专利名称：金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及计算机可读取存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及计算机可读取存储介质。
背景技术：
随着半导体装置的集成密度的增加，半导体元件和内部布线的几何学尺寸日趋微细化。内部布线、例如铜(Cu)布线随着其几何学尺寸变小，电阻增大。为了抑制电阻增大，必须使防止Cu扩散的防扩散膜(以下称作阻挡层)的厚度变薄，减少阻挡层和Cu布线的合成电阻。例如，特开2008-28046号公报中所记载，阻挡层使用PVD法(溅射法)来形成。
发明内容
然而，在采用PVD法形成的薄阻挡层中，若Cu布线的几何学尺寸例如在45nm以下，则用于填埋Cu布线的凹部的阶梯覆盖变差。因此，今后继续采用PVD法形成薄阻挡层变越来越难。与此相对，CVD法与PVD法相比，凹部的阶梯覆盖良好，作为阻挡层的新的形成方法不断受到关注。其中，本案的发明人发现，采用CVD法形成的氧化锰膜即使厚度薄，微细的凹部的阶梯覆盖仍然良好。采用CVD法形成的氧化锰是新型阻挡层材料的有力候选之
O而且，本案的发明人还发现，采用CVD法形成的氧化锰膜与Cu的密合性依存于氧化锰膜中的碳(C)含量。即，若氧化锰膜中的C含量多，则氧化锰膜与Cu的密合性变差。本发明是鉴于上述情况而完成的，提供一种能使与Cu的密合性变良好的金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及存储有在成膜装置中执行该成膜方法的程序的计算机可读取存储介质。本发明的第I形态所述的金属氧化膜的成膜方法是将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在所述衬底上使金属氧化膜成膜的金属氧化膜的成膜方法，其中，将所述有机金属化合物供给到所述衬底上，在所述衬底上使金属氧化膜成膜，并且，在所述金属氧化膜的成膜工序的最后，将所述金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。本发明的第2形态所述的氧化锰膜的成膜方法是将含有锰有机化合物的气体供给到衬底上，在所述衬底上使氧化锰膜成膜的氧化锰膜的成膜方法，其中，将所述锰有机化合物供给到所述衬底上，在所述衬底上使氧化锰膜成膜，并且，在所述氧化锰膜的成膜工序的最后，将所述氧化锰膜暴露于含氧气体或氧等离子体中。本发明的第3形态所述的计算机可读取存储介质是存储有在计算机上运行、对成膜装置进行控制的控制程序的计算机可读取存储介质，其中，所述控制程序在执行时控制所述成膜装置，以使得上述第I形态的金属氧化膜的成膜方法或上述第2形态的氧化锰膜的成膜方法得以进行。
图I是示意性地表示可执行本发明的一实施方式的氧化锰膜成膜方法的成膜装置的一个例子的截面图。图2是表示氧化锰膜的ClsXPS光谱的图。图3是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜成膜方法的顺序的一个例子的时序图。图4A是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的一个例子的截面图。图4B是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的一个例子的截面图。图4C是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的一个例子的截面图。图4D是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的一个例子的截面图。图4E是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的一个例子的截面图。图5是表示未反应的锰有机化合物完全反应完的样子的图。图6是表示(EtCp)2Mn的结构式的图。图7是表示对层叠了等离子体TEOS膜、氧化锰膜和铜膜的结构体，在深度方向上进行次级离子质谱分析的结果的图。图8是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的顺序的另一例子的时序图。图9是表示本发明的一实施方式的氧化锰膜成膜方法的顺序的又一例子的时序图。图10是表示使用拉曼光谱法对氧化锰膜的表面结合状态进行解析的结果的图。
