一种改善pecvd制程良率的方法
【专利摘要】本发明公开一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21为设置在玻璃基板20上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层25，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层22对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物23清除，表面的异物23被清除后留下凹坑24；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。本发明提供一种可有效清除膜下异物的改善PECVD制程良率的方法。
【专利说明】一种改善PECVD制程良率的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示器的研发与制造，特别是关于一种改善PECVD制程良率的方法。
【背景技术】
[0002]在TFT-LCD制程中，膜下异物引起的不良长期占据着良率损失的第一位。由于PECVD生产的特殊性，在生产过程中不能避免颗粒的产生，只能通过对玻璃基板沉膜前清洗、对机台预保养时清洁、生产中在沉膜6pcs后执行RPSCclean等手段抑制颗粒的积累而对膜层造成不良。
[0003]PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜；AS膜进一步细分为5层，自下往上分别是GH层、GL层、AL层、AH层、NP层，各层有各自的功能。GH膜的成分为SiNx,作为与GE膜直接接触的GH层，主要是对GE膜起绝缘保护作用，但在沉膜后极容易在GH层与GE膜间混入异物，尤其是在金属膜即GE膜上混入异物，将严重影响PECVD薄膜的品质。如图1为玻璃基板10和GE膜11的侧视图，图2是现有技术的沉膜方式，GH膜12下存在较多的异物13。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明为解决上述技术问题，提供一种可有效清除膜下异物的改善PECVD制程良率的方法。
[0005]本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为Hl ;毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物清除，表面的异物被清除后留下凹坑；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1 ;上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
[0006]所述厚度Hl小于厚度H。
[0007]所述毛刷为滚轴毛刷，且该滚轴毛刷的数量为一个或一个以上。
[0008]本发明相较于现有技术的有益效果是:
在TFT-LCD制程中，膜下异物引起的不良长期占据着良率损失的第一位。由于PECVD生产的特殊性，在生产过程中不能避免颗粒的产生，只能通过对玻璃基板沉膜前清洗、对机台预保养时清洁、生产中在沉膜6pcs后执行RPSCclean等手段抑制颗粒的积累而对膜层造成不良。
[0009]本发明在AS沉膜时采用预沉膜、毛刷清洗、再沉膜的工艺，它能很大程度的改善在AS沉膜时造成的膜下异物引起的不良。由于大部分膜下异物是在AS沉膜初期产生的，此种沉膜工艺能有效地减少AS膜层中与GE层接触而有可能造成显示不良的异物，而且，这种工艺还能通过同批次玻璃重复进CVD腔室镀膜，减少机台由于产能低等原因而造成的机台静置，而静置就会造成机台内异物产生的几率加大，这样该工艺就可以进一步降低particle产生的可能性。
[0010]通常GH层厚度为3500埃，预沉膜时GH层的厚度为1500-2500埃，通过带毛刷的清洗机台清洗，沉膜产生的异物被毛刷刷走，留下凹坑，在再沉膜时，将剩余的2000埃的GH层进行二次沉膜，凹坑即被填满，然后沉剩余的AS膜层，即使再有膜下异物，也不会影响AS层的绝缘保护作用，能极大地改善AS膜下异物造成的亮点、漏笔、点带线等显示不良。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]利用附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制。
[0012]图1是GE膜的结构图。
[0013]图2是现有技术的AS膜下异物的结构状态图。
[0014]图3是本发明实施例的改善PECVD制程良率的方法的预沉膜后的状态图。
[0015]图4是本发明实施例的改善PECVD制程良率的方法的毛刷清洗后的状态图。
[0016]图5是本发明实施例的改善PECVD制程良率的方法的再沉膜后的最终结构状态图。
【具体实施方式】
[0017]为了便于本领域技术人员理解，下面将结合附图以及实施例对本发明作进一步详细描述。
[0018]请参照图3-图5，本发明实施例包括:
一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21为设置在玻璃基板20上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层25，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层22对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为Hl ;毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物23清除，表面的异物23被清除后留下凹坑24 ;再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1 ;上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
[0019]厚度Hl小于厚度H。在本实施例中，H为3500 ±矣，Hl为1500 ±矣，H2为2000埃。
[0020]毛刷为滚轴毛刷，且在本实施例中，该滚轴毛刷的数量为4个。
[0021]在TFT-LCD制程中，膜下异物引起的不良长期占据着良率损失的第一位。由于PECVD生产的特殊性，在生产过程中不能避免颗粒的产生，只能通过对玻璃基板沉膜前清洗、对机台预保养时清洁、生产中在沉膜6pcs后执行RPSCclean等手段抑制颗粒的积累而对膜层造成不良。
[0022]本发明在AS沉膜时采用预沉膜、毛刷清洗、再沉膜的工艺，它能很大程度的改善在AS沉膜时造成的膜下异物引起的不良。由于大部分膜下异物是在AS沉膜初期产生的，此种沉膜工艺能有效地减少AS膜层中与GE层接触而有可能造成显示不良的异物，而且，这种工艺还能通过同批次玻璃重复进CVD腔室镀膜，减少机台由于产能低等原因而造成的机台静置，而静置就会造成机台内异物产生的几率加大，这样该工艺就可以进一步降低particle产生的可能性。
[0023]通常GH层厚度为3500埃，预沉膜时GH层的厚度为1500埃，通过带毛刷的清洗机台清洗，沉膜产生的异物被毛刷刷走，留下凹坑，在再沉膜时，将剩余的2000埃的GH层进行二次沉膜，凹坑即被填满，然后沉剩余的AS膜层，即使再有膜下异物，也不会影响AS层的绝缘保护作用，能极大地改善AS膜下异物造成的亮点、漏笔、点带线等显示不良。
[0024]最后应当说明的是，以上实施例说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括 预沉膜，选取一定厚度的GH层对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1 ； 毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物清除，表面的异物被清除后留下凹坑； 再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1 ;上述凹坑处的GH层厚度为Η与凹坑深度之差。
2.根据权利要求1所述的改善PECVD制程良率的方法，其特征在于，所述厚度Η1小于厚度Η。
3.根据权利要求1所述的改善PECVD制程良率的方法，其特征在于，所述毛刷为滚轴毛刷，且该滚轴毛刷的数量为一个或一个以上。
【文档编号】C23C16/52GK104498910SQ201410700949
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】谢雄伟, 李建, 任思雨, 苏君海, 李建华, 黄亚清 申请人:信利（惠州）智能显示有限公司