晶种层激光诱导的沉积的制作方法
【专利摘要】一种在基底表面上以第一靶图案生成靶沉积材料层的方法。将该基底表面放置在真空中并且将其暴露于具有用于一种晶种沉积材料的前体分子的第一化学蒸气中，由此形成已经吸附了这些前体分子的第一基底表面区域。然后，将一个带电粒子束以第二靶图案应用于第一基底表面区域上，该第二靶图案大体上与第一靶图案相同，由此以第三靶图案形成一个晶种层。将该晶种层暴露于具有靶沉积材料前体分子的第二化学蒸气中，这些前体分子被吸附至该晶种层上。最后，将一个激光束应用于该晶种层和邻近区域，由此在已经暴露于该激光束的该晶种层上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
【专利说明】晶种层激光诱导的沉积
【技术领域】[0001]本发明涉及一种将材料沉积至基底上的方法。
【背景技术】
[0002]带电粒子束诱导沉积方法，如电子束诱导沉积(EBID)或离子束诱导沉积(IBID)涉及表面吸附的前体分子通过电子或离子轰击的解离。如典型实施的，将一种气相前体通过一个空心针递送，该空心针放置在距离位于高真空系统中的一个基底的表面仅仅毫米。在该基底表面上已形成一个吸附层，通过一个带电粒子束将该被吸附物覆盖的表面进行辐射处理。当这些带电粒子穿过该真空基底界面时，它们将它们的一些能量通过非弹性散射传递到粘附至该基底表面上的这些前体分子。如果所传递的能量是足够的，分子键断裂并且该前体“解离”成为稳定的、固相组分以及挥发性副产物。这些固体组分附接至该表面，从而形成一个沉积，因此使纳米能够直写为微米级特征。这个方法典型地被称为沉积。通过解离过程产生的这些挥发性副产物随后从该基底解吸并且通过一个泵送系统被移除。
[0003]众所周知，电子和离子束可以聚焦到比用传统的照明光学可获得的那些更小的光点大小。其结果是，使通过带电粒子束诱导沉积方法产生的这些特征可以小于通过激光诱导方法如脉冲激光沉积(PLD)和直写激光辅助沉积产生的那些。然而，因为E/IBID是相当慢的方法，使用这些技术的厚沉积或在大面积上制成的沉积能够导致长的处理时间。此外，用带电粒子束技术制成的沉积物的纯度通常是低的。对于理想地导电的沉积物(例如钼)，低纯度(例如，碳污染)导致比理想的导电性更低。通常，污染物并入使用于沉积的靶材的所希望的特性恶化。
[0004]存在针对通过新颖的方法、后处理、亦或新颖的前体选择而改善纯度和/或材料特性的束化学相关的参考文件。一个此类参考文件描述了一种新颖的前体六甲基二锡，它可以用于用IBID来沉积一种高纯度、低电阻率的锡材料。另一个是一种光束晶种原子层沉积(ALD)技术工作，在其中一种EBID晶种用于引导经由原子层沉积(通过循环的自发反应)的生长。该结果是定位在该催化剂上的一种纯沉积。然而，这两种技术可能均具有缺点。该锡沉积倾向于只在通孔和表面下的特征中工作，在其中存在高度的气体约束。该ALD方法可以在某种程度上是慢的并且是不可再现的并且经受真空污染的问题。存在关于具有光解和热解机制两者的连续波和纳秒脉冲激光诱导沉积的许多参考文件。但这些机理倾向于加热该基底，这可能是不希望的。
[0005]因此，存在对于新颖的高纯度沉积方法的未满足的需要；尤其存在对能够实现纯金属、电介质、和半导体的大面积和小面积沉积两者的方法的需要。
【发明内容】
[0006]本发明的一个目的是以任意图案将一种材料沉积到一个基底上。
[0007]在第一单独方面中，本发明是一种在基底表面生成靶沉积材料层的方法。该方法从将一个基底表面的放置在真空中以及将该基底表面暴露于由前体分子组成的第一化学蒸气中的行为开始，当该前体分子用一种带电粒子束辐射处理时，只在带电粒子辐射的区域内形成一个沉积晶种层。这个初始的带电粒子诱导局部沉积的目的是该沉积材料通过改变光学吸收特性、改变该靶沉积材料前体气体的黏附系数/停留时间、和/或降低解离的活化障碍来促进该靶沉积材料的沉积。这个晶种层的沉积的结果是形成了一个新的固体表面，该表面随后可以被一个前体分子层覆盖。然后将该晶种层暴露于由靶沉积材料前体分子组成的第二化学蒸气(与最初的前体相同或不同)中。这些靶沉积材料前体分子吸附在该晶种层上。最后，将一个激光束应用于该基底上。一个靶沉积材料层在该晶种层与该激光束所应用的区域的相交处及其附近形成，这可能归因于上述的活化障碍、光学吸收特性和/或蒸气吸附特性的改变。在一个优选的实施例中，将该带电粒子束在该基底上扫描来形成一个图案化晶种层，但在另一个优选的实施例中保持该带电粒子束是静止的。