具体实施例方式下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。该说明中，对参照的所有图，相同部分赋予相同的参照符号。图I是示意性地表示可执行本发明一实施方式的金属氧化膜、例如氧化锰膜的成膜方法的成膜装置的一个例子的截面图。在本例中，作为成膜装置的一个例子，列举了在被处理基板、例如半导体晶圆(以下称为晶圆)上使氧化锰膜成膜的热CVD装置，但金属氧化膜并不局限于氧化锰，被处理基板不局限于半导体晶圆，成膜装置也不局限于热CVD装置。如图I所示，热CVD装置10具有处理室11。处理室11内设有水平载置晶圆W的载置台12。载置台12内设有作为晶圆W调温装置的加热器12a。加热器12a中安装有用于控制温度的、图中未显示的温度测定装置，例如热电偶。载置台12上设有通过升降装置12b自由升降的3根升降销12c(为了方便图中仅显示2根)。晶圆W通过使用升降销12c进行升降，在图中未显示的晶圆搬送装置和载置台12间进行晶圆W的接送。处理室11的底部连接有排气管13的一端，在排气管13的另一端上连接有排气装置14。处理室11的侧壁上形成有通过闸阀G进行开闭的搬送口 15。处理室11的顶棚部设有与载置台12相对的气体喷头16。气体喷头16具有气体 室16a，供给到气体室16a中的气体从多个气体喷出孔16b向处理室11内供给。
气体喷头16上连接有将原料气体、例如将含有锰有机化合物的气体导入气体室16a的原料气体供给配管系统17。原料气体供给配管系统17具有原料气体供给管路17a。原料气体供给管路17a上游上连接有原料贮存部18。原料贮存部18中贮存有锰原料、例如锰有机化合物。在本例中，作为锰有机化合物以液体状态贮存有环戊二烯基类锰有机化合物、例如(EtCp)2Mn ( 二(乙基环戊二烯基)锰))18a。(EtCp)2Mn为锰前体。原料贮存部18上连接有鼓泡机构19。鼓泡机构19，例如包含贮存有鼓泡用气体的鼓泡用气体贮存部19a、将鼓泡用气体导入原料贮存部18的鼓泡用气体供给管路1%、调节流过鼓泡用气体供给管路19b中的鼓泡用气体流量的质量流量控制器(MFC) 19c以及阀19d而构成。作为鼓泡用气体的例子，有氩气(Ar)、氢气(H2)及氮气(N2)等。鼓泡用气体供给管19b的一端被配置于在原料贮存部18中贮存的原料液体，在本例中，配置于(EtCp)2Mn中。通过从鼓泡用气体供给管19b喷出鼓泡用气体，使原料液体鼓泡并气化。气化的原料气体介由原料气体供给管路17a及 开闭原料气体供给管路17a的阀17b被供给到气体室16a中，在本例中，气化的原料气体为气化的(EtCp)2Mru另外，作为原料气体的供给方法，并不局限于像上述那样的使原料液体鼓泡并气化的鼓泡法，也可使用所谓的液体输送法，即将原料液体输送到气化器中，使用气化器使原料液体气化的方法。在阀17b和原料贮存部18之间，连接有与排气装置14连接的预流管路20。预流管路20上设有阀20a。直到原料气体的鼓泡流量稳定为止，关闭阀17b、打开阀20a，从而使原料气体流于预流管路20中。待鼓泡流量稳定且到原料气体的供给时机时，关闭阀20a、打开阀17b，从而使原料气体流入供给管路17a。阀17b和气体室16a之间连接有吹扫装置21。吹扫装置21例如包含贮存有吹扫用气体的吹扫用气体贮存部21a、将吹扫用气体导入原料气体供给管路17a的吹扫用气体供给管路21b、调节流于吹扫用气体供给管路21b中的吹扫用气体流量的质量流量控制器(MFC) 21c、阀21d及21e而构成。阀21d设在吹扫用气体贮存部21a和质量流量控制器21c之间，阀21e设在原料气体供给管路17a和质量流量控制器21c之间。作为吹扫用气体的例子，有氩气(Ar)等稀有气体、氢气(H2)及氮气(N2)等。在吹扫原料气体供给管路17a的内部、气体室16a的内部及处理室11的内部时，关闭阀17b、打开阀21d、21e，从而介由吹扫用气体供给管路21b使吹扫用气体流入原料气体供给管路17a。吹扫用气体也可用作原料气体的鼓泡用气体。即，鼓泡用气体贮存部19a和吹扫用气体贮存部21a可以采用共同的构成。气体喷头16上还连接有将含氧气体导入气体室16a中的含氧气体供给配管系统22。