专利名称：晶圆研磨定位环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体制成设备，特别涉及一种晶圓研磨定位环。
背景技术：
目前的半导体制造4支术中，为避免黄光装置程序在对焦时发生失焦的现象， 平坦化程序已成为晶圆制造时不可缺少的步骤。在深次^t米甚至纳米的领域中，
化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技术已逐渐取代传统的回 蚀(etching back)或旋涂式玻璃(Spin-On Glass， SOG)披覆，而成为半导体平 坦化制造的主流。
请参见图1A，现今的化学机械研磨操作台大多是利用一研磨头(polishing head)夹持一晶圆120以进行研磨，各研磨头具有一环绕于该晶圆外围的定位环 100，用于限制该晶圆120,以避免该晶圓120在抛光时滑出该研磨头而损毁。
请参见图IB,现有技术中定位环100多采用聚合材料，其上面设置有多个 沟槽110，是用来排放研磨液，而定位环100上的沟槽110的横截面都是矩形， 研磨液与沟槽110的接触面积很大，由于液体表面张力的作用，根据流体力学 原理，研磨液流经沟槽的阻力会4艮大，使研磨液不能顺畅地经沟槽110流出， 这将会造成研磨液的大量浪费，增加制造成本。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种晶圆研磨定位环，以解决现有技 术中，因晶圆研磨定位环沟槽设计的不合理所导致的研磨液浪费等问题。
为了达到上述目的，本实用新型提供一种晶圆研磨定位环，其包括沟槽， 开设于所述晶圓研磨定位环上，其中所述沟槽的截面呈一换形，以利研磨液的 迅速排放。
可选的，所述沟槽是由内向外呈顺时针方向倾斜。可选的，所述沟槽为12个。
可选的，所述晶圆研磨定位环的材料是聚亚苯基硫醚、聚醚醚酮或半晶状 热塑聚合物。
综上所述，本实用新型的晶圓研磨定位环上沟槽的特殊设计，可以P争低研 磨晶圆时研磨液流经沟槽的阻力，以利研磨液的迅速排放，从而避免了研磨液 的浪费，进一步降低了晶圆的制造的成本。
图1A所示为现有技术中研磨头夹持晶圆进行研磨的示意图1B所示为现有技术中研磨定位环的结构示意图1C所示为现有技术中研磨定位环上沟槽的^t大示意图2A所示为本实用新型一实施例所提供的研磨定位环的结构示意图2B所示为本实用新型一实施例所提供的研磨定位环上沟槽放大示意图2C所示为本实用新型一实施例所提供的研磨定位环上沟槽截面示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，给出实施例并结合附图，对本 实用新型作进一步说明。
请参见图2A至图2C,其所示为本实用新型一实施例所提供的研磨定位环 的示意图。该研磨定位环200上开设有沟槽210,其中所述沟槽210的截面220 呈一拱形，以利研磨液的迅速排放。
在本实施例中，请参见图2C，上述沟槽210的截面220的两边孤度是38.7 度，两边弧长为 2.161mm ， 沟槽截面 220 周长是 2.161+2.4977+3.2+(3,35-l)x2=12.5587mm,但是现有技术中研磨定位环100的沟 槽110截面周长是(3.2+3.35)x2=13.1mm，其两种沟槽的长度相同，比较得出， 研磨定位环200相较于现有技术中的研磨定位环100，其槽壁面积减少大约4%。 由于在研磨液流量一定的情况下，根据流体力学原理，液体的粘度一定，液体 的阻力随液体与槽壁的"l妄触面积增加而增加，而本实用新型的实施例中的研磨 定位环200的槽壁面积减少大约4%，所以本实施例所提供的研磨定位环200使研磨液流经的阻力减少4%，从而使研磨液得到充分的利用，避免了研磨液的浪 费，降低了制造成本。
在本实用新型的一实施例中，所述沟槽210是由内向外呈顺时针方向倾斜， 在研磨时用于排除研磨液。实际上，沟槽的倾斜并不一定为顺时针方向，其是 配合研磨头及研磨垫的旋转方向而定，以是顺应研磨液的流动方向。
在本实用新型的一实施例中，所述沟槽210为12个，均匀地设置在研磨定 位环200上，有利研磨液的排放，沟槽210的个数可以根据实际应用进行设定， 以达到最佳的研磨效果。
在本实用新型的一实施例中，所述晶圆研磨定位环200的材料可选自耐磨 及耐腐蚀特性的聚亚苯基辟u醚(Polyphenylene Sulfide, PPS )、聚醚醚酮 (Polyether-etherketon, PEEK)或半晶状热塑聚合物(Semi-crystaline Thermoplastic polyester)等聚合物材料。
综上所述，本实用新型实施例所提供的晶圆研磨定位环，其沟槽的特殊设 计，可以降低研磨晶圆时研磨液流经沟槽的阻力，以利研磨液的迅速排》文，从 而避免了研磨液的浪费，进一步降低了晶圓的制造的成本。
虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任 何熟习此技术者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与 润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求1.一种晶圆研磨定位环，其特征在于，包括沟槽，开设于所述晶圆研磨定位环上，其中所述沟槽的截面呈一拱形。
2. 根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述沟槽是由内 向外呈顺时针方向倾斜。
3. 根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述沟槽为12个。
4. 根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述晶圆研磨定 位环的材料是聚亚苯基^ii醚、聚醚醚酮或半晶状热塑聚合物。
专利摘要本实用新型提供一种晶圆研磨定位环，包括沟槽，开设于所述晶圆研磨定位环，其中所述沟槽的截面呈一拱形，以利研磨液的迅速排放。本实用新型的晶圆研磨定位环上沟槽的特殊设计，可以降低研磨晶圆时研磨液流经沟槽的阻力，以利研磨液的迅速排放，从而避免了研磨液的浪费，进一步降低了晶圆的制造成本。
文档编号B24B37/34GK201361816SQ200820158340
公开日2009年12月16日 申请日期2008年12月30日 优先权日2008年12月30日
发明者夏志平, 张伟光 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司