[0008]在第二单独方面中，本发明可以采取一种方法的形式，该方法是将一个靶沉积材料层沉积到一个基底表面上，该基底表面具有有助于该祀沉积材料的激光诱导沉积的一个晶种层。该方法从将一个基底表面的放置在真空中以及将该基底表面区域暴露于由用于该靶沉积材料的前体分子组成的一个化学蒸气中的行为开始。然后，将一个激光束应用于该区域并且一个靶沉积材料层在该激光束所应用到该晶种层的区域处形成。
[0009]为了可以更好地理解以下本发明的详细说明，上文已经相当广泛地概述了本发明的特征和技术优点。下文将说明本发明的附加特征和优点。本领域技术人员应认识到所披露的概念和具体实施例可容易地用作改进或设计用于完成本发明相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到这些同等构造不脱离如所附权利要求中所阐明的本发明的精神和范围。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]为了更加深入地理解本发明和本发明的优点，现在结合附图参考以下说明，其中:
图1示出了在本发明的方法中的第一阶段的示意图；
图2示出了本发明的方法的最后阶段的示意图；
图3示出了一个基底区域在进行了图1中所示的处理阶段后的平面图；
图4示出了图3中的基底区域在进行了图2中所示的处理阶段后的平面图；并且 图5是本发明的方法一个流程图。
【具体实施方式】[0011]本发明的这些实施例是针对将材料沉积在一个基底表面上的方法。
[0012]定义:一种超短脉冲激光是发射具有小于10皮秒的持续时间宽度的光脉冲的一种激光。功能上，当该材料响应的强度依赖性由电场的平方(或更高级数)主导时，进入该超短波范围。一个超短脉冲激光束是一种由超短脉冲激光发射的光束。
[0013]参见图1和图5, —个配置110,用于实施本发明方法的一种优选的方法210 (图5)，包括在真空中的一个基底112，该基底暴露于一个气体注入源116的蒸气114中(步骤212)。典型地(但非必要地)，源116是一个针状物，该针状物放置在基底112表面上小于Imm处。蒸气114包括用于一种晶种沉积材料的前体分子，这些前体分子变成吸附在基底112的表面上，从而形成一个吸附分子115层(图3)。
[0014]用一个带电粒子束118对吸附前体分子115的辐射(步骤214)导致该前体分子115的解离，以及晶种沉积材料的一个晶种层120的沉积。在一个优选的实施例中，晶种层120是一种催化性金属，如钼。在这个实例中，该钼层120是不纯的，显然因为一个带电粒子束的功率密度不足以实现这些前体分子的完全解离，使得碳和/或其他原子与该钼一起沉积。一个催化性金属晶种层通过降低该靶沉积材料前体分子的解离的活化障碍来促进靶沉积材料的沉积。在另一个优选的实施例中，该晶种沉积材料改变该靶沉积材料的黏附系数/停留时间或改变该基底的光学吸收特性。
[0015]在生成晶种层120之后，将该带电粒子束118中断并且将该晶种层120暴露于具有一种靶材的前体分子的第二蒸气122中(步骤216)，该前体分子也被吸附到该基底表面上，来形成一个吸附第二前体分子区域124 (图4)。同时地用一个超短脉冲激光126处理该区域124(步骤218)。这个结果是靶沉积材料的一个高纯沉积物128，该沉积物与该催化性晶种层120紧密地匹配，但轻微地从该催化性晶种层120扩展。在沉积物128是钼的情况下，该钼具有比该催化性晶种层120高得多的纯度。
[0016]尽管在一个优选的实施例中该靶沉积材料是钼，但存在许多其他优选的实施例，各自将一种不同的材料沉积在该晶种层上以及其附近。在一个替代的优选的实施例中，该靶沉积材料是碳，并且这些碳前体分子用于在晶种层120上提供一个碳沉积物128。
