技术特征：
1.一种BeZnOS化合物半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备BeZnOS化合物半导体薄膜材料所需的陶瓷靶材，所述的陶瓷靶材由陶瓷坯片烧结得到，其中，所述的陶瓷坯片包括摩尔比为99:1～70:30的ZnS和BeO，所述陶瓷坯片的烧结温度为700～1250℃，烧结时间为4～6个小时；2)以蓝宝石为衬底，对所述陶瓷靶材采用脉冲激光烧蚀沉积方法在所述衬底上进行BeZnOS薄膜的生长，得到BeZnOS化合物半导体材料，其中，衬底温度为25～1000℃，激光能量为250～600mJ/pulse，氧压为0～10Pa。2.根据权利要求1所述的BeZnOS化合物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤1)包括以下步骤：1.1)称取摩尔比为99:1～70:30的ZnS粉末和BeO粉末，得到初混粉末；1.2)向步骤1.1)得到的初混粉末中加入初混粉末总质量50～70％的去离子水进行球磨，得到混合粉末；1.3)将步骤1.2)得到的混合粉末进行真空干燥处理，得到干燥的混合粉末，其中，本底压强≤0.1Pa，干燥温度为100～120℃，干燥时间为6～8小时；1.4)向步骤1.3)得到的干燥的混合粉末中加入干燥的混合粉末总质量2～6％的无水乙醇，研磨搅拌均匀，得到混合粘结在一起的陶瓷坯料；1.5)将步骤1.4)得到的陶瓷坯料压制成陶瓷坯片，陶瓷坯片的厚度为2～3mm；1.6)以硫粉为除氧剂，以氩气为保护气，在真空管式炉中对步骤1.5)得到的陶瓷坯片进行烧结，得到陶瓷靶材。3.根据权利要求1或2所述的BeZnOS化合物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤2)包括以下步骤：2.1)以蓝宝石作为薄膜生长的衬底，并对衬底进行超声波清洗和干燥，得到干净的衬底，其中，清洗液为丙酮、无水乙醇和去离子水中的任意一种或几种的混合，清洗时间为10～20分钟；2.2)在氧气的气氛条件下，对步骤1)得到的陶瓷靶材采用脉冲激光烧蚀沉积方法在步骤2.1)得到的干净衬底上进行BeZnOS薄膜的生长。4.一种BeZnOS化合物半导体材料，其特征在于，为BeO和ZnS固溶得到的四元化合物半导体材料。5.根据权利要求4所述的BeZnOS化合物半导体材料，其特征在于，由权利要求1至3任一所述的制备方法制备得到。6.一种根据权利要求4或5所述的BeZnOS化合物半导体材料的应用，其特征在于，作为ZnO基量子阱器件的势垒层材料或紫外光探测器的有源层。