1.一种C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基底(10)与原子层沉积装置(50)，将所述基底(10)送入所述原子层沉积装置(50)中，向所述原子层沉积装置(50)中通入氧化铟前驱体物质，同时通入氧气与惰性气体的混合气体，在所述基底(10)上形成氧化铟膜(20)；
步骤2、向所述原子层沉积装置(50)中通入清洗气体，驱逐出所述原子层沉积装置(50)中多余的氧化铟前驱体物质，从而对所述原子层沉积装置(50)进行清洗；
步骤3、向所述原子层沉积装置(50)中通入氧化镓前驱体物质，同时通入氧气与惰性气体的混合气体，在所述氧化铟膜(21)上形成氧化镓膜(22)；
步骤4、向所述原子层沉积装置(50)中通入清洗气体，驱逐出所述原子层沉积装置(50)中多余的氧化镓前驱体物质，从而对所述原子层沉积装置(50)进行清洗；
步骤5、向所述原子层沉积装置(50)中通入氧化锌前驱体物质，同时通入氧气与惰性气体的混合气体，在所述氧化镓膜(22)上形成氧化锌膜(23)；
步骤6、向所述原子层沉积装置(50)中通入清洗气体，驱逐出所述原子层沉积装置(50)中多余的氧化锌前驱体物质，从而对所述原子层沉积装置(50)进行清洗；
经过所述步骤1至步骤6，在所述基底(10)上形成一层C轴结晶IGZO膜(20)，所述C轴结晶IGZO膜(20)包括在C轴方向上依次排列的氧化铟膜(21)、氧化镓膜(22)及氧化锌膜(23)；
步骤7、在所述基底(10)上形成C轴结晶IGZO薄膜(30)。
2.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤7中重复所述步骤1至步骤6数次，所述C轴结晶IGZO薄膜(30)包括层叠设置的数层C轴结晶IGZO膜(20)，所述C轴结晶IGZO膜(20)的层数与重复所述步骤1至步骤6的次数相同。
3.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，所述氧化铟前驱体物质包括氯化铟与水。
4.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，所述氧化镓前驱体物质包括三甲基镓与水。
5.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，所述氧化锌前驱体物质包括二乙基锌与双氧水。
6.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1、步骤3及步骤5中，控制所述原子层沉积装置(50)中的温度为310℃-335℃，压力为5mTorr-8mTorr，所述原子层沉积装置(50)的工作功率为180W-200W；所述氧气与惰性气体的混合气体中，氧气的浓度为15v％-17v％。
7.如权利要求6所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1、步骤3及步骤5中，控制所述原子层沉积装置(50)中的温度为320℃，压力为7mTorr，所述原子层沉积装置(50)的工作功率为190W；所述氧气与惰性气体的混合气体中，氧气的浓度为16v％。
8.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1、步骤3及步骤5中，所述氧气与惰性气体的混合气体中，所述惰性气体为氩气。
9.如权利要求1所述的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2、步骤4及步骤6中，所述清洗气体为氮气或者惰性气体。
10.一种C轴结晶IGZO薄膜，其特征在于，包括层叠设置的数层C轴结晶IGZO膜(20)，所述C轴结晶IGZO膜(20)包括在C轴方向上依次排列的氧化铟膜(21)、氧化镓膜(22)及氧化锌膜(23)。