[0017]在一个优选的实施例中，在该靶上的该带电粒子束光点大小是不小于10 mm。该催化性晶种层120由于二次和一次带电粒子的扩散是典型地比该光点大小更宽。该催化性晶种层120的线宽优选在100 nm与150 nm之间、更优选在50 nm与100 nm之间、并且最优选在10 nm和50 nm之间。该激光诱导沉积物的线宽优选在110 nm与160 nm之间、更优选在60 nm与110 nm之间、并且最优选在15 nm和60 nm之间。有利地与来自目前可获得的技术的结果的线宽比较，该线宽可以有利地用于微电路的生成。
[0018]在另一个优选的方法中，通过一个更宽的带电粒子束118的使用亦或通过用光束118来扫描一个区域，生成一个更宽的催化性晶种层，该晶种层可能具有一个封闭的几何形状，如一个矩形。尽管用于生成一个材料纯层的其他的技术是已知的，但是当关于宽度不存在限制时，本方法的优点是可以生成一个纯靶材层120，而不用使该基底、或该层120 (当它正在形成时)经受潜在地破坏的热量。上述这些技术可以在一个宽的温度范围内(包括大约20° C (大约室温))进行。
[0019]如在一个优选的实施例指出的，激光束124是一个超短脉冲激光束。该光束具有这个优点:具有的能量密度足够低，这样使得没有该基底的相当可观的烧蚀或加热发生。在一些情况下，然而，加热该基底是可允许的。因此，在一个替代的优选的实施例中，使用另一种类型的激光，包括皮秒、纳秒、或连续波激光。
[0020]在一个优选的实施例中，蒸气114包括三甲基(甲基环戊二烯基)钼(一种钼前体)的分子。在另一个优选的实施例中，蒸气114包括八羰基二钴(一种钴前体)的分子。一个熟练人员可以容易地确定用于该催化性层和用于该所希望的金属层的其他合适的前体气体。用于该催化剂层120和该靶沉积材料层128的合适的前体气体具有以下特性:一个高蒸气压、沉积材料与配体的键能足够低使得通过该带电粒子束而被解离但是不能如此低以至于自发解离、一个高黏附系数、和一个长的停留时间。一个优选的实施例中，基底112是一种半导体基底，如一个硅基底，在另一个优选的实施例中，该基底是一种氧化物，如SiO2。通常，可以使用宽范围的基底。
[0021]用于该晶种层的沉积速率取决于该束电流，但一个典型的沉积速率是0.4 Mffl3/min。该靶材(可以是纯金属)的激光诱导沉积典型地以在0.8 Mm3Aiin与1.2 MmVmin之间的、以及更优选在1.0 Mm3Aiin与1.5 MfflVmin之间的速率发生。该激光诱导沉积的纯度典型地是大于40%、更优选大于60%、并且最优选大于80%。
[0022]根据本发明的一些实施例，一种生成靶沉积材料层的方法包含将所述基底表面放置在真空中并且将所述基底表面暴露于由用于一种晶种沉积材料的前体分子组成的第一化学蒸气中，由此形成已经吸附了用于所述晶种沉积材料的所述前体分子的第一基底表面区域；将一个带电 粒子束应用于所述第一基底表面区域，由此在所述带电粒子束与所述第一基底表面的相交处以及其附近形成一个晶种层；将所述晶种层暴露于具有靶沉积材料前体分子的第二化学蒸气中，由此导致这些靶沉积材料前体分子变成被吸附到所述催化性晶种层上以及其附近；并且将一个激光束应用到所述晶种层上，由此大约在所述催化性晶种层(其中所述激光束已经被应用)上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
[0023]在一些实施例中，所述晶种沉积材料是一种催化性金属。在一些实施例中，所述催化性金属是钼。在一些实施例中，所述前体分子是三甲基(甲基环戊二烯基)钼。在一些实施例中，所述靶沉积材料与所述晶种沉积材料相同。在一些实施例中，所述第一和第二化学蒸气是相同的。
[0024]在一些实施例中,所述带电粒子束是一个电子束。在一些实施例中，所述带电粒子束是一个离子束。在一些实施例中，所述激光束是一个超短脉冲激光束。
[0025]在一些实施例中，所述基底是由半导体材料制成的。在一些实施例中，所述基底是由硅制成的。在一些实施例中，所述基底是由一种氧化物制成的。在一些实施例中，所述靶沉积材料层形成一种具有图案特征的图案并且包括至少一种具有小于100 nm的宽度的图案特征。在一些实施例中，所述图案包括至少一种具有小于30 nm的宽度的图案特征。
[0026]在一些实施例中，所述图案是一个封闭的几何形状。在一些实施例中，所述封闭的几何形状是一个矩形。在一些实施例中，所述封闭的几何形状具有大于1，000平方微米的面积。在一些实施例中，所述激光束是一个超短脉冲激光束。
