1.一种用于生长电子器件的复合反应室外延设备，包括物理沉积反应腔室(3)和化学沉积反应腔室(1)；两个反应腔室均设有源材料输送管道及冷却水管道(11)(31)、盖板(12)(32)、控制器和样品托盘，并通过中转室(2)进行相互连接，用于传输样品。
2.如权利要求1所述复合反应室外延设备，其特征是，所述化学沉积反应腔室(1)为金属有机气相沉积反应腔室、等离子体增强化学汽相淀积反应腔室或等离子体化学汽相淀积反应腔室。
3.如权利要求1所述复合反应室外延设备，其特征是，所述物理沉积反应腔室(3)为电子束蒸发反应腔室、磁控溅射反应腔室、热蒸镀反应腔室、分子束外延反应腔室或脉冲激光熔射沉积反应腔室。
4.如权利要求1所述复合反应室外延设备，其特征是，所述化学沉积反应腔室(1)和物理沉积反应腔室(3)均为能进行独立材料生长的反应腔室。
5.如权利要求1所述复合反应室外延设备，其特征是，所述两个反应腔室通过中转室(2)进行相互连接传输样品，具体通过中转室设有机械手或皮带进行样品在两个反应腔室的相互传输。
6.如权利要求1所述复合反应室外延设备，其特征是，所述中转室(2)设有压力控制部件，包括阀门和控制面板；中转室阀门通过中转室控制面板进行开与关。
7.如权利要求6所述复合反应室外延设备，其特征是，所述中转室的阀门包括连接中转室(2)与化学沉积反应腔室(1)的阀门(21)和连接中转室(2)与物理沉积反应腔室(3)的阀门(23)。
8.如权利要求6所述复合反应室外延设备，其特征是，所述中转室的压力控制部件与两个反应腔室的控制器集成为集成控制模块。
9.一种利用权利要求1～8任一所述复合反应室外延设备生长电子器件的外延生长方法，包括如下步骤：
1)首先在物理沉积反应腔室(3)中的样品托盘放入所需的衬底(41)，通过物理沉积反应腔室的控制器设定工艺参数，物理外延沉积缓冲层(42)；
2)通过中转室(2)的压力控制部件控制使得中转室(2)的压力与物理沉积反应腔室(3)的压力相等，打开中转室(2)与物理沉积反应腔室(3)之间的阀门(23)，把物理沉积反应腔室(3)中的样品或者样品托盘转输到中转室(2)，关闭阀门(23)；
3)接着通过中转室(2)的压力控制部件控制使得中转室(2)的压力与化学沉积反应腔室(1)的压力相等，打开中转室(2)与化学沉积反应腔室(1)之间的阀门(21)，把样品或者样品托盘转输到化学沉积反应腔室(1)，关闭阀门(21)；
4)最后，通过设定工艺参数化学外延沉积材料器件(5)，从而完成电子器件的外延生长。
10.如权利要求9所述外延生长方法，其特征是，所述方法利用复合反应室外延设备外延生长电子器件，还包括从化学沉积反应腔室(1)到物理沉积反应腔室(3)的沉积。