1.一种低温诱导制备硅纳米线的方法,其特征在于采用如下步骤:
1)金属锡薄膜的磁控溅射生长:
将衬底材料装入进样真空室,控制真空室的气压达到5×10-4 Pa,通入20 sccm的氩气,调节反应真空室内的气压达到1.0 Pa时,打开锡靶的溅射电源;开始锡薄膜生长前,先进行30分钟的预溅射,去除锡靶材表面的氧化层;预溅射完成后,打开反应室和进样室的插板阀,将样品送入反应室,并将样品进行定位;采用直流溅射,溅射功率60W,溅射温度为室温,溅射时间为20分钟;生长完成后锡薄膜的典型厚度为100 nm;
2)非晶硅薄膜的磁控溅射生长:
在完成锡薄膜的生长后,将生长有一层锡薄膜的衬底材料加热至250~400℃,在原位开始生长非晶硅薄膜;其生长工艺和步骤与步骤1)基本相同,不同之处在于采用射频溅射,溅射功率20W,溅射温度为250~400℃,溅射时间为80分钟;生长完成后非晶硅薄膜的典型厚度为200 nm。