[0027]在一些实施例中，该方法进一步包含将所述基底表面暴露于由用于一种另外的晶种沉积材料的前体分子组成的一个另外的晶种层化学蒸气中，由此形成已经吸附了用于所述另外的晶种沉积材料的所述前体分子的一个另外的基底表面区域；将一个带电粒子束应用于所述另外的基底表面区域，由此在所述带电粒子束与所述第一基底表面的相交处以及其附近形成一个晶种层；将所述晶种层暴露于具有另外的靶沉积材料前体分子的一个另外的靶沉积材料化学蒸气中，由此导致这些靶沉积材料前体分子变成被吸附到所述催化性晶种层上以及其附近；并且将一个激光束应用到所述晶种层上，由此在所述催化性晶种层(其中所述激光束已经被应用)上以及其附近形成一个靶沉积材料层。在一些实施例中，将所述基底表面暴露于一个另外的晶种层化学蒸气中、将一个带电粒子束应用于所述另外的基底表面区域、将所述晶种层暴露于一个另外的靶沉积材料化学蒸气中、并且将一个激光束应用到所述晶种层上反复地进行，直到形成一个具有预定特征的层状沉积物。
[0028]根据本发明的一些实施例，一种将靶沉积材料层沉积到基底表面上的方法，该基底表面具有有助于所述靶沉积材料的沉积的一个晶种层，该方法包含:将所述基底表面放置在真空中并且将所述基底表面暴露于一个化学蒸气中，该化学蒸气具有用于所述靶沉积材料的一种前体分子；并且将一个激光束应用到所述区域，由此在所述催化性晶种层上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
[0029]在一些实施例中，所述激光束是一个超短脉冲激光束。在一些实施例中，所述晶种层是由一种催化性金属制成的。在一些实施例中，所述催化性金属是钼。在一些实施例中，所述前体分子是三甲基(甲基环戊二烯基)钼。
[0030]在一些实施例中，所述基底是由半导体材料制成的。在一些实施例中，所述基底是由硅制成的。在一些实施例中，所述基底是由一种氧化物制成的。在一些实施例中，所述靶沉积材料层形成一种具有图案特征的图案并且包括至少一种具有小于100 nm的宽度的图案特征。在一些实施例中，所述图案具有一种具有小于30 nm的宽度的图案特征。 [0031]在一些实施例中，所述靶图案是一个封闭的几何形状。在一些实施例中，所述封闭的几何形状是一个矩形。在一些实施例中，所述封闭的几何形状具有大于1，000平方微米的面积。
[0032]在一些实施例中，该方法进一步包含将所述基底表面暴露于由用于一种另外的晶种沉积材料的前体分子组成的一个另外的晶种层化学蒸气中，由此形成已经吸附了用于所述另外的晶种沉积材料的所述前体分子的一个另外的基底表面区域；将一个带电粒子束应用于所述另外的基底表面区域，由此在所述带电粒子束与所述第一基底表面的相交处以及其附近形成一个晶种层；将所述晶种层暴露于具有另外的靶沉积材料前体分子的一个另外的靶沉积材料化学蒸气中，由此导致这些靶沉积材料前体分子变成被吸附到所述催化性晶种层上以及其附近；并且将一个激光束应用到所述晶种层上，由此大约在所述催化性晶种层(其中所述激光束已经被应用)上以及其附近形成一个靶沉积材料层。在一些实施例中，将所述基底表面暴露于一个另外的晶种层化学蒸气、将一个带电粒子束应用于所述另外的基底表面区域、将所述晶种层暴露于一个另外的靶沉积材料化学蒸气中、以及将一个激光束应用到所述晶种层上的这些步骤反复地进行，直到形成一个具有预定特征的层状沉积物。
[0033]虽然已经详细描述了本发明和其优点，但是应了解可在此进行各种变化、取代以及改变而不背离如随附权利要求所定义的本发明的精神和范围。而且，本发明的范围并非旨在局限于在本说明书中所述的工艺、机器、制造物、物质的组合物、手段、方法以及步骤的具体实施例。如本领域的普通技术人员将从本发明的披露中很容易认识到的，可以根据本发明利用现有的或往后要开发的、大体上执行相同功能或大体上实现和此处所述的对应实施例相同结果的工艺、机器、制造物、物质的组合物、手段、方法以及步骤。相应地，所附权利要求书是旨在于将此类工艺、机器、制造物、物质的组合物、手段、方法或步骤包括在它们的范围内。