含氧气体供给配管系统22包含生成含氧气体的含氧气体生成装置22a、含氧气体供给管路22b、调节流于含氧气体供给管路22b中的含氧气体流量的质量流量控制器(MFC) 22c及阀22d而构成。作为含氧气体的例子，有水(H2O)及氧(O2)等。将含氧气体导入气体室16a时，打开阀22d，使含氧气体介由含氧气体供给管路22b流入气体室16a。导入到气体室16a中的含氧气体介由气体喷出孔16b被喷出，供给到处理室11内。另外，虽然图中未显示，但为了防止原料气体的冷凝，通过加热器将原料气体供给管路17a、阀19d、气体喷头16、室11的侧壁例如加热到80°C。控制部23控制热CVD装置10。控制部23包含工艺控制器23a、用户界面23b及存储部23c而构成。用户界面23b包含工艺管理者为管理热CVD装置10而进行指令输入操作等的键盘、和可视化地表示热CVD装置10的工作状况的显示器等。存储部23c中储存有控制程序和记录有驱动条件数据等的配方(recipe)，所述控制程序用于通过工艺控制器23a的控制实现利用热CVD装置10的处理。根据需要，通过来自用户界面23b的指示将配方从存储部23c中调出，在工艺控制器23a上执行，从而控制热CVD装置10。配方例如可以使用存储于CD-ROM、硬盘、闪存等计算机可读取存储介质上的状态的配方，或者也可以从其他装置，例如介由专用线路进行即时传输而利用。
根据这种热CVD装置10，通过将作为原料气体的锰有机化合物气体、例如为环戊二烯基类锰有机化合物气体，具体的一个例子是(EtCp)2Mn气体，供给到晶圆W的表面上，从而能在晶圆W的表面上使氧化锰膜成膜。作为环戊二烯基类锰有机化合物，除(EtCp)2Mn[ = Mn(C2H5C5H4)2]之外，例如还可使用下述环戊二烯基类锰有机化合物。Cp2Mn [ = Mn (C5H5) 2](MeCp) 2Mn [ = Mn (CH3C5H4) 2](i-PrCp) 2Mn [ = Mn (C3H7C5H4) 2]MeCpMn (CO) 3 [ = (CH3C5H4) Mn (CO) 3](t-BuCp) 2Mn [ = Mn (C4H9C5H4) 2]Mn (DMPD) (EtCp) [ = Mn (C7H11C2H9C5H4)]((CH3) 5Cp) 2Mn [ = Mn ((CH3) 5C5H4) 2]接着对本发明一实施方式的氧化锰的成膜方法的一个例子进行说明。首先，使用锰有机化合物气体、例如环戊二烯基类锰有机化合物气体，具体为(EtCp)2Mn气体，进行成膜的氧化锰膜中，含有大量碳(C)，对此，采用X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)法进行说明。图 2 是对 Cls(碳)峰的化学结合状态进行解析的解析结果。在图2中显示了将成膜温度设为400°C进行成膜的氧化锰膜的ClsXPS光谱(400°C )及将成膜温度设为300°C进行成膜的氧化锰膜的ClsXPS光谱(300 0C )两个光谱。 如图2所示，在300°C成膜的氧化锰膜中，主要出现C-C、C-O的峰，在400V成膜的氧化猛膜中，主要出现碳化物型碳(Carbidic carbon)的峰。根据上述结果可知，使用锰有机化合物气体，例如环戊二烯基类锰有机化合物气体(在本例中为(EtCp)2Mn气体)，使氧化锰膜成膜时，成膜的氧化锰膜中含有大量的碳(C)。若氧化锰膜中含有大量的C，则会造成氧化锰膜与在该氧化锰膜上形成的铜(Cu)或含Cu的铜合金的密合性的劣化。因此，最好从氧化锰膜中极力减少C含量。因此，在本发明的一个实施方式中，为了极力减少氧化锰膜中的C含量，如下地将氧化锰膜进行了成膜。图3是表示本发明的一个实施方式的氧化锰膜的成膜方法的顺序的一个例子的时序图，图4A 4E是将一实施方式的氧化锰膜的成膜方法的一个例子作为主要工序图表示的截面图。
