专利名称：一种多层复合稀土配合物晶体及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光材料领域，具体涉及一种多层复合稀土配合物晶体及其制备方法和应用。 近几十年来，利用晶体外延生长技术来生长具有单层或多层膜结构的单晶薄膜材料在半导体器件、集成光学、红外技术和激光技术等方面得到了广泛的应用。与之相类似， 利用不同稀土离子间容易形成异质同晶结构的特性，在合适的条件下，沿一种稀土配合物特定的结晶轴方向，继续生长晶格结构相同的另一种稀土配合物，不同层的配合物间各自产生不同颜色的发光，从而得到一种新型的多层复合发光的异质同晶型多稀土配合物单一晶体材料。本发明的目的在于克服现有的多组分发光材料发光性能的不足，提供一种多层复合稀土配合物晶体，所述多层复合稀土配合物晶体具有可控多层结构、不同部位不同发光、 层间不同发光可复合性的特点。本发明的另一目的在于提供上述多层复合稀土配合物晶体的制备方法。本发明的另一目的在于提供上述多层复合稀土配合物晶体在制备节能环保型发光可调器件中的应用。 本发明的上述目的通过如下技术方案予以实现
一种多层复合稀土配合物晶体，所述多层复合稀土配合物晶体具有如下结构式 [EuxTbyAz(TTP)2H2O] Cl3TiH2O;
其中，0彡X，y，ζ彡l，x，y，ζ至少任意两个参数的值不同时为0，且x+y+z=l ；A= Ce 或Gd，n=7^10 ；所述多层复合稀土配合物晶体中，任意两种的稀土金属位于不同的层；所述 TTP为具有式(I )所示结构的配体
权利要求
1. 一种多层复合稀土配合物晶体，其特征在于，所述多层复合稀土配合物晶体具有如下结构式[EuxTbyAz (TTP)2H2O] Cl3TiH2O ；其中，0彡X，y，ζ彡l，x，y，z至少任意两个参数的值不同时为0，且x+y+z=l ；A=Ce或 Gd，n=7^10 ；所述多层复合稀土配合物晶体中，任意两种的稀土金属位于不同的层；所述 TTP为具有式(I )所示结构的配体
2.权利要求1所述多层复合稀土配合物晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤(1)将单一稀土金属盐的丙酮溶液与配体的水溶液混合后，搅拌，过滤，丙酮挥发后，析出晶体，得到单层稀土金属配合物晶体；(2)选择与步骤(1)不同种的稀土金属盐，将其丙酮溶液与配体的水溶液混合，制备得到另一种单一稀土金属配合物的前体溶液；(3)将步骤(1)的单层稀土金属配合物晶体浸泡在步骤(2)制备的单一稀土金属配合物的前体溶液中3 7天，使单一稀土金属配合物在稀土金属配合物晶体上生长，依次重复步骤(2)、(3)若干次，得到所述多层复合稀土配合物晶体。
3.如权利要求2所述制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述稀土金属盐丙酮溶液的浓度为 0. ΟΓΟ. 02 mol*lA
4.如权利要求2所述制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述配体水溶液的浓度为 0. ΟΓΟ. 02 mol*!/1。
5.如权利要求2所述制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述前体溶液为单一稀土金属配合物的饱和溶液。
6.权利要求1所述稀土配合物在制备节能环保型多色发光材料和器件中的应用。
全文摘要
本发明公开一种多层复合稀土配合物晶体及其制备方法和应用。所述稀土配合物具有[EuxTbyAz(TTP)2H2O]Cl3 nH2O的结构式，其中，0≤x，y，z≤1,x,y,z至少任意两个参数的值不同时为0，且x+y+z=1；A=Ce或Gd，n=7~10；所述TTP为具有(Ⅰ)所示结构的配体；所述稀土配合物晶体中，任意两种的稀土金属位于不同的层。所述稀土配合物晶体的制备方法将单层稀土金属配合物晶体浸泡在稀土金属配合物的饱和溶液中，使单一稀土金属配合物在稀土金属配合物晶体上生长，实施若干次，得到所述多层复合稀土配合物晶体。所述多层稀土配合物晶体具有单一晶体结构、分层生长、层间不同颜色复合发光、热稳定性强、节能环保等特点，是一种优良的单组分多色发光材料。(Ⅰ)
文档编号C30B29/68GK102206862SQ20111006058
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月14日 优先权日2011年3月14日
发明者严诚, 李康, 杨庆远, 潘梅, 王海平, 苏成勇 申请人:中山大学