[0034]在一个另外的优选的实施例中，如上文所述的，将该初始的晶种层进行沉积并且进行该激光诱导沉积过程。在这之后，然而，将一个另外的晶种层进行沉积，随后再次通过一个另外的靶沉积材料的激光沉积。将这个两层沉积过程是反复地进行直到达到一个所希望的厚度。这个方法可以用于循环地生成一个层状沉积物，该层状沉积物比以另外的方式可能的更紧密地粘附至一个所希望的形状和内部结构上。在一个优选的实施例中，用于这些另外的靶沉积材料层的这些前体分子从一个沉积循环至下一个是不同的，来生成材料的交叉堆叠。在这个实施例中，用于这些带电粒子束沉积晶种层的这些前体分子也可能是不同的，来优化多个靶沉积材料层。作为一个实例，可以使用几种不同的前体用于生成发光材料和原位金属的堆叠来允许一个发光二极管、一个二极管激光器、一个量子阱结构、或其他的发光装置的制造。
[0035]以下表格列出了可以在上述方法中使用的前体分子。这不是一个全面的列表，并且通过举例来提供。
[0036]表格:前体分子的清单
缩写:乙酰丙酮化物(acac)、六氟乙酰丙酮化物(hfac)、三氟乙酰丙酮化物(tfac)、二甲基二吡啶(DMB)、2-甲基-1-己烯-3-炔(MHY)、乙烯基三甲基硅烷(VTMS)、Cp (环戊二烯基)
【权利要求】
1.一种生成靶沉积材料层的方法，该方法包含: 将一个基底表面放置在真空中并且将所述基底表面暴露于由用于一种晶种沉积材料的前体分子组成的第一化学蒸气中，由此形成已经吸附了用于所述晶种沉积材料的所述前体分子的第一基底表面区域； 将一个带电粒子束应用于所述第一基底表面区域，由此在所述带电粒子束与所述第一基底表面的相交处以及其附近形成一个晶种层； 将所述晶种层暴露于具有靶沉积材料前体分子的第二化学蒸气中，由此导致这些靶沉积材料前体分子变成被吸附到所述催化性晶种层上以及其附近； 将一个激光束应用到所述晶种层上，由此在所述激光束已经被应用的所述催化性晶种层上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述晶种沉积材料是一种催化性金属。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述催化性金属是钼。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述前体分子是三甲基(甲基环戊二烯基)钼。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述靶沉积材料与所述晶种沉积材料相同。
6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第一和第二化学蒸气是相同的。
7.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述带电粒子束是一个电子束。
8.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述带电粒子束是一个离子束。
9.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述激光束是一个超短脉冲激光束。
10.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述基底是由半导体材料制成的。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述基底是由硅制成的。
12.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述基底是由一种氧化物制成的。
13.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述靶沉积材料层形成一种具有图案特征的图案并且包括至少一种具有小于100 nm的宽度的图案特征。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述图案包括至少一种具有小于30nm的宽度的图案特征。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述图案是一个封闭的几何形状。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述封闭的几何形状是一个矩形。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述封闭的几何形状具有大于1，000平方微米的面积。
