1.一种用于减少等离子体湿润表面系统组件的反应性的涂层，其包含：
具有大约如下组成的氧化钇：
约60％至约80％的量的钇；
约20％至约40％的量的氧；
和/或
具有大约如下组成的氧氮化铝：
约25％至约60％之间的量的铝；
约20％至约40％之间的量的氧；
约20％至约40％之间的量的氮；
其中所述涂层被涂敷到等离子体湿润系统的组件。
2.权利要求1所述的涂层，其中所述涂层是包含以下的氧化钇：
约60％至约80％的量的钇；
约20％至约40％的量的氧。
3.权利要求1所述的涂层，其中所述涂层是包含以下的氧氮化铝：
约25％至约60％之间的量的铝；
约20％至约40％之间的量的氧；
约20％至约40％之间的量的氮。
4.权利要求1所述的涂层，其中所述等离子体包括下列中的一种或多种：
原子氧、分子氧、原子氢、分子氢、原子氮、分子氮、分子氩、原子氩、原子氟、分子氟。
5.权利要求4所述的涂层，其中所述等离子体包括下列中的一种或多种：携氟等离子体、携氧等离子体、携氢等离子体和携氮等离子体。
6.权利要求1-5所述的涂层，其中所述携氟等离子体包括：CF4、CHF3、 CF3H、C2F6、C4F8、SF6、NF3、F2和C4F8O。
7.权利要求1-5所述的涂层，其中所述携氧等离子体包括：O2、O3、N2O、CO、CO2、C4F8O、H2O和H2O2。
8.权利要求1-5所述的涂层，其中所述携氢等离子体包括：H2、CH4、NH3、N2H2、C2H2、H2O、H2O2、N2/H2、He/H2和Ar/H2。
9.权利要求1-5所述的涂层，其中所述携氮等离子体包括：N2、N2O、NH3、NF3、N2/H2和NO。
10.权利要求1-5所述的涂层，其中所述涂层通过以下方式来涂敷：气相沉积、溅射沉积、热喷涂、溶胶-凝胶涂布、常压等离子体沉积、磁控溅射、电子束沉积、或脉冲激光沉积。
11.权利要求10所述的涂层，其中所述气相沉积是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)；物理气相沉积(PVD)；和化学气相沉积(CVD)。
12.权利要求1-5所述的涂层，其中所述涂层在约-150℃至约+600℃之间的温度下是稳定的。
13.权利要求1-5所述的涂层，其中所述等离子体系统是：
下游远程等离子体系统、感应耦合等离子体系统、电容耦合等离子体系统、反应离子蚀刻等离子体系统、和常压等离子体系统、和离子蚀刻等离子体系统。
14.权利要求1-5所述的涂层，其中所述涂层的硬度在约3GPa至约10GPa之间。
15.权利要求1-5所述的涂层，其中所述涂层的弹性(杨氏)模量在约100 GPa至约20GPa之间。
16.权利要求1-5所述的涂层，其中所述组件由石英、铝、或阳极化的铝或其组合制造。
17.一种增加等离子体系统的效率的方法，所述方法包括向不需要等离子体蚀刻的系统组件涂敷表面涂层，所述涂层减小非蚀刻的组件对等离子体流的反应性，其中所述表面涂层是：
具有大约如下组成的氧化钇：
约60％至约80％的量的钇；
约20％至约40％的量的氧；
和/或
具有大约如下组成的氧氮化铝：
约25％至约60％之间的量的铝；
约20％至约40％之间的量的氧；
约20％至约40％之间的量的氮；
其中所述涂层被涂敷到等离子体湿润系统的组件。
18.权利要求17所述的方法，其中所述涂层是包含以下的氧化钇：
约60％至约80％的量的钇；
约20％至约40％的量的氧。
19.权利要求17所述的方法，其中所述涂层是包含以下的氧氮化铝：
约25％至约60％之间的量的铝；
约20％至约40％之间的量的氧；
约20％至约40％之间的量的氮。
20.权利要求17所述的方法，其中所述等离子体包括以下中的一种或多种：
原子氧、分子氧、原子氢、分子氢、原子氮、分子氮、分子氩、原子氩、原子氟、分子氟。
21.权利要求17-20所述的方法，其中所述等离子体包括下列中的一种或多种：携氟等离子体、携氧等离子体、携氢等离子体和携氮等离子体。
22.权利要求17-20所述的方法，其中所述携氟等离子体包括：CF4、CHF3、CF3H、C2F6、C4F8、SF6、NF3、F2和C4F8O。
