专利名称：用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及等离子体浸没离子注入领域，特别涉及一种用于双腔室结构等离 子体浸没离子注入的隔板装置。
背景技术：
等离子体浸没离子注入(Plasma Immersion Ion Implantation, PIII)技术是一 项用于制造超浅结和SOI (Silicon On Insulator)结构的掺杂技术，其是将基片直接浸没 在等离子体中，当基片台加负脉冲偏压时，在电子等离子体频率倒数《C的时间尺度内，基 片表面附件等离子体中的电子被排斥，剩下惯性较大的离子形成离子母体鞘层。随后，在离 子等离子体频率的时间内离子被加速注入到基片中，这导致等离子体与鞘层之间的边 界向等离子体区域推进，暴露出的新离子又被提取出来，即鞘层随着离子的运动而扩张。在 更长时间尺度内，鞘层稳定于稳态的蔡尔德定律鞘层(等离子体中离子运动满足蔡尔德定 律)。PIII与传统的束线离子注入技术相比有很多优点首先PIII没有传统的离子提 取、聚焦、扫描等装置，设备简单，成本低；其次PIII为非扫描式掺杂，可实现大面积同时注 入，注入效率高；再次PIII为OUtline-Of-Sight过程，能实现三维复杂结构工件的掺杂； 还有PIII掺杂离子能量分布很宽，注入能量无理论限制，能实现高剂量、低能量离子掺杂。PIII在中、高能离子掺杂注入时存在一个难题。即低气压难放电的问题。中、高 能离子掺杂注入时要求放电压强较低，而低压强时气体很难实现打火放电。原因是加利福 尼亚大学伯克利分校(Universityof California at Berkeley)的 Pelletier, Jacques 禾口
Anders, Andre给出腔室放电压强与注入偏压的经验关系式-.P
权利要求1.一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置，其特征在于，包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔 板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。
2.根据权利要求1所述的隔板装置，其特征在于所述圆孔是随机或均勻分布在所述隔板A和隔板B的中间。
3.根据权利要求2所述的隔板装置，其特征在于所述圆孔直径大小范围为0. 1mm到1mm，所述圆孔面积占空比为5%到30%。
4.根据权利要求1所述的隔板装置，其特征在于 所述隔板A和隔板B的厚度范围为1mm到1cm。
5.根据权利要求1所述的隔板装置，其特征在于 所述隔板A和隔板B由聚四氟或石墨制成。
专利摘要本实用新型公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板装置可改变重合圆孔的大小，从而控制等离子体从掺杂源腔室向离子注入腔室的扩散速度，圆孔的分布又能控制等离子体在离子注入腔室中的分布，通过调节隔板装置可使等离子体均匀地扩散到离子注入腔室，从而最终实现大面积基片的均匀离子注入。
文档编号C23C14/48GK201785484SQ20102025059
公开日2011年4月6日 申请日期2010年7月7日 优先权日2010年7月7日
发明者刘杰, 夏洋, 李勇滔, 李超波, 汪明刚, 罗威, 罗小晨 申请人:中国科学院微电子研究所