首先，如图3及图4A所示，在作为基板的p型硅晶圆101上，使用等离子体CVD法形成膜厚IOOnm的等离子体TEOS膜(硅氧化膜)102。接着，将形成有等离子体TEOS膜102的晶圆101搬送到图I所示成膜装置10的处理室11中，将晶圆101载置于载置台12上。接着，使用加热器12a，例如将晶圆101加热到100°C 400°C (图3中的工序I)。加热所需的时间例如为20分钟。接着，如图3及图4B所示，作为锰原料使用锰有机化合物，具体的一个例子为环戊二烯基类锰有机化合物，在本例中使用(EtCp) 2Mn，将该(EtCp) 2Mn，边使用例如作为鼓泡气体(作为载气)的氢气(H2)，边在温度80°C下气化，生成(EtCp)2Mn气体。接着，将锰有机化合物气体与载气一起导入处理室11内，将(EtCp)2Mn气体供给到等离子体TEOS膜102的表面上(图3中的工序2)。成膜时间例如为30分钟。通过该工序，(EtCp)2Mn与等离子体TEOS膜102中残留的氧、水分反应，在等离子TEOS膜102上使氧化锰膜103成膜。此时，成膜的氧化锰膜103的氧化态为MnO。接着，如图3及图4C所示，停止(EtCp)2Mn气体的供给，代替其将吹扫用气体导入 处理室11内，将(EtCp)2Mn气体从处理室11内去除(工序3)。在本例中，作为吹扫用气体使用氩(Ar)气，边用排气装置14对处理室11内进行抽真空，边将Ar气以25sccm的流量供给到处理室11内。供给时间例如为30分钟。接着，如图3及图4D所示，停止Ar气的供给、代替其将含氧气体导入处理室11内，将氧供给到氧化锰膜103的表面上(图3中的工序4)。在本例中，作为含氧气体使用水蒸汽(H2O),在关闭图中未显示的排气系统阀的状态下，将H2O以Isccm的流量供给到处理室11内。供给时间例如为15分钟。由此，在氧化锰膜103上，例如未反应而原样残留下来的(EtCp)2Mn与H2O完全反应完，成为氧化锰(MnO)。将其样子示于图5。图5中显示了羟基结合在因配体(在本例中为乙基环戊二烯基=EtCp)从未反应的(EtCp)2Mn上脱离而生成的悬空键(Dangling bond)上,从而氧化猛膜103的表面被轻基封端的样子。另外，配体含有的烃(C-H)进行气化，随后被排出。此外，含氧气体的供给量，在本例中为H2O的供给量，优选为使残留在氧化锰膜103表面上及处理室11内部的锰前体、即有机锰化合物能正好反应的量。能使正好反应的量的一个例子为如下。在本例中，作为锰前体的锰有机化合物为环戊二烯基类锰有机化合物。图6中显示了环戊二烯基类锰有机化合物的基本结构式。在图6中显示了(EtCp)2Mn的结构式。如图6所示，(EtCp)2Mn中Mn与两个配体(EtCp) π键结合。在这种锰有机化合物中，使该锰有机化物能正好反应的量是指含氧气体切断锰有机化合物的Mn与配体间的化学键，在图6所示的例子中是切断Mn与(EtCp)间的Ji键，使Mn露出的量。另外，在本例中，配体具有五元环，具有五元环的配体为Cp (环戊二烯基)。作为为了设成如此地将锰有机化合物能正好反应的量的、含氧气体的供给量的一个例子，可以是与锰有机化合物的供给量相同或以下的量供给含氧气体。例如，使残留的锰有机化合物通过含氧气体、例如H2O,完全反应时的反应式为下式。(EtCp) 2Μη+Η20 — Mn0+2H (EtCp)从上述反应式可知，即使以多于所供给的锰有机化合物的量供给H2O也无益于反应。而且，多半的锰有机化合物不是被用于MnO成膜反应，就是与成膜反应无关地被排出，在氧化锰膜103上残留的有机物成分与所供给的锰有机化合物相比其量极少。因而，为使残留的锰有机化合物正好反应，优选将H2O的供给量设为与锰有机化合物的供给量相同或在猛有机化合物的供给量以下。例如，使(EtCp)2Mn以4sccm流通进行10分钟成膜时,总的锰有机化合物的供给量为40cc。此时，H2O的供给量最大为40cc。具体而言，欲将H2O的供给时间设为I分钟时，H2O的流量只要在40sCCm以下即可。而欲将H2O的供给时间设为10分钟时，H2O的流量只要在4sCCm以下即可。此外，作为供给含氧气体时的处理室11内部的含氧气体分压，只要为Ippb IOppm即可。尤其优选的含氧气体分压为O. Ippmo接着，如图3及图4E所示，将形成有氧化锰膜103的晶圆101从处理室11搬出，在不损坏真空或不使氧化锰膜接触氧、大气的情况下，例如搬送到铜成膜装置，在氧化锰膜上例如使铜(Cu)膜104成膜。图7中显示对层叠了图4E中所示的等离子体TEOS膜102、氧化锰膜103及铜膜 104的结构体在深度方向上进行次级离子质谱分析的结果。图7中的(A)为未将H2O供给到氧化锰膜103上的情况，图7中的(B)为将H2O供给到氧化锰膜103上的情况。如图7中的⑷所示，未将H2O供给到氧化锰膜103上时，氧化锰膜103中的C浓度约为3X1021 4X1021atom/cm3，与此相对，如图7中的⑶所示，将H2O供给到氧化锰膜103上时，可将氧化锰膜103中的C浓度减少到约I. 5X 1021atom/cm3。