23.权利要求17-20所述的方法，其中所述携氧等离子体包括：O2、O3、N2O、CO、CO2、C4F8O、H2O和H2O2。
24.权利要求17-20所述的方法，其中所述携氢等离子体包括：H2、CH4、NH3、N2H2、C2H2、H2O、H2O2、N2/H2、He/H2和Ar/H2。
25.权利要求17-20所述的方法，其中所述携氮等离子体包括：N2、N2O、NH3、NF3、N2/H2和NO。
26.权利要求17-20所述的方法，其中所述涂层通过以下方式来涂敷：气相沉积、溅射沉积、热喷涂、溶胶-凝胶涂布、常压等离子体沉积、磁控溅射、电子束沉积、或脉冲激光沉积。
27.权利要求26所述的方法，其中所述气相沉积是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)；物理气相沉积(PVD)；和化学气相沉积(CVD)。
28.权利要求17-20所述的方法，其中所述涂层在约-150℃至约+600℃之间的温度下是稳定的。
29.权利要求17-20所述的方法，其中所述涂层的硬度在约3GPa至约10GPa之间。
30.权利要求17-20所述的方法，其中所述涂层的弹性(杨氏)模量在约100 GPa至约20GPa之间。
31.权利要求17-20所述的方法，其中所述组件由石英、铝、或阳极化的铝或其组合制造。
32.一种增加等离子体系统组件的寿命的方法，所述方法包括向系统组件涂敷表面涂层，所述涂层减少所述组件对等离子体流的反应性，其中所述表面涂层是：
具有大约如下组成的氧化钇：
约60％至约80％的量的钇；
约20％至约40％的量的氧；
和/或
具有大约如下组成的氧氮化铝：
约25％至约60％之间的量的铝；
约20％至约40％之间的量的氧；
约20％至约40％之间的量的氮；
其中所述涂层被涂敷到等离子体湿润系统的组件。
33.权利要求32所述的方法，其中所述涂层是包含以下的氧化钇：
约60％至约80％的量的钇；
约20％至约40％的量的氧。
34.权利要求32所述的方法，其中所述涂层是包含以下的氧氮化铝：
约25％至约60％之间的量的铝；
约20％至约40％之间的量的氧；
约20％至约40％之间的量的氮。
35.权利要求32所述的方法，其中所述等离子体包括下列中的一种或多种：
原子氧、分子氧、原子氢、分子氢、原子氮、分子氮、分子氩、原子氩、原子氟、分子氟。
36.权利要求32-35所述的方法，其中所述等离子体包括下列中的一种或多种：携氟等离子体、携氧等离子体、携氢等离子体和携氮等离子体。
37.权利要求32-35所述的方法，其中所述携氟等离子体包括：CF4、CHF3、CF3H、C2F6、C4F8、SF6、NF3、F2和C4F8O。
38.权利要求32-35所述的方法，其中所述携氧等离子体包括：O2、O3、N2O、CO、CO2、C4F8O、H2O和H2O2。
39.权利要求32-35所述的方法，其中所述携氢等离子体包括：H2、CH4、NH3、N2H2、C2H2、H2O、H2O2、N2/H2、He/H2和Ar/H2。
40.权利要求32-35所述的方法，其中所述携氮等离子体包括：N2、N2O、NH3、NF3、N2/H2和NO。
41.权利要求32-35所述的方法，其中所述涂层通过来以下来涂敷：气相沉积、溅射沉积、热喷涂、溶胶-凝胶涂布、常压等离子体沉积、磁控溅射、电子束沉积、或脉冲激光沉积。
42.权利要求41所述的方法，其中所述气相沉积是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)；物理气相沉积(PVD)；和化学气相沉积(CVD)。
43.权利要求32-35所述的方法，其中所述涂层在约-150℃至约+600℃的之间温度下是稳定的。
44.权利要求32-35所述的方法，其中所述涂层的硬度在约3GPa至约10Gpa之间。
45.权利要求32-35所述的方法，其中所述涂层的弹性(杨氏)模量在约100 GPa至约20GPa之间。
46.权利要求32-35所述的方法，其中所述组件由石英、铝、或阳极化的铝或其组合制造。