的相变温度和机械性能，工艺简单、成本低。
文档编号C23C14/02GK101230445SQ20081006403
公开日2008年7月30日 申请日期2008年2月25日 优先权日2008年2月25日
发明者艳 成, 伟 蔡, 隋解和, 高智勇 申请人:哈尔滨工业大学