如此地，若为一个实施方式的氧化锰膜的成膜方法，则在形成氧化锰膜103后，向所成膜的氧化锰膜103上进一步供给含氧气体。通过这样，即使在作为锰前体的锰有机化合物以未反应的原样残留在氧化锰膜103的表面上时，也能使其完全反应。因此，根据一个实施方式，可极力减少氧化锰膜中的C含量，可得到能使与Cu的密合性变良好的氧化锰膜的成膜方法。然而，也有向已经形成的氧化锰膜103上进一步供给含氧气体时氧化锰膜103的氧化会不会继续进行这样的疑虑。但如上述一个实施方式那样成膜的氧化锰膜103的氧化状态为MnO，即使是对所成膜的氧化锰膜供给H2O的情况下，从热力学角度考虑，氧化锰膜的氧化状态也不会进行为MnO2。以上根据一个实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不局限于上述一个实施方式，在不脱离发明宗旨的范围内可进行适当变形。此外，本发明的实施方式也不仅为上述一个实施方式。例如，在上述一实施方式中，另行设置了使用原料气体锰有机化合物气体进行氧化锰膜的成膜后使锰有机化合物气体从处理室11内去除的工序(图3的工序3)。但是，并不一定必须将锰有机化合物气体从处理室11内去除。例如，如图8所示，也可也设成停止锰有机化合物(Mn前体)气体的供给后，仅供给含氧气体(水)。即，也有在供给含氧气体后，不供给锰有机化合物地结束成膜工艺这样的工艺配方，在成膜工艺的最后，通过供给含氧气体，所成膜的氧化锰膜的表面的碳的多数的配体脱离而，从而进一步完全地成为MnO膜。而且，在上述工艺配方结束后，接着，在不破坏真空条件或者在使氧化锰膜103不接触氧、水、空气的情况下，氧化锰膜103上使Cu或含Cu的合金进行成膜。此外，在上述一实施方式中，作为成膜方法列举了 CVD法、尤其是热CVD法，但成膜方法并不局限于CVD法。例如，也可以使用如图9所示地交替式地供给作为原料气体的锰有机化合物(Mn前体)气体和含氧气体(H2O),在原子或分子层水平上使氧化锰膜成膜的ALD法。即使在使用ALD法时，工艺配方也是在供给含氧气体后，不供给锰有机化合物气体就结束成膜工艺。而且，在上述工艺配方结束后，接着，在不破坏真空条件或者在使氧化锰膜103不接触氧、水、空气的情况下,在氧化锰膜103上使Cu或含Cu的合金进行成膜。此外，在上述一实施方式中，作为从氧化锰膜103减少C的工序，显示了向氧化锰膜103供给含氧气体、例如H2O,将氧化锰膜103暴露于H2O中的工序，但也可以代替将氧化锰膜103暴露于H2O,而将其暴露在含氧(O2)等离子体中。图10中显不了将氧化猛膜103暴露和未暴露于O2等离子体中时的、使用拉曼光谱法得到的氧化锰膜103的表面结合状态的解析结果。图10中表不将成膜温度设为400°C、成膜时间设为30分钟、作为载气以25sccm的流量供给H2气而成膜时的氧化锰膜103的拉曼光谱法的结果。此外，利用O2等离子体的处理条件为使用平行平板型等离子体处理装置，以2SCCm的流量供给02气，施加40KHz、100W的高频功率，将处理时间设为10秒。如图10中的拉曼(Raman)光谱所示，未将氧化锰膜103暴露于O2等离子体的情况中(without 02plasma),可明确观察到碳来源(也包括无定形碳)峰(D band及D’band)。与此相对,将氧化猛膜103暴露于O2等离子体的情况中(with 02plasma),未观察到明确的碳来源峰。如此地，即使代替将氧化锰膜103暴露于含氧气体、例如H2O中，而将其暴露于含氧(O2)等离子体中，也可减少氧化锰膜103中的C量，可以得到与Cu的密合性变良好的氧
化锰膜。此外，本发明在不脱离其宗旨的范围内可以进行各种变形。根据本发明，可以提供一种能使与Cu的密合性变良好的金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及存储有使该成膜方法在成膜装置中执行的程序的计算机可读取存储介质。权利要求
1.一种金属氧化膜的成膜方法，是将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在所述衬底上使金属氧化膜成膜的金属氧化膜的成膜方法，其中， 将所述有机金属化合物供给到所述衬底上，在所述衬底上使金属氧化膜成膜， 在所述金属氧化膜的成膜工艺的最后，将所述金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。
