1.一种含有微量稀土的高强高硅铝合金；其特征在于，以质量百分比计包括下述组分：
硅 48.0～52.0％；
X 0.1～0.9％；
其余为铝；
所述X选自Sc、Zr中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金；其特征在于，以质量百分比计包括下述组分：
硅 49.0～52.0％；
X 0.4～0.6％；
其余为铝；
所述X选自Sc、Zr中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金；其特征在于，以质量百分比计包括下述组分：
硅 50.0％；
X 0.4～0.6％；
其余为铝；
所述X选自Sc、Zr中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金；其特征在于：所述X由Sc、Zr按质量比Sc：Zr＝1：1.5-2.5组成。
5.一种制备含有微量稀土的高强高硅铝合金的方法；其特征在于，包括下述步骤：
按设计组分配取硅源、铝源、X源，对配取的硅源、铝源、X源进行熔炼得到熔体；所得熔体经雾化喷射沉积得到沉积坯，沉积坯经热等静压处理，得到样品；所述热等静压处理时，控制温度为530℃～610℃，控制压力为140～210MPa。
6.根据权利要求5所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金的制备方法；其特征在于：所述硅源为单晶硅；所述铝源为高纯铝，所述高纯铝的纯度大于等于99.995％；所述X源为Al-Sc合金和/或Al-Zr合金。
7.根据权利要求5所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金的制备方法；其特征在于：当硅源为单晶硅、当铝源为高纯铝、当X源为所述X源为Al-Sc合金和/或Al-Zr合金时，其制备步骤为：
先将高纯铝升温至800～870℃，待纯铝全部融化后升温至1200～1400℃，然后分批次加入单晶硅，待单晶硅全部融化降温至750～820℃，再加入X源，搅拌5～10min后用造渣剂覆盖造渣并用六氯己烷除气；得到熔体；所得熔体移入中间包；采用雾化喷射沉积的方式制备沉积坯；所述造渣剂由NaCl、KCl、冰晶石按质量百分比计，NaCl：KCl：冰晶石＝30:47:23组成；雾化喷射沉积时，控制气体压力为0.9～1.3MPa，雾化温度为780～850℃，沉积盘的接受距离为620～650mm，雾化器扫描频率为21～24HZ，沉积盘的下降速度为19～25mm/min；所述气体为氮气；所述中间包的温度为900～1000℃、优选为955～965℃。
8.根据权利要求5所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金的制备方法；其特征在于：所制备的样品置于电阻炉中以5～25℃/min的速率升温至500～525℃，保温2～8h，油淬，油温为80～120℃，再将油淬后的样品再次置于电阻炉中以5～25℃/min的速率升温至150～220℃，保温24h～72h，取出空冷；得到成品。
9.根据权利要求9所述的一种含有微量稀土的高强高硅铝合金的制备方法；其特征在于：所制备成品的热导率为142～150W/(m·K)，热膨胀系数为11.1×10-6～11.3×10-6K-1，抗拉强度为308～345MPa，抗弯强度为392～430MPa，硬度为170～192HB；
所制备成品中硅粒的粒径小于等于10μm，
所制备成品致密度大于等于99.9％。
10.一种如权利要求1-4任意一项所述含有微量稀土的高强高硅铝合金的应用；其特征在于：包括将其用作电子封装材料。