技术总结
本发明提供一种C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法。本发明的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，通过采用原子层沉积的方法来制备C轴结晶IGZO薄膜，能够在原子水平上精确控制C轴结晶IGZO的结构，制得的C轴结晶IGZO的结晶质量好，氧缺陷较少，能够提高TFT的稳定性；并且由于本发明制得的C轴结晶IGZO薄膜中的结晶区域的面积较大，达百微米级至毫米级，因此可促进C轴结晶IGZO的规模化应用；同时本发明利用最优化的工艺条件来制备C轴结晶IGZO薄膜，可提高生产良率，降低生产成本。本发明的C轴结晶IGZO薄膜，C轴结晶IGZO的结晶质量好，氧缺陷较少，能够提高TFT的稳定性，同时结晶区域的面积较大，有利于C轴结晶IGZO的规模化应用。
技术研发人员：王选芸
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201611147744
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.31