专利名称：等离子体耐蚀性构件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及等离子体耐蚀性构件。
背景技术：
以往，作为等离子体耐蚀性构件，已知以氮化铝烧结体为母材，在该母材中的暴露于等离子体的表面上形成有氧化钇薄膜的构件(例如专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2000 - 129388号公报
实用新型内容实用新型要解决的课题然而，在使用氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材作为构成构件的情况下，升温至700°C时，有时在氧化钇薄膜与构成构件的界面产生裂纹。本实用新型是为了解决这样的课题而作出的，主要目的在于防止在升温至700°C后的薄膜与基材的界面产生裂纹。解决课题的方案本实用新型的等离子体耐蚀性构件为，在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，在前述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成前述凸部的部分的膜厚al的比率a2 / al满足I < a2 / al < I. 6。实用新型的效果根据本实用新型，可得到在升温至700°C后的薄膜与基材的界面不产生裂纹这样的效果。特别是在比率a2 / al满足I. 17 ^ a2 / al ^ I. 50的情况下，可以确实地得到该效果。
图I是等离子体耐蚀性构件的部分剖面图。
具体实施方式
本实用新型的等离子体耐蚀性构件是在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的构件，在薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，该薄膜中的形成有凸部的部分的膜厚a2相对于未形成凸部的部分的膜厚al的比率a2 / al满足I < a2 / al < I. 6。[0018]本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，比率a2 / al更优选满足I. 17 ^ a2 /al ^ I. 50。本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，钇化合物优选为氧化钇、YAG、YAM或YAL0另外，YAG为Y3Al5O12 (3Υ203 · 5Α1203)，是具有石榴石晶体结构的物质。YAL为YAlO3(Y2O3 ·Α1203)，是具有钙钛矿晶体结构的物质。YAMS Y4Al2O9 (2Υ203 ·Α1203)，是单斜晶系的物质。本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，薄膜优选为在基材的表面上通过喷镀、离子镀、蒸镀、溶胶凝胶法或CVD形成的膜。本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，凸部优选为圆柱状。本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，薄膜的平均厚度优选为5 100 μ m，优选为不足基材的厚度的I %。另外，在薄膜的角部形成有段差的情况下，其段差高的部分的膜厚相对于段差低的部分的膜厚的比率优选大于I小于I. 6。·本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，基材的厚度优选为3 20mm。本实用新型中，要求耐蚀性的环境为卤素气体气氛或卤素等离子体气体气氛。实施例[实验例I]制作6种在氮化铝烧结体的基材的表面上形成有氧化钇的薄膜的等离子体耐蚀性构件。制作步骤如下。首先，制造直径为350mm、平均厚度20mm的氮化铝烧结体。具体而言，对于平均粒径I μ m、纯度99. 9%的氮化铝粉末，添加平均粒径I. 5 μ m、纯度99. 9%的氧化钇粉末5重量％并混合，对混合粉末以IOOkgf / cm2进行单轴加压成型。通过热压法将该成型体烧结，得到氮化铝烧结体。接着，在该氮化铝烧结体的整面喷镀纯度99. 9重量％的氧化钇。其结果，得到整面被氧化钇喷镀膜包覆的氮化铝烧结体。接下来，使用掩模进行喷射(寸7 ^卜)加工，形成用于支撑晶片的压花部分(直径Φ 2. 0mm)o此时的喷射加工参考日本特开平4 一 304941号公报而进行。按照以上的步骤，制作表I所示的实验NO. I — I I 一 6的等离子体耐蚀性构件。将所得的等离子体耐蚀性构件的部分剖面图示于图I。另外，将各等离子体耐蚀性构件在大气中升温至700°C，研究升温后在氮化铝烧结体与氧化钇喷镀膜的界面是否产生裂纹。这样做时，比率a2 / al为I. 6以上的构件产生了裂纹，I. 5以下构件未产生裂纹。另外，实验NO. I — 3、I — 4、I — 6相当于本实用新型的实施例，实验NO. I — I、I — 2、I — 5相当于本实用新型的比较例。表I[0033]
权利要求1.一种等离子体耐蚀性构件，其特征在于，其为在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件， 在所述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部， 所述薄膜中的形成有所述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成所述凸部的部分的膜厚al 的比率 a2 / al 满足 I < a2 / al < I. 6。
2.如权利要求I所述的等离子体耐蚀性构件，其特征在于，所述比率a2/ al满足I.17 ≤ a2 / al ≤ I. 50。
3.如权利要求I所述的等离子体耐蚀性构件，其特征在于，所述钇化合物为氧化钇、YAG、YAM 或 YAL。
4.如权利要求I所述的等离子体耐蚀性构件，其特征在于，所述薄膜是在所述基材的表面上通过喷镀、离子镀、蒸镀、溶胶凝胶法或CVD形成的膜。
专利摘要本实用新型涉及等离子体耐蚀性构件。本实用新型的课题是抑制在升温至700℃后的薄膜与基材的界面产生裂纹。作为解决方案，本实用新型的等离子体耐蚀性构件是在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，在前述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成前述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1满足1＜a2／a1＜1.6。
文档编号C23C14/08GK202671657SQ20122023124
公开日2013年1月16日 申请日期2012年5月22日 优先权日2011年5月25日
发明者后藤义信 申请人:日本碍子株式会社