2.一种氧化锰膜的成膜方法，是将含有锰有机化合物的气体供给到衬底上，在所述衬底上使氧化锰膜成膜的氧化锰膜的成膜方法，其中， 将所述锰有机化合物供给到所述衬底上，在所述衬底上使氧化锰膜成膜， 在所述氧化锰膜的成膜工艺的最后，将所述氧化锰膜暴露于含氧气体或氧等离子体中。
3.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，所述含氧气体为水H2O或氧02。
4.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，所述锰有机化合物中锰和配体进行π键结合。
5.根据权利要求4所述氧化锰膜的成膜方法，其中，所述配体为五元环。
6.根据权利要求5所述氧化锰膜的成膜方法，其中，所述五元环配体为Cp，即环戊二烯基。
7.根据权利要求6所述氧化锰膜的成膜方法，其中，所述锰有机化合物选自下述化合物中的任意化合物； (EtCp) 2Mn [ = Mn (C2H5C5H4) 2] Cp2Mn [ = Mn (C5H5) 2] (MeCp) 2Mn [ = Mn (CH3C5H4) 2] (I-PrCp)2Mn [ = Mn (C3H7C5H4) 2] MeCpMn (CO) 3 [ = (CH3C5H4)Mn(CO)3] (t-BuCp) 2Mn [ = Mn (C4H9C5H4) 2] Mn (DMPD) (EtCp) [ = Mn (C7H11C2H5C5H4)] ((CH3) 5Cp) 2Mn [ = Mn ((CH3) 5C5H4) 2]。
8.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，所述含氧气体的供给量为使附着在所述氧化锰膜和处理室内部的锰有机化合物能正好反应的量， 所述能正好反应的量为切断所述η键、使锰露出的量。
9.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，所述含氧气体的供给量与所述锰有机化合物的供给量相同或在所述锰有机化合物的供给量以下。
10.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，供给所述含氧气体时的处理室内部的含氧气体分压为Ippb lOppm。
11.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，工艺配方为在供给所述含氧气体后，不供给所述锰有机化合物气体，从而结束所述成膜工艺。
12.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，在所述工艺配方结束后，接着，在不破坏真空条件或者在使所述氧化锰膜不接触氧、水、大气的情况下，在所述氧化锰膜上使铜或含铜合金成膜。
13.根据权利要求2所述的氧化锰膜的成膜方法，其中，所述氧化锰膜的成膜方法为CVD法或ALD法。
14.一种计算机可读取存储介质，是存储有在计算机上运行、对成膜装置进行控制的控制程序的计算机可读取存储介质，其特征在于， 所述控制程序在执行时控制所述成膜装置，以使得权利要求I所述的金属氧化膜的成膜方法得以进行。
15.一种计算机可读取存储介质，是存储有在计算机上运行、对成膜装置进行控制的控制程序的计算机可读取存储介质，其特征在于， 所述控制程序在执行时控制所述成膜装置，以使得权利要求2所述的金属氧化膜的成膜方法得以进行。
全文摘要
本发明公开了一种可使与Cu的密合性变良好的金属氧化膜的成膜方法。该成膜方法是一种将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜的成膜方法，其中，将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜，并且，在金属氧化膜的成膜工艺的最后将金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。
文档编号C23C16/40GK102648513SQ201080042660
公开日2012年8月22日 申请日期2010年9月17日 优先权日2009年9月24日
发明者小池淳一, 松本贤治, 根石浩司 申请人:东京毅力科创株式会社, 国立大学法人东北大学