1.一种半导体用铜合金接合线，其特征在于，是将铜合金拉丝加工而成的，所述铜合金含有0.13～1.15质量％的Pd，其余量为铜和不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，含有0.2～1.1质量％的Pd。
3.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，线表面的氧化铜的平均膜厚为0.0005～0.02μm的范围。
4.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，在与线纵向平行的线截面中的晶粒的平均尺寸为2μm以上。
5.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，在与线纵向平行的线截面中的晶粒的平均尺寸为3μm以上。
6.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，在与线纵向平行的线截面中的晶粒的平均尺寸为75μm以下。
7.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，在与线纵向平行的线截面中的晶粒的平均尺寸为线直径的1.5倍以下。
8.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，所述铜合金还含有总计为0.0005～0.07质量％的Ag、Au的至少一种。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，所述铜合金还含有总计为0.0005～0.025质量％的Ti：0.0005～0.01质量％、B：0.0005～0.007质量％以及P：0.0005～0.02质量％的至少一种。