18.如权利要求1至4中任一项所述的方法，该方法进一步包含: (a)将所述基底表面暴露于由用于一种另外的晶种沉积材料的前体分子组成的一个另外的晶种层化学蒸气中，由此形成已经吸附了用于所述另外的晶种沉积材料的所述前体分子的一个另外的基底表面区域； (b)将一个带电粒子束应用于所述另外的基底表面区域，由此在所述带电粒子束与所述第一基底表面的相交处以及其附近形成一个晶种层； (c)将所述晶种层暴露于具有另外的靶沉积材料前体分子的一个另外的靶沉积材料化学蒸气中，由此导致这些靶沉积材料前体分子变成被吸附到所述催化性晶种层上以及其附近；(d)将一个激光束应用到所述晶种层上，由此在所述激光束已经被应用的所述催化性晶种层上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
19.如权利要求18所述的方法，其中将步骤(a)- (d)反复地进行，直到形成一个具有预定特征的层状沉积物。
20.一种用于将靶沉积材料层沉积到基底表面上的方法，该基底表面具有有助于所述靶沉积材料的沉积的一个晶种层，该方法包含: 将所述基底表面放置在真空中并且将所述基底表面暴露于具有用于所述靶沉积材料的前体分子的一个化学蒸气中；并且 将一个激光束应用到所述区域，由此在所述催化性晶种层上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述激光束是一个超短脉冲激光束。
22.如权利要求20所述的方法，其中所述晶种层是由一种催化性金属制成的。
23.如权利要求22所述的方法，其中所述催化性金属是钼。
24.如权利要求22所述的方法，其中所述前体分子是三甲基(甲基环戊二烯基)钼。
25.如权利要求20至24中任一项所述的方法，其中所述基底是由半导体材料制成的。
26.如权利要求20至24中任一项所述的方法，其中所述基底是由硅制成的。
27.如权利要求20至24中任一项所述的方法，其中所述基底是由一种氧化物制成的。
28.如权利要求20至24中任一项所述的方法，其中所述靶沉积材料层形成一种具有图案特征的图案并且包括至少一种具有小于100 nm的宽度的图案特征。
29.如权利要求28所述的方法，其中所述图案具有一种具有小于30nm的宽度的图案特征。
30.如权利要求28所述的方法，其中所述图案是一个封闭的几何形状。
31.如权利要求30所述的方法，其中所述封闭的几何形状是一个矩形。
32.如权利要求30所述的方法，其中所述封闭的几何形状具有大于1，000平方微米的面积。
33.如权利要求20至24中任一项所述的方法，该方法进一步包含: (a)将所述基底表面暴露于由用于一种另外的晶种沉积材料的前体分子组成的一个另外的晶种层化学蒸气中，由此形成已经吸附了用于所述另外的晶种沉积材料的所述前体分子的一个另外的基底表面区域； (b)将一个带电粒子束应用于所述另外的基底表面区域，由此在所述带电粒子束与所述第一基底表面的相交处以及其附近形成一个晶种层； (C)将所述晶种层暴露于具有另外的靶沉积材料前体分子的一个另外的靶沉积材料化学蒸气中，由此导致这些靶沉积材料前体分子变成被吸附到所述催化性晶种层上以及其附近；并且 (d)将一个激光束应用到所述晶种层上，由此在所述激光束已经被应用的所述催化性晶种层上以及其附近形成一个靶沉积材料层。
34.如权利要求33所述的方法，其中将步骤(a)- (d)反复地进行，直到形成一个具有预定特征的层状沉积物。
【文档编号】C23C16/04GK103668109SQ201310385527
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月30日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】S.兰多尔夫, M.斯特劳 申请人:Fei 公司